参数	值
产品	未分类
型号编码	EPC2108
说明	未分类   9-VFBGA 9-BGA(1.35x1.35)
品牌	EPC
起订量	2500
最小包	2500
现货	5228 [库存更新时间：2025-04-05]
FET类型	3 N 沟道(半桥 + 同步自举)
FET类型	GaNFET(氮化镓)
漏源极电压Vds	60V,100V
连续漏极电流Id	1.7A,500mA
Rds On(Max)@Id,Vgs	190 毫欧 @ 2.5A, 5V, 3.3 欧姆 @ 2.5A, 5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.5V @ 100µA,2.5V @ 20µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	22pF @ 30V, 7pF @ 30V
工作温度	-40°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	9-VFBGA
封装/外壳	9-BGA (1.35x1.35)