参数 | 值 |
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产品 | 未分类 |
型号编码 | EPC2101ENGRT |
说明 | 未分类 模具 模具 |
品牌 | EPC |
起订量 | 1 |
最小包 | 500 |
现货 | 7659 [库存更新时间:2025-04-08] |
FET类型 | 2 个 N 通道(半桥) |
FET类型 | GaNFET(氮化镓) |
漏源极电压Vds | 60V |
连续漏极电流Id | 9.5A,38A |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 11.5 毫欧 @ 20A,5V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 2mA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 2.7nC @ 5V |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 300pF @ 30V |
工作温度 | -40°C ~ 150°C(TJ) |
封装/外壳 | 模具 |
封装/外壳 | 模具 |