| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | 整流二极管 |
| 型号编码 | BZT52C3V9LP-7 |
| 说明 | 整流二极管 ±5% 2-DFN1006 DFN |
| 品牌 | Diodes(达尔(美台)) |
| 起订量 | 1 |
| 最小包 | 3000 |
| 现货 | 3033 [库存更新时间:1970-01-01] |
| 偏差 | ±5% |
| 齐纳阻抗Zz | 90 Ohms |
| 反向漏电流Ir | 3µA @ 1V |
| 正向电压Vf | 900mV @ 10mA |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 封装/外壳 | 2-DFN1006 |
| 封装/外壳 | DFN |
| 齐纳电压Vz | 3.9V |
| 功率耗散Pd | 250mW |

| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | 整流二极管 |
| 型号编码 | BZT52C3V9LP-7 |
| 说明 | 整流二极管 ±5% 2-DFN1006 DFN |
| 品牌 | Diodes(达尔(美台)) |
| 起订量 | 1 |
| 最小包 | 3000 |
| 现货 | 3033 [库存更新时间:1970-01-01] |
| 偏差 | ±5% |
| 齐纳阻抗Zz | 90 Ohms |
| 反向漏电流Ir | 3µA @ 1V |
| 正向电压Vf | 900mV @ 10mA |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 封装/外壳 | 2-DFN1006 |
| 封装/外壳 | DFN |
| 齐纳电压Vz | 3.9V |
| 功率耗散Pd | 250mW |