参数	值
产品	未分类
型号编码	BFG35,115
说明	未分类   SOT-223 TO-261-4,TO-261AA SOT-223
品牌	NXP Semiconductors(恩智浦)
起订量	0
最小包	0
现货	414 [库存更新时间：2025-04-07]
FET类型	NPN
电压-集射极击穿（最大值）	18V
频率-跃迁	4GHz
功率	1W
不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）	25 @ 100mA,10V
电流-集电极（Ic）（最大值）	150mA
工作温度	175°C(TJ)
封装/外壳	SOT-223
电压 - 集射极击穿（最大值）	18V
频率 - 跃迁	4GHz
功率	1W
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	25 @ 100mA,10V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）	150mA
封装/外壳	TO-261-4,TO-261AA
封装/外壳	SOT-223