参数	值
产品	未分类
型号编码	DMN62D0LFB-7B
说明	未分类   3-X1DFN1006 3-uFDFN
品牌	Diodes(达尔（美台）)
起订量	1
最小包	1
现货	422 [库存更新时间：2025-04-02]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	60V
连续漏极电流Id	100mA(Ta)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	1.5V,4V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	0.45nC @ 4.5V
栅极电压Vgs	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	32pF @ 25V
功率	470mW(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs	2 欧姆 @ 100mA,4V
工作温度	-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	3-X1DFN1006
封装/外壳	3-uFDFN
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs	4.5V
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds	25V