参数	值
产品	未分类
型号编码	DMT10H014LSS-13
说明	未分类   8-SO 8-SOIC(0.154",3.90mm宽)
品牌	Diodes(达尔（美台）)
起订量	2500
最小包	2500
现货	5210 [库存更新时间：2025-11-15]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	100V
连续漏极电流Id	8.9A(Ta)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	33.3nC @ 10V
栅极电压Vgs	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	1871pF @ 50V
功率	1.2W(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs	15 毫欧 @ 20A,10V
工作温度	-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	8-SO
封装/外壳	8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)