| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | 功率MOSFET |
| 型号编码 | AOI4T60P |
| 说明 | 功率MOSFET TO-251 |
| 起订量 | 80 |
| 最小包 | 80 |
| 现货 | 583 [库存更新时间：2025-04-21] |
| 连续漏极电流Id | 4A(Tc) |
| FET类型 | N-Channel |
| 栅极电压Vgs | ±30V |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 2.1 Ω @ 2A,10V |
| 栅极电荷Qg | 15nC @ 10V |
| 封装/外壳 | TO-251 |
| Pd-功率耗散(Max) | 83W(Tc) |
| 工作温度 | -50°C ~ 150°C(TJ) |
| 漏源极电压Vds | 600V |
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