参数 | 值 |
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产品 | 未分类 |
型号编码 | EPC2111ENGRT |
说明 | 未分类 模具 模具 |
品牌 | EPC |
起订量 | 1000 |
最小包 | 1000 |
现货 | 2228 [库存更新时间:2025-04-05] |
FET类型 | 2 个 N 通道(半桥) |
FET类型 | GaNFET(氮化镓) |
漏源极电压Vds | 30V |
连续漏极电流Id | 16A(Ta) |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 19 毫欧 @ 15A,5V,8 毫欧 @ 15A,5V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 5mA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 2.2nC @ 5V,5.7nC @ 5V |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 230pF @ 15V,590pF @ 15V |
工作温度 | -40°C ~ 150°C(TJ) |
封装/外壳 | 模具 |
封装/外壳 | 模具 |