参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	BSO301SP H
说明	功率MOSFET   4.9mm
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	323 [库存更新时间：2025-04-05]
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	5890pF @ 25V
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
漏源极电压Vds	30V
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	136nC @ 10V
通道数量	1Channel
连续漏极电流Id	14.9A
Rds On(Max)@Id,Vgs	8mΩ
栅极电压Vgs	20V
Qg-栅极电荷	-102nC
配置	Single
Pd-功率耗散(Max)	2.5W
高度	1.75mm
长度	4.9mm
系列	OptiMOSP
FET类型	P-Channel
宽度	3.9mm
正向跨导 - 最小值	44S
下降时间	110ns
上升时间	22ns
典型关闭延迟时间	130ns
典型接通延迟时间	15ns