产品 |
型号 |
品牌 |
参数 |
模拟比较器 |
LM239ADT |
ST(意法半导体) |
元件数:4 输出类型:CMOS,DTL,ECL,MOS,开路集电极,TTL 电压-电源,单/双(±):2 V ~ 32 V,±1 V ~ 16 V 电压-输入失调(最大值):2mV @ 30V 电流-输入偏置(最大值):0.1µA @ 5V 电流-输出(典型值):16mA @ 5V 电流-静态(最大值):2mA 工作温度:-40°C ~ 105°C 封装/外壳:14-SO |
模拟比较器 |
TS339IDT |
ST(意法半导体) |
元件数:4 输出类型:CMOS,开路漏极 电压-电源,单/双(±):2.7 V ~ 16 V,±1.35 V ~ 8 V 电压-输入失调(最大值):5mV @ 10V 电流-输入偏置(最大值):1pA @ 5V 电流-输出(典型值):20mA 电流-静态(最大值):25µA CMRR,PSRR(典型值):75dB CMRR 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:14-SO |
模拟比较器 |
LMV393S-13 |
Diodes(达尔(美台)) |
元件数:2 输出类型:开路集电极 电压-电源,单/双(±):2.7 V ~ 5.5 V 电压-输入失调(最大值):7mV @ 5V 电流-输入偏置(最大值):250nA @ 5V 电流-输出(典型值):84mA @ 5V 电流-静态(最大值):200µA 传播延迟(最大值):450ns 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:8-SO |
模拟比较器 |
AS393MTR-G1 |
Diodes(达尔(美台)) |
系列:AS 元件数:2 输出类型:开路集电极 电压-电源,单/双(±):2 V ~ 36 V,±1 V ~ 18 V 电压-输入失调(最大值):5mV @ 5V 电流-输入偏置(最大值):250nA @ 5V 电流-输出(典型值):16mA @ 5V 电流-静态(最大值):1mA 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC |
模拟比较器 |
AP331AWRG-7 |
Diodes(达尔(美台)) |
元件数:1 Ohms 输出类型:CMOS,DTL,ECL,MOS,开路集电极,TTL 电压-电源,单/双(±):2 V ~ 36 V,±1 V ~ 18 V 电压-输入失调(最大值):8mV @ 5V 电流-输入偏置(最大值):0.4µA @ 5V 电流-输出(典型值):16mA @ 5V 电流-静态(最大值):2.5mA 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:SOT25R |
模拟比较器 |
LM2903DMR2G |
ON(安森美) |
元件数:2 输出类型:CMOS,DTL,ECL,MOS,开路集电极,TTL 电压-电源,单/双(±):2 V ~ 36 V,±1 V ~ 18 V 电压-输入失调(最大值):7mV @ 30V 电流-输入偏置(最大值):0.25µA @ 5V 电流-输出(典型值):16mA @ 5V 电流-静态(最大值):2.5mA 工作温度:-40°C ~ 105°C 电流 - 输出(典型值):16mA @ 5V 电流 - 静态(最大值):2.5mA 封装/外壳:8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽) 电压 - 电源,单/双(±):2 V ~ 36 V,±1 V ~ 18 V 电压 - 输入失调(最大值):7mV @ 30V 电流 - 输入偏置(最大值):0.25µA @ 5V |
模拟比较器 |
LM311DT |
ST(意法半导体) |
元件数:1 Ohms 输出类型:DTL,MOS,开路集电极,开路发射极,RTL,TTL 电压-电源,单/双(±):5 V ~ 30 V,±2.5 V ~ 15 V 电压-输入失调(最大值):7.5mV @ ±15V 电流-输入偏置(最大值):0.25µA @ ±15V 电流-输出(典型值):50mA 电流-静态(最大值):7.5mA 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:8-SO |
模拟比较器 |
LMV331SE-7 |
Diodes(达尔(美台)) |
元件数:1 Ohms 输出类型:开路集电极 电压-电源,单/双(±):2.7 V ~ 5.5 V 电压-输入失调(最大值):7mV @ 5V 电流-输入偏置(最大值):250nA @ 5V 电流-输出(典型值):84mA @ 5V 电流-静态(最大值):120µA 传播延迟(最大值):450ns 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:SOT-353 |
模拟比较器 |
LM2901QS14-13 |
Diodes(达尔(美台)) |
电流 - 静态(最大值):2.5mA 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:14-SOIC(0.154",3.90mm 宽) FET类型:差分 元件数:4 输出类型:CMOS,TTL 电压 - 电源,单/双(±):2 V ~ 36 V,±1 V ~ 18 V 电压 - 输入失调(最大值):7mV @ 5V 电流 - 输入偏置(最大值):250nA @ 5V 电流 - 输出(典型值):16mA @ 5V |
模拟比较器 |
AS393MTR-E1 |
Diodes(达尔(美台)) |
系列:AS 电源电压-最小:2 V 电源电压-最大:36 V 功率:0.66W 通道数量:2 Channel 工作电源电流(mA):1.7 mA Ib-输入偏流:250 nA 元件数:2 输出类型:开路集电极 电压-电源,单/双(±):2 V ~ 36 V,±1 V ~ 18 V 电压-输入失调(最大值):5mV @ 5V 电流-输入偏置(最大值):250nA @ 5V 电流-输出(典型值):16mA @ 5V 电流-静态(最大值):1mA 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC |