参数	值
产品	未分类
型号编码	BC847BPDXV6T1G
说明	未分类   SOT-563,SOT-666 SOT-563
品牌	ON(安森美)
起订量	4000
最小包	4000
现货	8664 [库存更新时间：2025-04-09]
FET类型	NPN,PNP
电流-集电极（Ic）（最大值）	100mA
电压-集射极击穿（最大值）	45V
不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）	600mV @ 5mA,100mA
电流-集电极截止（最大值）	15nA(ICBO)
不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）	200 @ 2mA,5V
频率-跃迁	100MHz
工作温度	-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	SOT-563,SOT-666
封装/外壳	SOT-563
FET类型	NPN+PNP
集电极最大允许电流Ic	0.1A
集电极_发射极击穿电压VCEO	50V
频率 - 跃迁	100MHz
电流 - 集电极（Ic）（最大值）	100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）	45V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）	600mV @ 5mA,100mA
电流 - 集电极截止（最大值）	15nA(ICBO)
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	200 @ 2mA,5V