参数	值
产品	未分类
型号编码	CSD85312Q3E
说明	未分类   8-PowerVDFN 8-VSON(3.3x3.3)
品牌	TI(德州仪器)
起订量	2500
最小包	2500
现货	5309 [库存更新时间：2025-11-19]
FET类型	2 N 沟道(双)共源
FET类型	逻辑电平栅极,5V 驱动
漏源极电压Vds	20V
连续漏极电流Id	39A
Rds On(Max)@Id,Vgs	12.4 毫欧 @ 10A,8V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	1.4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	15.2nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	2390pF @ 10V
功率	2.5W
工作温度	-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	8-PowerVDFN
封装/外壳	8-VSON(3.3x3.3)