| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | 通用三极管 |
| 型号编码 | BCR583E6327HTSA1 |
| 说明 | 通用三极管 SOT23 SOT-23 PG-SOT23-3 |
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| 起订量 | 0 |
| 最小包 | 0 |
| 现货 | 290 [库存更新时间:2026-02-09] |
| FET类型 | PNP - 预偏压 |
| 电阻器-发射极基底(R2)(欧姆) | 10k |
| 不同 Ic,Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 70 @ 50mA,5V |
| 不同 Ib,Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 300mV @ 2.5mA,50mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) |
| 频率-跃迁 | 150MHz |
| Power-Max | 330mW |
| 封装/外壳 | SOT23 |
| 封装/外壳 | SOT-23 |
| FET类型 | P-Channel |
| 集电极最大允许电流Ic | 500mA |
| 集电极_发射极击穿电压VCEO | 50V |
| 电流 - 集电极(Ic)(最大值) | 500mA |
| 电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电阻器 - 基底(R1) | 10 kOhms |
| 电阻器 - 发射极基底(R2) | 10 kOhms |
| 功率 | 1/3W |
| 封装/外壳 | PG-SOT23-3 |


