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    移位寄存器 74AHC595BQ,115 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT763 传播延迟时间:4.0ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:59,90 电源电压:2.0 - 5.5 输出电流:± 8mA 通道数:8 逻辑切换水平:CMOS 频率最大值:170MHz
    移位寄存器 74AHCT164BQ,115 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT762 传播延迟时间:3.4ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:70,103 电源电压:4.5 - 5.5 输出电流:± 8mA 通道数:8 逻辑切换水平:TTL 频率最大值:115MHz
    移位寄存器 74HC595D,118 Nexperia(安世) 传播延迟时间:16ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:49,90 电源电压:2.0 - 6.0 输出电流:± 7.8mA 通道数:8 逻辑切换水平:CMOS 频率最大值:108MHz
    移位寄存器 74HC594D,112 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:14ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:86,45 电源电压:2.0 - 6.0 输出电流:± 7.8mA 通道数:8 逻辑切换水平:CMOS 频率最大值:109MHz
    移位寄存器 74HC595D-Q100,118 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:16ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:90,49 电源电压:2.0 - 6.0 输出电流:± 7.8mA 逻辑切换水平:CMOS 频率最大值:108MHz
    移位寄存器 74HCT164PW,118 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT402 传播延迟时间:20ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:66,140 电源电压:4.5 - 5.5 输出电流:± 4mA 通道数:8 逻辑切换水平:TTL 频率最大值:55MHz
    移位寄存器 74HC595PW,118 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT403 传播延迟时间:16ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:52.2,123 电源电压:2.0 - 6.0 输出电流:± 7.8mA 通道数:8 逻辑切换水平:CMOS 频率最大值:108MHz
    移位寄存器 74HCT166D,653 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:23ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:76,34 电源电压:4.5 - 5.5 输出电流:± 4mA 通道数:8 逻辑切换水平:TTL 频率最大值:50MHz
    移位寄存器 74HCT165PW,112 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT403 传播延迟时间:15ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:123,52.9 电源电压:4.5 - 5.5 输出电流:± 4mA 通道数:8 逻辑切换水平:TTL 频率最大值:48MHz
    移位寄存器 74HCT595D,118 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:25ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:90,49.3 电源电压:4.5 - 5.5 输出电流:± 6mA 通道数:8 逻辑切换水平:TTL 频率最大值:57MHz
    移位寄存器 74HCT595D,112 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:25ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:49.3,90 电源电压:4.5 - 5.5 输出电流:± 6mA 通道数:8 逻辑切换水平:TTL 频率最大值:57MHz
    移位寄存器 74HCT595D,112 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:25ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:49.3,90 电源电压:4.5 - 5.5 输出电流:± 6mA 通道数:8 逻辑切换水平:TTL 频率最大值:57MHz
    移位寄存器 74LV4094PW,118 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT403 传播延迟时间:14ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:115,44 电源电压:1.0 - 3.6 输出电流:± 6mA 通道数:8 逻辑切换水平:TTL 频率最大值:95MHz
    移位寄存器 74LV165APW,118 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT403 传播延迟时间:7.5ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:124,53.9 电源电压:1.0 - 5.5 输出电流:± 12mA 通道数:8 逻辑切换水平:TTL 频率最大值:115MHz
    移位寄存器 74LV595D,118 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:15ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:79,38.3 电源电压:1.0 - 3.6 输出电流:± 8mA 通道数:8 逻辑切换水平:TTL 频率最大值:77MHz
    移位寄存器 74LVC594APW,112 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT403 传播延迟时间:3.1ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:124,53.9 电源电压:1.2 - 5.5 输出电流:± 24mA 通道数:8 逻辑切换水平:CMOS/LVTTL 频率最大值:180MHz
    移位寄存器 74LVC595APW,118 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT403 传播延迟时间:4.0ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:53.9,124 电源电压:1.2 - 5.5 输出电流:± 24mA 通道数:8 逻辑切换水平:CMOS/LVTTL 频率最大值:180MHz
    移位寄存器 NPIC6C595PW-Q100,1 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT403 传播延迟时间:90ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:119,47 电源电压:4.5 - 5.5 输出电流:100mA 逻辑切换水平:CMOS 频率最大值:10MHz

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