参数	值
产品	未分类
型号编码	DDTB113ZC-7-F
说明	未分类   TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
品牌	Diodes(达尔（美台）)
起订量	1
最小包	3000
现货	3210 [库存更新时间：2025-04-05]
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）	300mV @ 2.5mA,50mA
电流 - 集电极截止（最大值）	500nA
频率 - 跃迁	200MHz
功率	1/5W
封装/外壳	TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
FET类型	PNP - 预偏压
电流 - 集电极（Ic）（最大值）	500mA
电压 - 集射极击穿（最大值）	50V
电阻器 - 基底（R1）（欧姆）	1k
电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）	10k
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	56 @ 50mA,5V