参数 | 值 |
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产品 | 未分类 |
型号编码 | AO4286 |
说明 | 未分类 SO-8 |
品牌 | AOS(万国半导体) |
起订量 | 1 |
最小包 | 3000 |
现货 | 3248 [库存更新时间:2025-04-02] |
封装/外壳 | SO-8 |
FET类型 | N-Channel |
ESD Diode | No |
Schottky Diode | No |
漏源极电压Vds | 100V |
栅极电压Vgs | 20V |
连续漏极电流Id | 4A |
Pd-功率耗散(Max) | 2.5W |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 68mΩ@10V |
Rds On(Max)@4.5V | 92mΩ |
VGS(th) | 2.9 |
Ciss(pF) | 390 |
Coss(pF) | 30 |
Crss(pF) | 3 |
Qg*(nC) | 2.8 |
Qgd(nC) | 1.2 |
Td(on)(ns) | 6 |
Td(off)(ns) | 18 |
Trr(ns) | 15 |
Qrr(nC) | 53 |