参数 | 值 |
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产品 | 功率MOSFET |
型号编码 | AOI9N50 |
说明 | 功率MOSFET TO-251A |
品牌 | AOS(万代) |
起订量 | 0 |
最小包 | 0 |
现货 | 524 [库存更新时间:2025-04-22] |
封装/外壳 | TO-251A |
FET类型 | N-Channel |
ESD Diode | No |
Schottky Diode | No |
漏源极电压Vds | 500V |
栅极电压Vgs | 30V |
连续漏极电流Id | 9A |
Pd-功率耗散(Max) | 178W |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 860mΩ@10V |
VGS(th) | 4.5 |
Ciss(pF) | 630 |
Coss(pF) | 98 |
Crss(pF) | 5.7 |
Qg*(nC) | 13.1* |
Qgd(nC) | 4.8 |
Td(on)(ns) | 17 |
Td(off)(ns) | 25 |
Trr(ns) | 332 |
Qrr(nC) | 3500 |