IC普拉斯 元器件现货
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| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 门驱动器 | IR3579MTRPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-IQFN-30 接口:PWM 负载类型:电感 电流 - 输出/通道:60A 电压 - 电源:4.5 V ~ 7 V 电压 - 负载:4.5 V ~ 15 V 故障保护:限流,超温,过压,UVLO 系列:PowIRstage® 电流-输出/通道:60A 电压-电源:4.5 V ~ 7 V 电压-负载:4.5 V ~ 15 V |
| 门驱动器 | IR3575MTRPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PQFN 6X6 32L 输出配置:半桥 接口:PWM 负载类型:电感 电流 - 输出/通道:60A 电流 - 峰值输出:90A 电压 - 电源:4.5 V ~ 7 V 电压 - 负载:4.5 V ~ 15 V 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 故障保护:超温,UVLO 系列:PowIRstage® 电流-输出/通道:60A 电流-峰值输出:90A 电压-电源:4.5 V ~ 7 V 电压-负载:4.5 V ~ 15 V |
| 门驱动器 | AUIR3313S | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-TO263-5 输出数:1 Ohms 比率 - 输入:输出:1：1 输出配置:高端 输出类型:N 通道 接口:开/关 电压 - 负载:6 V ~ 32 V 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:不需要 电流 - 输出（最大值）:23A 导通电阻（典型值）:5.5 毫欧 输入类型:非反相 故障保护:限流(可调),超温 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) |
| 门驱动器 | AUIRS2191S | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-DSO-16 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:3.5A,3.5A 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:15ns,15ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) |
| 门驱动器 | AUIRS2336S | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC28W 驱动配置:半桥 FET类型:3 相 驱动器数:6 栅极类型:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:200mA,350mA 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:125ns,50ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) |
| 门驱动器 | IR2136PBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PDIP28 驱动配置:半桥 FET类型:3 相 驱动器数:6 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,3V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:200mA,350mA 输入类型:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:125ns,50ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,3V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:200mA,350mA 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IR2520DSTRPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 8N FET类型:镇流器控制器 频率:34kHz ~ 86kHz 电压 - 电源:11.4 V ~ 15.4 V 电流 - 电源:10mA 调光:无 工作温度:-25°C ~ 125°C 电压-电源:11.4 V ~ 15.4 V 电流-电源:10mA 激励器数量:1Driver 输出电流:230mA 上升时间:150ns 下降时间:75ns 电源电压-最大:15.4V 电源电压-最小:12.6V 工作电源电流(mA):10mA 工作电源电压:14V 功率:5/8W |
| 门驱动器 | IR2213PBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PDIP14 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:12 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:6V,9.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A,2.5A 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:1200V 上升/下降时间（典型值）:25ns,17ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:12 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:6V,9.5V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:2A,2.5A 高压侧电压-最大值（自举）:1200V |
| 门驱动器 | IR2118STRPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 8N 驱动配置:高压侧 FET类型:单路 驱动器数:1 Ohms 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:6V,9.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:250mA,500mA 输入类型:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:80ns,40ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:6V,9.5V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:250mA,500mA 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IR2108STRPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 8N 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.9V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:200mA,350mA 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:150ns,50ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,2.9V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:200mA,350mA 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IR2010STRPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 16W 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:6V,9.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:3A,3A 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:200V 上升/下降时间（典型值）:10ns,15ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:6V,9.5V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:3A,3A 高压侧电压-最大值（自举）:200V |
| 门驱动器 | IR2181SPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 8N 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.7V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.9A,2.3A 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:40ns,20ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) |
| 门驱动器 | IR2153PBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PDIP8 驱动配置:半桥 FET类型:同步 驱动器数:2 栅极类型:N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 15.6 V 输入类型:RC 输入电路 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:80ns,45ns 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 电压-电源:10 V ~ 15.6 V 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IR4427PBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PDIP8 驱动配置:低压侧 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:6 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.7V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2.3A,3.3A 输入类型:非反相 上升/下降时间（典型值）:15ns,10ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:6 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,2.7V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:2.3A,3.3A |
| 门驱动器 | IR25601SPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 8N 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.3V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:60mA,130mA 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:200ns,100ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,2.3V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:60mA,130mA 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IR2010SPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 16W 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:6V,9.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:3A,3A 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:200V 上升/下降时间（典型值）:10ns,15ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:6V,9.5V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:3A,3A 高压侧电压-最大值（自举）:200V |
| 门驱动器 | IR25602STRPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 8N 驱动配置:半桥 FET类型:同步 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,3V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:210mA,360mA 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:100ns,50ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,3V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:210mA,360mA 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IR21365SPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 28W 驱动配置:半桥 FET类型:3 相 驱动器数:6 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:12 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,3V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:200mA,350mA 输入类型:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:125ns,50ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:12 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,3V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:200mA,350mA 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IR2103STRPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 8N 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,3V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:210mA,360mA 输入类型:反相,非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:100ns,50ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,3V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:210mA,360mA 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IR3598MTRPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:MLPQ 3X3 16L 驱动配置:半桥 FET类型:同步 驱动器数:4 栅极类型:N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:4.5 V ~ 5.5 V 输入类型:非反相 上升/下降时间（典型值）:15ns,12ns 工作温度:0°C ~ 85°C(TA) 电压-电源:4.5 V ~ 5.5 V |
| 门驱动器 | IR3553MTRPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-IQFN-25 输出配置:半桥 接口:PWM 负载类型:电感 电流 - 输出/通道:40A 电流 - 峰值输出:60A 电压 - 电源:4.5 V ~ 7 V 电压 - 负载:4.5 V ~ 15 V 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 故障保护:超温,UVLO 系列:PowIRstage® 电流-输出/通道:40A 电流-峰值输出:60A 电压-电源:4.5 V ~ 7 V 电压-负载:4.5 V ~ 15 V |
| 门驱动器 | IR44273LTRPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOT23 驱动配置:低压侧 FET类型:单路 驱动器数:1 Ohms 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:5 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.6V,2.7V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.5A,1.5A 输入类型:非反相 上升/下降时间（典型值）:10ns,10ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 系列:µHVIC™ 电压-电源:5 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.6V,2.7V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:1.5A,1.5A |
| 门驱动器 | IR2104PBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PDIP8 驱动配置:半桥 FET类型:同步 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,3V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:210mA,360mA 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:100ns,50ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,3V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:210mA,360mA 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IR2213STRPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 16W 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:12 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:6V,9.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A,2.5A 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:1200V 上升/下降时间（典型值）:25ns,17ns 工作温度:125°C(TJ) 电压-电源:12 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:6V,9.5V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:2A,2.5A 高压侧电压-最大值（自举）:1200V |
| 门驱动器 | IR2213STRPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 16W 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:12 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:6V,9.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A,2.5A 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:1200V 上升/下降时间（典型值）:25ns,17ns 工作温度:125°C(TJ) 电压-电源:12 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:6V,9.5V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:2A,2.5A 高压侧电压-最大值（自举）:1200V |
| 门驱动器 | IRS2336SPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 28W 驱动配置:半桥 FET类型:3 相 驱动器数:6 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:200mA,350mA 输入类型:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:125ns,50ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:200mA,350mA 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IRS2113MTRPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:MLPQ 4X4 14L 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:6V,9.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2.5A,2.5A 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:25ns,17ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:6V,9.5V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:2.5A,2.5A 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IRS21864SPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 14N 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:4A,4A 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:22ns,18ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:4A,4A 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IRS2181STRPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 8N 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.9A,2.3A 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:40ns,20ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:1.9A,2.3A 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IRS2183STRPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 8N 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.9A,2.3A 输入类型:反相,非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:40ns,20ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:1.9A,2.3A 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IRS2183SPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 8N 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.9A,2.3A 输入类型:反相,非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:40ns,20ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:1.9A,2.3A 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IRS2336SPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 28W 驱动配置:半桥 FET类型:3 相 驱动器数:6 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:200mA,350mA 输入类型:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:125ns,50ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:200mA,350mA 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IRS21844SPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 14N 驱动配置:半桥 FET类型:同步 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.9A,2.3A 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:40ns,20ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:1.9A,2.3A 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IRS2336DSPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 28W 驱动配置:半桥 FET类型:3 相 驱动器数:6 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:200mA,350mA 输入类型:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:125ns,50ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:200mA,350mA 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IRS2112SPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 16W 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:6V,9.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA,600mA 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:75ns,35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:6V,9.5V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:290mA,600mA 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | L6388ED013TR | ST(意法半导体) | 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压-电源:17V(最大) 逻辑电压 -VIL，VIH:1.1V,1.8V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:400mA,650mA 输入类型:反相 高压侧电压-最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:70ns,40ns 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:8-SO 配置:Non-Inverting 工作电源电压:15 V 输出电流:650 mA 上升时间:70 ns 下降时间:40 ns 电源电压-最大:17 V 电源电压-最小:- 0.3 V 电源电流:0.45 mA 功率:3/4W |
| 门驱动器 | IRS2113PBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PDIP14 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:6V,9.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2.5A,2.5A 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:25ns,17ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:6V,9.5V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:2.5A,2.5A 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IRS2106PBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PDIP8 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA,600mA 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:100ns,35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:290mA,600mA 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IRS2003SPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 8N 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA,600mA 输入类型:反相,非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:200V 上升/下降时间（典型值）:70ns,35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:290mA,600mA 高压侧电压-最大值（自举）:200V |
| 门驱动器 | IRS2011STRPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 8N 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.7V,2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1A,1A 输入类型:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:200V 上升/下降时间（典型值）:25ns,15ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.7V,2.5V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:1A,1A 高压侧电压-最大值（自举）:200V |
| 门驱动器 | IRS2101SPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 8N 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA,600mA 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:70ns,35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:290mA,600mA 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IRS2304SPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 8N 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.7V,2.3V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA,600mA 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:70ns,35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.7V,2.3V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:290mA,600mA 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IRS2304PBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PDIP8 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.7V,2.3V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA,600mA 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:70ns,35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.7V,2.3V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:290mA,600mA 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IRS2104PBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PDIP8 驱动配置:半桥 FET类型:同步 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA,600mA 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:70ns,35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:290mA,600mA 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IRS2003PBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PDIP8 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA,600mA 输入类型:反相,非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:200V 上升/下降时间（典型值）:70ns,35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:290mA,600mA 高压侧电压-最大值（自举）:200V |
| 门驱动器 | IRS2301STRPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 8N 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:5 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:200mA,350mA 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:130ns,50ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:5 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:200mA,350mA 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IRS26302DJPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PLCC44 驱动配置:半桥 FET类型:3 相 驱动器数:6 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:200mA,350mA 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:125ns,50ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:200mA,350mA 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IRS2336DSTRPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 28W 驱动配置:半桥 FET类型:3 相 驱动器数:6 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:200mA,350mA 输入类型:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:125ns,50ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:200mA,350mA 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IRS2336DSPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 28W 驱动配置:半桥 FET类型:3 相 驱动器数:6 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:200mA,350mA 输入类型:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:125ns,50ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:200mA,350mA 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IRS21531DSPBF | Infineon(英飞凌) | 驱动配置:半桥 FET类型:同步 驱动器数:2 栅极类型:N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 15.4 V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:180mA,260mA 输入类型:RC 输入电路 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:120ns,50ns 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:SOIC 8N 电压-电源:10 V ~ 15.4 V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:180mA,260mA 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IRS25752LTRPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOT23 驱动配置:高压侧 FET类型:单路 驱动器数:1 Ohms 栅极类型:N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 18 V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:160mA,240mA 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:85ns,40ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 系列:µHVIC™ 电压-电源:10 V ~ 18 V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:160mA,240mA 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IRS44273LTRPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOT23 驱动配置:低压侧 FET类型:单路 驱动器数:1 Ohms 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10.2 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.5A,1.5A 输入类型:非反相 上升/下降时间（典型值）:25ns,25ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 系列:µHVIC™ 电压-电源:10.2 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:1.5A,1.5A |
| 门驱动器 | IRS2304STRPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 8N 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.7V,2.3V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA,600mA 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:70ns,35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.7V,2.3V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:290mA,600mA 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | AUIR3314 | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:TO220COPAK 输出数:1 Ohms 比率 - 输入:输出:1：1 输出配置:高端 输出类型:N 通道 接口:开/关 电压 - 负载:6 V ~ 32 V 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:不需要 电流 - 输出（最大值）:18A 导通电阻（典型值）:9 毫欧 输入类型:非反相 故障保护:限流(可调),超温 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) |
| 门驱动器 | IR2118STRPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 8N 驱动配置:高压侧 FET类型:单路 驱动器数:1 Ohms 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:6V,9.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:250mA,500mA 输入类型:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:80ns,40ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:6V,9.5V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:250mA,500mA 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IR2101STRPBF | Infineon(英飞凌) | 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,3V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:210mA,360mA 输入类型:非反相 高压侧电压-最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:100ns,50ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOIC 8N |
| 门驱动器 | IR2130SPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 28W 驱动配置:半桥 FET类型:3 相 驱动器数:6 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:250mA,500mA 输入类型:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:80ns,35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,2.2V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:250mA,500mA 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IR2121PBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PDIP8 驱动配置:低压侧 FET类型:单路 驱动器数:1 Ohms 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:12 V ~ 18 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.6A,3.3A 输入类型:非反相 上升/下降时间（典型值）:43ns,26ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:12 V ~ 18 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,2.2V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:1.6A,3.3A |
| 门驱动器 | IR2101SPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 8N 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,3V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:210mA,360mA 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:100ns,50ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,3V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:210mA,360mA 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IR2108SPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 8N 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.9V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:200mA,350mA 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:150ns,50ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) |
| 门驱动器 | IR2181SPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 8N 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.7V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.9A,2.3A 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:40ns,20ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) |
| 门驱动器 | IR2136JPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PLCC44 驱动配置:半桥 FET类型:3 相 驱动器数:6 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,3V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:200mA,350mA 输入类型:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:125ns,50ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,3V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:200mA,350mA 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IR2118SPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 8N 驱动配置:高压侧 FET类型:单路 驱动器数:1 Ohms 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:6V,9.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:250mA,500mA 输入类型:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:80ns,40ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:6V,9.5V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:250mA,500mA 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IR2117STRPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 8N 驱动配置:高压侧 FET类型:单路 驱动器数:1 Ohms 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:6V,9.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:250mA,500mA 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:80ns,40ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:6V,9.5V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:250mA,500mA 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IR2101STRPBF | Infineon(英飞凌) | 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,3V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:210mA,360mA 输入类型:非反相 高压侧电压-最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:100ns,50ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOIC 8N |
| 门驱动器 | IR2213SPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 16W 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:12 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:6V,9.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A,2.5A 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:1200V 上升/下降时间（典型值）:25ns,17ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:12 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:6V,9.5V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:2A,2.5A 高压侧电压-最大值（自举）:1200V |
| 门驱动器 | IR2127SPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 8N 驱动配置:高压侧或低压侧 FET类型:单路 驱动器数:1 Ohms 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:12 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,3V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:250mA,500mA 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:80ns,40ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:12 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,3V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:250mA,500mA 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IR21834STRPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 14N 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.7V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.9A,2.3A 输入类型:反相,非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:40ns,20ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,2.7V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:1.9A,2.3A 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IR2011PBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PDIP8 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.7V,2.2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1A,1A 输入类型:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:200V 上升/下降时间（典型值）:35ns,20ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.7V,2.2V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:1A,1A 高压侧电压-最大值（自举）:200V |
| 门驱动器 | IR2110SPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 16W 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:3.3 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:6V,9.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A,2A 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:500V 上升/下降时间（典型值）:25ns,17ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) |
| 门驱动器 | IR2106STRPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 8N 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.9V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:200mA,350mA 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:150ns,50ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,2.9V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:200mA,350mA 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IR3578MTRPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-IQFN-30 接口:PWM 负载类型:电感 电流 - 输出/通道:50A 电压 - 电源:4.5 V ~ 7 V 电压 - 负载:4.5 V ~ 15 V 故障保护:限流,超温,过压,UVLO 系列:PowIRstage® 电流-输出/通道:50A 电压-电源:4.5 V ~ 7 V 电压-负载:4.5 V ~ 15 V |
| 门驱动器 | IR2133STRPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 28W 驱动配置:半桥 FET类型:3 相 驱动器数:6 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:250mA,500mA 输入类型:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:90ns,40ns 工作温度:125°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,2.2V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:250mA,500mA 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IR25603PBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PDIP8 驱动配置:半桥 FET类型:同步 驱动器数:2 栅极类型:N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 15.6 V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:180mA,260mA 输入类型:RC 输入电路 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:80ns,45ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 15.6 V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:180mA,260mA 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IR2304STRPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 8N 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.3V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:60mA,130mA 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:200ns,100ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,2.3V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:60mA,130mA 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IR2233JTRPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PLCC44 驱动配置:半桥 FET类型:3 相 驱动器数:6 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:250mA,500mA 输入类型:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:1200V 上升/下降时间（典型值）:90ns,40ns 工作温度:125°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,2V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:250mA,500mA 高压侧电压-最大值（自举）:1200V |
| 门驱动器 | IR2183SPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 8N 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.7V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.9A,2.3A 输入类型:反相,非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:40ns,20ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) |
| 门驱动器 | IRS2106STRPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 8N 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA,600mA 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:100ns,35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:290mA,600mA 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IRS2112STRPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 16W 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:6V,9.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA,600mA 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:75ns,35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:6V,9.5V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:290mA,600mA 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IRS2103STRPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 8N 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA,600mA 输入类型:反相,非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:70ns,35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:290mA,600mA 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IRS2109STRPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 8N 驱动配置:半桥 FET类型:同步 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA,600mA 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:100ns,35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:290mA,600mA 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IRS2104SPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 8N 驱动配置:半桥 FET类型:同步 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA,600mA 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:70ns,35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:290mA,600mA 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IRS2101PBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PDIP8 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA,600mA 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:70ns,35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:290mA,600mA 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IRS21084SPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 14N 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA,600mA 输入类型:反相,非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:100ns,35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:290mA,600mA 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IRS2108PBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PDIP8 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA,600mA 输入类型:反相,非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:100ns,35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:290mA,600mA 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IRS2184STRPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 8N 驱动配置:半桥 FET类型:同步 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.9A,2.3A 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:40ns,20ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:1.9A,2.3A 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IRS2181STRPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 8N 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.9A,2.3A 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:40ns,20ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:1.9A,2.3A 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IRS2186SPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 8N 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:4A,4A 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:22ns,18ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:4A,4A 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | AUIRS2113S | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC16W 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:3 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:6V,9.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2.5A,2.5A 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:25ns,15ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) |
| 门驱动器 | IR25600STRPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 8N 驱动配置:低压侧 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:6 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.7V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2.3A,3.3A 输入类型:非反相 上升/下降时间（典型值）:15ns,10ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:6 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,2.7V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:2.3A,3.3A |
| 门驱动器 | IR2104PBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PDIP8 驱动配置:半桥 FET类型:同步 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,3V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:210mA,360mA 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:100ns,50ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,3V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:210mA,360mA 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IR2302PBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PDIP8 驱动配置:半桥 FET类型:同步 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:5 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.9V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:200mA,350mA 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:130ns,50ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:5 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,2.9V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:200mA,350mA 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IR2110SPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 16W 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:3.3 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:6V,9.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A,2A 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:500V 上升/下降时间（典型值）:25ns,17ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) |
| 门驱动器 | IR2110SPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 16W 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:3.3 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:6V,9.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A,2A 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:500V 上升/下降时间（典型值）:25ns,17ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) |
| 门驱动器 | IR2104SPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 8N 驱动配置:半桥 FET类型:同步 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,3V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:210mA,360mA 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:100ns,50ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) |
| 门驱动器 | IR2125SPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 16W 驱动配置:高压侧 FET类型:单路 驱动器数:1 Ohms 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:0 V ~ 18 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.6A,3.3A 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:500V 上升/下降时间（典型值）:43ns,26ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:0 V ~ 18 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,2.2V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:1.6A,3.3A 高压侧电压-最大值（自举）:500V |
| 门驱动器 | IR21844STRPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 14N 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.7V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.9A,2.3A 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:40ns,20ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,2.7V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:1.9A,2.3A 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IR2131STRPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 28W 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:6 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:250mA,500mA 输入类型:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:80ns,40ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,2.2V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:250mA,500mA 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IR21814STRPBF | Infineon(英飞凌) | 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,2.7V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:1.9A,2.3A 输入类型:非反相 高压侧电压-最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:40ns,20ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOIC 14N |
| 门驱动器 | IR21084SPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 14N 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.9V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:200mA,350mA 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:150ns,50ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,2.9V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:200mA,350mA 高压侧电压-最大值（自举）:600V |