参数	值
产品	未分类
型号编码	AON4807
说明	未分类   8-SMD,扁平引线 8-DFN(3x2) DFN8
品牌	AOS(万国半导体)
起订量	3000
最小包	3000
现货	6376 [库存更新时间：2025-04-06]
FET类型	2 个 P 沟道(双)
FET类型	逻辑电平门
漏源极电压Vds	30V
连续漏极电流Id	4A
Rds On(Max)@Id,Vgs	68 毫欧 @ 4A,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	10nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	290pF @ 15V
功率	1.9W
工作温度	-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	8-SMD,扁平引线
封装/外壳	8-DFN(3x2)
安装	SMD
封装/外壳	DFN8
开启状态电阻	68m Ohms
FET类型	P-MOSFET x2
极化	单极
栅极-源极电压	±20V
漏极-源极电压	-30V
漏极电流	-3A
耗电	1.2W