参数	值
产品	未分类
型号编码	AP2281-3FMG-7
说明	未分类   U-DFN2018 3.1mm 3.1x1.7x1.3mm
品牌	DiodesZetex
起订量	0
最小包	0
现货	360 [库存更新时间：2025-04-03]
FET类型	P-Channel
连续漏极电流Id	2 A
漏源极电压Vds	6 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	280 m0hms
封装/外壳	U-DFN2018
晶体管配置	单
引脚数目	6
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
功率	1.41 W
典型接通延迟时间	1000 ns
典型关断延迟时间	500 ns
晶体管材料	Si
每片芯片元件数目	1 Ohms
最低工作温度	-40 °C
宽度	1.7mm
长度	3.1mm
高度	1.3mm
正向二极管电压	6.5V
封装/外壳	3.1 x 1.7 x 1.3mm
最高工作温度	+125 °C