参数	值
产品	未分类
型号编码	AO4622
说明	未分类   8-SOIC(0.154",3.90mm宽) 8-SOIC SO8
品牌	AOS(万国半导体)
起订量	3000
最小包	3000
现货	6376 [库存更新时间：2025-04-06]
FET类型	N+P-Channel
FET类型	逻辑电平门
漏源极电压Vds	20V
Rds On(Max)@Id,Vgs	23 毫欧 @ 7.3A,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	18nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	1100pF @ 10V
功率	2W
工作温度	-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
封装/外壳	8-SOIC
安装	SMD
封装/外壳	SO8
开启状态电阻	23m Ohms
晶体管种类	补充
FET类型	N/P-MOSFET
极化	单极
栅极-源极电压	±16/±12V
漏极-源极电压	20/-20V
漏极电流	6.2/-4.2A
耗电	1.44W