参数	值
产品	未分类
型号编码	CSD19502Q5B
说明	未分类   8-VSON(5x6) 8-PowerTDFN
品牌	TI(德州仪器)
起订量	1
最小包	2500
现货	4646 [库存更新时间：2025-11-14]
3.2 W	Pd - 功率消耗
48 nC	Qg - 闸极充电
互导 - 最小值	88 S
公司名称	NexFET
FET类型	N-Channel
最低工作温度	- 55 C
最高工作温度	+ 150 C
连续漏极电流Id	100 A
标准包装数量	2500
标准断开延迟时间	22 ns
系列	CSD19502Q5B
配置	Single
Rds On(Max)@Id,Vgs	3.4 m0hms
漏源极电压Vds	80 V
栅极电压Vgs	20V
栅极电压Vgs	2.7 V
上升时间	6 ns
下降时间	7 ns
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	80V
连续漏极电流Id	100A(Ta)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	6V,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	3.3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	62nC @ 10V
栅极电压Vgs	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	4870pF @ 40V
功率	3.1W(Ta),195W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	4.1 毫欧 @ 19A,10V
工作温度	-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	8-VSON(5x6)
封装/外壳	8-PowerTDFN