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    未分类 BYW29EX-200.127 WeEn(瑞能) If 条件下正向电压:0.8V 二极管类型:整流 关闭状态最大电压:200V 加载电流:8A 包装类型:管 半导体结构:单二极管 半导体设备特性:超快二极管 反向恢复时间:25ns 安装:THT 封装/外壳:TO220F-2 最大加载电流:16A 最大正向脉冲电流:88A
    未分类 BYW29ED-200.118 WeEn(瑞能) If 条件下正向电压:0.8V 二极管类型:整流 关闭状态最大电压:200V 加载电流:8A 包装类型:卷 包装类型:胶带 半导体结构:单二极管 半导体设备特性:超快二极管 反向恢复时间:25ns 安装:SMD 封装/外壳:DPAK 最大加载电流:16A 最大正向脉冲电流:80A
    未分类 BYW29E-200.127 WeEn(瑞能) If 条件下正向电压:0.8V 二极管类型:整流 关闭状态最大电压:200V 加载电流:8A 包装类型:管 半导体结构:单二极管 半导体设备特性:超快二极管 反向恢复时间:25ns 安装:THT 封装/外壳:TO220AC 散热片厚度:1.15...1.4mm 最大加载电流:16A 最大正向脉冲电流:88A
    未分类 BYW29E-150.127 WeEn(瑞能) If 条件下正向电压:0.8V 二极管类型:整流 关闭状态最大电压:150V 加载电流:8A 包装类型:管 半导体结构:单二极管 半导体设备特性:超快二极管 反向恢复时间:25ns 安装:THT 封装/外壳:TO220AC 散热片厚度:1.15...1.4mm 最大加载电流:16A 最大正向脉冲电流:88A
    未分类 BYV79E-200.127 WeEn(瑞能) If 条件下正向电压:0.83V 二极管类型:整流 关闭状态最大电压:200V 加载电流:14A 包装类型:管 半导体结构:单二极管 半导体设备特性:超快二极管 反向恢复时间:30ns 安装:THT 封装/外壳:TO220AC 散热片厚度:max 1.3mm 最大加载电流:28A 最大正向脉冲电流:160A
    未分类 BYV60W-600PQ WeEn(瑞能) 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:60A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:2V @ 60A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间（trr）:55ns 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 600V 封装/外壳:TO-247-2 封装/外壳:TO-247-2 工作温度 - 结:175°C(最大)
    未分类 BYV44-500.127 WeEn(瑞能) If 条件下正向电压:1.15V 二极管类型:整流 关闭状态最大电压:500V 加载电流:30A 包装类型:管 半导体结构:公共阴极 半导体结构:双 半导体设备特性:超快二极管 反向恢复时间:60ns 安装:THT 封装/外壳:TO220AB 散热片厚度:max 1.3mm 最大正向脉冲电流:150A
    未分类 BYV42E-200.127 WeEn(瑞能) If 条件下正向电压:1V 二极管类型:整流 关闭状态最大电压:200V 加载电流:30A 包装类型:管 半导体结构:公共阴极 半导体结构:双 半导体设备特性:超快二极管 反向恢复时间:28ns 安装:THT 封装/外壳:TO220AB 散热片厚度:max 1.3mm 最大正向脉冲电流:150A
    未分类 BYV42E-200.127 WeEn(瑞能) If 条件下正向电压:1V 二极管类型:整流 关闭状态最大电压:200V 加载电流:30A 包装类型:管 半导体结构:公共阴极 半导体结构:双 半导体设备特性:超快二极管 反向恢复时间:28ns 安装:THT 封装/外壳:TO220AB 散热片厚度:max 1.3mm 最大正向脉冲电流:150A
    未分类 BYV415J-600P WeEn(瑞能) If 条件下正向电压:1.4V 二极管类型:整流 关闭状态最大电压:600V 加载电流:15A 包装类型:管 半导体结构:公共阴极 半导体结构:双 半导体设备特性:超快二极管 反向恢复时间:106ns 安装:THT 封装/外壳:TOP3PF 最大加载电流:30A 最大正向脉冲电流:150A
    未分类 BYV410X-600PQ WeEn(瑞能) If 条件下正向电压:1.3V 二极管类型:整流 关闭状态最大电压:600V 加载电流:20A 包装类型:管 半导体结构:公共阴极 半导体结构:双 半导体设备特性:超快二极管 反向恢复时间:35ns 安装:THT 封装/外壳:TO220FP 最大正向脉冲电流:120A
    未分类 BYV410X-600.127 WeEn(瑞能) If 条件下正向电压:1.3V 二极管类型:整流 关闭状态最大电压:600V 加载电流:20A 包装类型:管 半导体结构:公共阴极 半导体结构:双 半导体设备特性:超快二极管 反向恢复时间:20ns 安装:THT 封装/外壳:TO220FP 最大正向脉冲电流:137A
    未分类 BYV410-600.127 WeEn(瑞能) If 条件下正向电压:1.3V 二极管类型:整流 关闭状态最大电压:600V 加载电流:10A 包装类型:管 半导体结构:公共阴极 半导体结构:双 半导体设备特性:超快二极管 反向恢复时间:35ns 安装:THT 封装/外壳:TO220AB 散热片厚度:1.25...1.4mm 最大加载电流:20A 最大正向脉冲电流:132A
    未分类 BYV34-500.127 WeEn(瑞能) If 条件下正向电压:0.87V 二极管类型:整流 关闭状态最大电压:500V 加载电流:10A 包装类型:管 半导体结构:公共阴极 半导体结构:双 半导体设备特性:超快二极管 反向恢复时间:60ns 安装:THT 封装/外壳:TO220AB 散热片厚度:1.25...1.4mm 最大加载电流:20A 最大正向脉冲电流:132A
    未分类 BYV34-400.127 WeEn(瑞能)
    未分类 BYV32EB-200.118 WeEn(瑞能) If 条件下正向电压:0.72V 二极管类型:整流 关闭状态最大电压:200V 加载电流:8A 包装类型:卷 包装类型:胶带 半导体结构:公共阴极 半导体结构:双 半导体设备特性:超快二极管 反向恢复时间:25ns 安装:SMD 封装/外壳:D2PAK 最大加载电流:20A 最大正向脉冲电流:137A
    未分类 BYV32EB-200.115 WeEn(瑞能)
    未分类 BYV32E-200.127 WeEn(瑞能) If 条件下正向电压:0.72V 二极管类型:整流 关闭状态最大电压:200V 加载电流:8A 包装类型:管 半导体结构:公共阴极 半导体结构:双 半导体设备特性:超快二极管 反向恢复时间:25ns 安装:THT 封装/外壳:TO220AB 散热片厚度:1.25...1.4mm 最大加载电流:20A 最大正向脉冲电流:137A
    未分类 BYV29FX-600.127 WeEn(瑞能) If 条件下正向电压:1.25V 二极管类型:整流 关闭状态最大电压:600V 加载电流:9A 包装类型:管 半导体结构:单二极管 半导体设备特性:超快二极管 反向恢复时间:35ns 安装:THT 封装/外壳:TO220F-2 最大加载电流:18A 最大正向脉冲电流:100A
    未分类 BYV29FB-600.118 WeEn(瑞能) If 条件下正向电压:1.25V 二极管类型:整流 关闭状态最大电压:600V 加载电流:9A 包装类型:卷 包装类型:胶带 半导体结构:单二极管 半导体设备特性:超快二极管 反向恢复时间:35ns 安装:SMD 封装/外壳:D2PAK 最大加载电流:18A 最大正向脉冲电流:100A
    未分类 BYV29-500.127 WeEn(瑞能) If 条件下正向电压:0.9V 二极管类型:整流 关闭状态最大电压:500V 加载电流:9A 包装类型:管 半导体结构:单二极管 半导体设备特性:超快二极管 反向恢复时间:60ns 安装:THT 封装/外壳:TO220AC 散热片厚度:max 1.3mm 最大加载电流:18A 最大正向脉冲电流:110A
    未分类 BYV29-400.127 WeEn(瑞能) If 条件下正向电压:0.9V 二极管类型:整流 关闭状态最大电压:400V 加载电流:9A 包装类型:管 半导体结构:单二极管 半导体设备特性:超快二极管 反向恢复时间:60ns 安装:THT 封装/外壳:TO220AC 散热片厚度:1.15...1.4mm 最大加载电流:18A 最大正向脉冲电流:110A
    未分类 BYT79-500.127 WeEn(瑞能)
    未分类 BYR29X-600.127 WeEn(瑞能) If 条件下正向电压:1.07V 二极管类型:整流 关闭状态最大电压:600V 加载电流:8A 包装类型:管 半导体结构:单二极管 半导体设备特性:超快二极管 反向恢复时间:75ns 安装:THT 封装/外壳:TO220F-2 最大加载电流:16A 最大正向脉冲电流:66A
    未分类 BYR29-600.127 WeEn(瑞能) If 条件下正向电压:1.07V 二极管类型:整流 关闭状态最大电压:600V 加载电流:8A 包装类型:管 半导体结构:单二极管 半导体设备特性:超快二极管 反向恢复时间:75ns 安装:THT 封装/外壳:TO220AC 散热片厚度:max 1.3mm 最大加载电流:16A 最大正向脉冲电流:66A
    未分类 BYQ30E-200.127 WeEn(瑞能) If 条件下正向电压:0.84V 二极管类型:整流 关闭状态最大电压:200V 加载电流:8A 包装类型:管 半导体结构:公共阴极 半导体结构:双 半导体设备特性:超快二极管 反向恢复时间:25ns 安装:THT 封装/外壳:TO220AB 散热片厚度:1.25...1.4mm 最大加载电流:16A 最大正向脉冲电流:88A
    未分类 BYQ28E-200.127 WeEn(瑞能) If 条件下正向电压:0.8V 二极管类型:整流 关闭状态最大电压:200V 加载电流:5A 包装类型:管 半导体结构:公共阴极 半导体结构:双 半导体设备特性:超快二极管 反向恢复时间:25ns 安装:THT 封装/外壳:TO220AB 散热片厚度:1.25...1.4mm 最大加载电流:10A 最大正向脉冲电流:55A
    未分类 BYC5-600.127 WeEn(瑞能) If 条件下正向电压:1.4V 二极管类型:整流 关闭状态最大电压:600V 加载电流:5A 包装类型:管 半导体结构:单二极管 半导体设备特性:超快二极管 反向恢复时间:50ns 安装:THT 封装/外壳:TO220AC 散热片厚度:1.27...1.39mm 最大加载电流:10A 最大正向脉冲电流:44A
    未分类 BYC30WT-600PQ WeEn(瑞能) 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:30A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:2.75V @ 30A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间（trr）:22ns 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 600V 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247-3 工作温度 - 结:175°C(最大)
    未分类 BYC15X-600PQ WeEn(瑞能) 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:15A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:3.2V @ 15A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间（trr）:18ns 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 600V 封装/外壳:TO-220-2 全封装,隔离接片 封装/外壳:TO-220F 工作温度 - 结:175°C(最大)
    未分类 BYC10B-600.118 WeEn(瑞能) If 条件下正向电压:1.4V 二极管类型:整流 关闭状态最大电压:600V 加载电流:10A 包装类型:卷 包装类型:胶带 半导体结构:单二极管 半导体设备特性:超快二极管 反向恢复时间:55ns 安装:SMD 封装/外壳:D2PAK 最大加载电流:20A 最大正向脉冲电流:71A
    未分类 BTA440Z-800BTQ WeEn(瑞能) 三端双向可控硅类型:标准 电压 - 断态:800V 电流 - 通态（It（RMS））（最大值）:40A 电压 - 栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流 - 不重复浪涌 50，60Hz（Itsm）:400A,440A 电流 - 栅极触发（Igt）（最大值）:50mA 电流 - 保持（Ih）（最大值）:80mA 配置:单一 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-3P-3,SC-65-3 封装/外壳:TO-3P
    未分类 BTA416Y-800C.127 WeEn(瑞能) 关闭状态最大电压:800V 包装类型:管 半导体元件类型:三端双向可控硅开关 半导体设备特性:sensitive gate 安装:THT 封装/外壳:TO220AB 最大加载电流:16A 栅极电流:35mA
    未分类 BTA416Y-600C.127 WeEn(瑞能) 关闭状态最大电压:600V 包装类型:管 半导体元件类型:三端双向可控硅开关 半导体设备特性:sensitive gate 安装:THT 封装/外壳:TO220AB 最大加载电流:16A 栅极电流:35mA
    未分类 BTA410Y-600CT WeEn(瑞能)
    未分类 BTA330Y-800BTQ WeEn(瑞能) 三端双向可控硅类型:标准 电压 - 断态:800V 电流 - 通态（It（RMS））（最大值）:30A 电压 - 栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流 - 不重复浪涌 50，60Hz（Itsm）:270A,297A 电流 - 栅极触发（Igt）（最大值）:50mA 电流 - 保持（Ih）（最大值）:75mA 配置:单一 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 封装/外壳:TO-220AB
    未分类 BTA330X-800BTQ WeEn(瑞能) 三端双向可控硅类型:标准 电压 - 断态:800V 电流 - 通态（It（RMS））（最大值）:30A 电压 - 栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流 - 不重复浪涌 50，60Hz（Itsm）:270A,297A 电流 - 栅极触发（Igt）（最大值）:50mA 电流 - 保持（Ih）（最大值）:75mA 配置:单一 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 全封装,隔离接片 封装/外壳:TO-220F
    TRIAC(双向可控硅) BTA316Y-800CTQ WeEn(瑞能) 关闭状态最大电压:800V 包装类型:管 半导体元件类型:三端双向可控硅开关 半导体设备特性:high temperature 半导体设备特性:sensitive gate 安装:THT 封装/外壳:ITO220AB 最大加载电流:16A 栅极电流:35mA
    TRIAC(双向可控硅) BTA316Y-800BTQ WeEn(瑞能) 关闭状态最大电压:800V 包装类型:管 半导体元件类型:三端双向可控硅开关 半导体设备特性:high temperature 半导体设备特性:sensitive gate 安装:THT 封装/外壳:ITO220AB 最大加载电流:16A 栅极电流:50mA
    未分类 BTA316X-600E/DG.12 WeEn(瑞能) 关闭状态最大电压:600V 包装类型:管 半导体元件类型:三端双向可控硅开关 半导体设备特性:sensitive gate 安装:THT 封装/外壳:TO220FP 最大加载电流:16A 栅极电流:10mA
    未分类 BTA316X-600E.127 WeEn(瑞能) 关闭状态最大电压:600V 包装类型:管 半导体元件类型:三端双向可控硅开关 半导体设备特性:sensitive gate 安装:THT 封装/外壳:TO220FP 最大加载电流:16A 栅极电流:10mA
    未分类 BTA316X-600B.127 WeEn(瑞能)
    未分类 BTA316B-800C.118 WeEn(瑞能) 关闭状态最大电压:800V 包装类型:卷 包装类型:胶带 半导体元件类型:三端双向可控硅开关 半导体设备特性:sensitive gate 安装:SMD 封装/外壳:D2PAK 最大加载电流:16A 栅极电流:35mA
    未分类 BTA316B-600E.118 WeEn(瑞能) 关闭状态最大电压:600V 包装类型:卷 包装类型:胶带 半导体元件类型:三端双向可控硅开关 半导体设备特性:sensitive gate 安装:SMD 封装/外壳:D2PAK 最大加载电流:16A 栅极电流:10mA
    未分类 BTA316B-600C.118 WeEn(瑞能) 关闭状态最大电压:600V 包装类型:卷 包装类型:胶带 半导体元件类型:三端双向可控硅开关 半导体设备特性:sensitive gate 安装:SMD 封装/外壳:D2PAK 最大加载电流:16A 栅极电流:35mA
    未分类 BTA316-800ET.127 WeEn(瑞能) 关闭状态最大电压:800V 包装类型:管 半导体元件类型:三端双向可控硅开关 半导体设备特性:high temperature 半导体设备特性:sensitive gate 安装:THT 封装/外壳:TO220AB 最大加载电流:16A 栅极电流:10mA
    未分类 BTA316-800E.127 WeEn(瑞能) 关闭状态最大电压:800V 包装类型:管 半导体元件类型:三端双向可控硅开关 半导体设备特性:sensitive gate 安装:THT 封装/外壳:TO220AB 最大加载电流:16A 栅极电流:10mA
    未分类 BTA316-800C WeEn(瑞能)
    未分类 BTA316-800B WeEn(瑞能)
    未分类 BTA316-600ET.127 WeEn(瑞能) 关闭状态最大电压:600V 包装类型:管 半导体元件类型:三端双向可控硅开关 半导体设备特性:high temperature 半导体设备特性:sensitive gate 安装:THT 封装/外壳:TO220AB 最大加载电流:16A 栅极电流:10mA
    未分类 BTA316-600D.127 WeEn(瑞能) 关闭状态最大电压:600V 包装类型:管 半导体元件类型:三端双向可控硅开关 半导体设备特性:sensitive gate 安装:THT 封装/外壳:TO220AB 最大加载电流:16A 栅极电流:5mA
    未分类 BTA316-600C.127 WeEn(瑞能) 关闭状态最大电压:600V 包装类型:管 半导体元件类型:三端双向可控硅开关 半导体设备特性:sensitive gate 安装:THT 封装/外壳:TO220AB 最大加载电流:16A 栅极电流:35mA
    未分类 BTA316-600BT.127 WeEn(瑞能) 关闭状态最大电压:600V 包装类型:管 半导体元件类型:三端双向可控硅开关 半导体设备特性:high temperature 半导体设备特性:sensitive gate 安装:THT 封装/外壳:TO220AB 最大加载电流:16A 栅极电流:50mA
    未分类 BTA312Y-600C.127 WeEn(瑞能) 关闭状态最大电压:600V 包装类型:管 半导体元件类型:三端双向可控硅开关 半导体设备特性:sensitive gate 安装:THT 封装/外壳:TO220AB 最大加载电流:12A 栅极电流:35mA
    未分类 BTA312X-800CTQ WeEn(瑞能) 关闭状态最大电压:800V 包装类型:管 半导体元件类型:三端双向可控硅开关 半导体设备特性:high temperature 半导体设备特性:sensitive gate 安装:THT 封装/外壳:TO220F 最大加载电流:12A 栅极电流:35mA
    未分类 BTA312X-600E.127 WeEn(瑞能) 关闭状态最大电压:600V 包装类型:管 半导体元件类型:三端双向可控硅开关 半导体设备特性:sensitive gate 安装:THT 封装/外壳:TO220F 最大加载电流:12A 栅极电流:10mA
    未分类 BTA312B-600CT.118 WeEn(瑞能) 关闭状态最大电压:600V 包装类型:卷 包装类型:胶带 半导体元件类型:三端双向可控硅开关 半导体设备特性:high temperature 半导体设备特性:sensitive gate 安装:SMD 封装/外壳:D2PAK 最大加载电流:12A 栅极电流:35mA
    未分类 BTA312B-600B.118 WeEn(瑞能) 关闭状态最大电压:600V 包装类型:卷 包装类型:胶带 半导体元件类型:三端双向可控硅开关 半导体设备特性:sensitive gate 安装:SMD 封装/外壳:D2PAK 最大加载电流:12A 栅极电流:50mA
    未分类 BTA312-600D.127 WeEn(瑞能) 关闭状态最大电压:600V 包装类型:管 半导体元件类型:三端双向可控硅开关 半导体设备特性:sensitive gate 安装:THT 封装/外壳:TO220AB 最大加载电流:12A 栅极电流:5mA
    TRIAC(双向可控硅) BTA308Y-800C0TQ WeEn(瑞能)
    未分类 BTA225B-800B.118 WeEn(瑞能) 关闭状态最大电压:800V 包装类型:卷 包装类型:胶带 半导体元件类型:三端双向可控硅开关 半导体设备特性:sensitive gate 安装:SMD 封装/外壳:D2PAK 最大加载电流:25A 栅极电流:50mA
    未分类 BTA225-800B.127 WeEn(瑞能) 关闭状态最大电压:800V 包装类型:管 半导体元件类型:三端双向可控硅开关 半导体设备特性:sensitive gate 安装:THT 封装/外壳:TO220AB 最大加载电流:25A 栅极电流:50mA
    未分类 BTA216X-800B.127 WeEn(瑞能) 关闭状态最大电压:800V 包装类型:管 半导体元件类型:三端双向可控硅开关 半导体设备特性:sensitive gate 安装:THT 封装/外壳:TO220FP 最大加载电流:16A 栅极电流:50mA
    未分类 BTA216-800B.127 WeEn(瑞能) 关闭状态最大电压:800V 包装类型:管 半导体元件类型:三端双向可控硅开关 半导体设备特性:sensitive gate 安装:THT 封装/外壳:TO220AB 最大加载电流:16A 栅极电流:50mA
    未分类 BTA216-600F.127 WeEn(瑞能) 关闭状态最大电压:600V 包装类型:管 半导体元件类型:三端双向可控硅开关 半导体设备特性:sensitive gate 安装:THT 封装/外壳:TO220AB 最大加载电流:16A 栅极电流:25mA
    未分类 BTA212X-800B.127 WeEn(瑞能) 关闭状态最大电压:800V 包装类型:管 半导体元件类型:三端双向可控硅开关 半导体设备特性:sensitive gate 安装:THT 封装/外壳:TO220FP 最大加载电流:12A 栅极电流:50mA
    未分类 BTA212-600B.127 WeEn(瑞能)
    未分类 BTA208X-600B.127 WeEn(瑞能) 关闭状态最大电压:600V 包装类型:管 半导体元件类型:三端双向可控硅开关 半导体设备特性:sensitive gate 安装:THT 封装/外壳:TO220FP 最大加载电流:8A 栅极电流:50mA
    未分类 BTA208S-800E.118 WeEn(瑞能)
    未分类 BTA208S-800B.118 WeEn(瑞能) 关闭状态最大电压:800V 包装类型:卷 包装类型:胶带 半导体元件类型:三端双向可控硅开关 半导体设备特性:sensitive gate 安装:SMD 封装/外壳:D2PAK 最大加载电流:8A 栅极电流:50mA
    未分类 BTA208S-600E WeEn(瑞能)
    未分类 BTA208S-600B WeEn(瑞能)
    未分类 BTA208B-1000C.118 WeEn(瑞能) 关闭状态最大电压:1KV 包装类型:卷 包装类型:胶带 半导体元件类型:三端双向可控硅开关 半导体设备特性:sensitive gate 安装:SMD 封装/外壳:D2PAK 最大加载电流:8A 栅极电流:35mA
    未分类 BTA208-800E.127 WeEn(瑞能) 关闭状态最大电压:800V 包装类型:管 半导体元件类型:三端双向可控硅开关 半导体设备特性:sensitive gate 安装:THT 封装/外壳:TO220AB 最大加载电流:8A 栅极电流:10mA
    未分类 BTA208-800B.127 WeEn(瑞能) 关闭状态最大电压:800V 包装类型:管 半导体元件类型:三端双向可控硅开关 半导体设备特性:sensitive gate 安装:THT 封装/外壳:TO220AB 最大加载电流:8A 栅极电流:50mA
    未分类 BTA208-600B.127 WeEn(瑞能) 关闭状态最大电压:600V 包装类型:管 半导体元件类型:三端双向可控硅开关 半导体设备特性:sensitive gate 安装:THT 封装/外壳:TO220AB 最大加载电流:8A 栅极电流:50mA
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    未分类 BT155W-1200T-AQ WeEn(瑞能) 关闭状态最大电压:1.2KV 加载电流:50A 包装类型:管 半导体元件类型:晶闸管 安装:THT 封装/外壳:TO247-3 开启时间:2µs 最大加载电流:79A 最大正向脉冲电流:650A 栅极电流:3mA

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