参数 | 值 |
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产品 | 未分类 |
型号编码 | AOT502 |
说明 | 未分类 TO-220 TO-220-3 |
品牌 | AOS(万国半导体) |
起订量 | 1000 |
最小包 | 1000 |
现货 | 2263 [库存更新时间:2025-04-02] |
FET类型 | N-Channel |
漏源极电压Vds | 33V |
连续漏极电流Id | 9A(Ta),60A(Tc) |
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 2.7V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 28nC |
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs | 10V |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 1450pF |
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds | 15V |
功率 | 1.9W(Ta),79W(Tc) |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 11.5 毫欧 @ 30A,10V |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
封装/外壳 | TO-220 |
封装/外壳 | TO-220-3 |