参数	值
产品	未分类
型号编码	BD678
说明	未分类   TO-225-3 SOT-32
品牌	ST(意法半导体)
起订量	50
最小包	50
现货	480 [库存更新时间：2024-06-06]
封装/外壳	TO-225-3
FET类型	P-Channel
集电极最大允许电流Ic	4A
集电极_发射极击穿电压VCEO	60V
电流放大倍数最小值hFE_Min	750
功率散耗	40 W
最高工作温度	+ 150 C
封装/外壳	SOT-32
系列	BD678
750	直流集电极/增益 hfe 最小值
标准包装数量	2000
配置	Single
集电极-发射极最大电压VCEO	60 V
发射机-基极电压VEBO	5 V
集电极最大直流电流	4 A
集电极最大截止电流	200 uA