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    TVS晶闸管/半导体放电管 P2300LB SEMIWARE(赛米微尔) 封装/外壳:DO-15 Ih[min](mA):150 Idrm[max](uA):5 Cj[Typ](pF):75 Ipp-10x1000us(A):80 Is[max](V):800 Tj[max](°C):150 Vt[max](V):4 Vdrm[min](V):190 Vs[max](V):260
    ESD抑制器 SE5D10B5.0A SEMIWARE(赛米微尔) 封装/外壳:SOD-523 反向工作电压Vrwm:5.0V 钳位电压Vc:23V
    双向TVS二极管 SMF12CA SEMIWARE(赛米微尔) 封装/外壳:SOD-123FL 反向工作电压Vrwm:12V 钳位电压Vc:19.9V 峰值脉冲电流Ipp:10.1A 反向击穿电压Vbr:14.7V
    TVS二极管阵列 SEULC0524P SEMIWARE(赛米微尔) 封装/外壳:DFN2510 反向工作电压Vrwm:5.0V 钳位电压Vc:16V 峰值脉冲电流Ipp:5A
    TVS二极管阵列 SESD05-SE SEMIWARE(赛米微尔) 封装/外壳:SOD-323 反向工作电压Vrwm:5.0V 钳位电压Vc:13.5V 峰值脉冲电流Ipp:24A
    TVS二极管阵列 SESMC03 SEMIWARE(赛米微尔) 封装/外壳:SOT-23 反向工作电压Vrwm:3.3V 钳位电压Vc:10.5V 峰值脉冲电流Ipp:20A
    TVS晶闸管/半导体放电管 P0300SB SEMIWARE(赛米微尔) 封装/外壳:SMB Ih[min](mA):50 Idrm[max](uA):5 Cj[Typ](pF):80 Ipp-10x1000us(A):80 Is[max](V):800 Tj[max](°C):150 Vt[max](V):4 Vdrm[min](V):25 Vs[max](V):40
    TVS二极管阵列 SE26T12B5.0LB1 SEMIWARE(赛米微尔) 封装/外壳:SOT-23-6L 反向工作电压Vrwm:5.0V 钳位电压Vc:20V 峰值脉冲电流Ipp:6.2A
    TVS二极管阵列 SESM15 SEMIWARE(赛米微尔) 封装/外壳:SOT-23 反向工作电压Vrwm:15V 钳位电压Vc:28V 峰值脉冲电流Ipp:6A
    双向TVS二极管 SMAJ24CA SEMIWARE(赛米微尔) 封装/外壳:SMA 反向工作电压Vrwm:24V 钳位电压Vc:38.9V 峰值脉冲电流Ipp:10.3A 反向击穿电压Vbr:29.5V
    双向TVS二极管 SMBJ75CA SEMIWARE(赛米微尔) 封装/外壳:SMB 反向工作电压Vrwm:75V 钳位电压Vc:121V 峰值脉冲电流Ipp:5A 反向击穿电压Vbr:92.1V
    双向TVS二极管 SMBJ36CA SEMIWARE(赛米微尔) 封装/外壳:SMB 反向工作电压Vrwm:36V 钳位电压Vc:58.1V 峰值脉冲电流Ipp:10.4A 反向击穿电压Vbr:44.2V
    单向TVS二极管 SMF15A SEMIWARE(赛米微尔) 封装/外壳:SOD-123FL 反向工作电压Vrwm:15V 钳位电压Vc:24.4V 峰值脉冲电流Ipp:8.2A 反向击穿电压Vbr:18.5V
    ESD抑制器 SE53T10U5.0D SEMIWARE(赛米微尔) 封装/外壳:SOT-353 反向工作电压Vrwm:5.0V 钳位电压Vc:18.5V
    TVS二极管阵列 SESMC15 SEMIWARE(赛米微尔) 封装/外壳:SOT-23 反向工作电压Vrwm:15V 钳位电压Vc:38V 峰值脉冲电流Ipp:10A
    TVS晶闸管/半导体放电管 P0080SC-LV SEMIWARE(赛米微尔) 封装/外壳:SMB Ih[min](mA):50 Idrm[max](uA):5 Cj[Typ](pF):80 Ipp-10x1000us(A):100 Is[max](V):800 Tj[max](°C):150 Vt[max](V):4 Vdrm[min](V):6 Vs[max](V):25
    双向TVS二极管 SMAJ18CA SEMIWARE(赛米微尔) 封装/外壳:SMA 反向工作电压Vrwm:18V 钳位电压Vc:29.2V 峰值脉冲电流Ipp:13.7A 反向击穿电压Vbr:22.1V
    单向TVS二极管 SMBJ28A SEMIWARE(赛米微尔) 封装/外壳:SMB 反向工作电压Vrwm:28V 钳位电压Vc:45.4V 峰值脉冲电流Ipp:13.3A 反向击穿电压Vbr:34.4V
    单向TVS二极管 SMBJ24A SEMIWARE(赛米微尔) 封装/外壳:SMB 反向工作电压Vrwm:24V 钳位电压Vc:38.9V 峰值脉冲电流Ipp:15.5A 反向击穿电压Vbr:29.5V
    单向TVS二极管 SMF18A SEMIWARE(赛米微尔) 封装/外壳:SOD-123FL 反向工作电压Vrwm:18V 钳位电压Vc:29.2V 峰值脉冲电流Ipp:6.8A 反向击穿电压Vbr:22.1V
    单向TVS二极管 SMBJ5.0A SEMIWARE(赛米微尔) 封装/外壳:SMB 反向工作电压Vrwm:5.0V 钳位电压Vc:9.2V 峰值脉冲电流Ipp:108.7A 反向击穿电压Vbr:7.0V
    TVS二极管阵列 SESR05 SEMIWARE(赛米微尔) 封装/外壳:SOT-143 反向工作电压Vrwm:5.0V 钳位电压Vc:25V 峰值脉冲电流Ipp:5A
    双向TVS二极管 SMAJ24CA SEMIWARE(赛米微尔) 封装/外壳:SMA 反向工作电压Vrwm:24V 钳位电压Vc:38.9V 峰值脉冲电流Ipp:10.3A 反向击穿电压Vbr:29.5V
    单向TVS二极管 SMAJ5.0A SEMIWARE(赛米微尔) 封装/外壳:SMA 反向工作电压Vrwm:5.0V 钳位电压Vc:9.2V 峰值脉冲电流Ipp:43.5A 反向击穿电压Vbr:7.0V
    单向TVS二极管 5.0SMDJ60A SEMIWARE(赛米微尔) 封装/外壳:SMC 反向工作电压Vrwm:60V 钳位电压Vc:96.8V 峰值脉冲电流Ipp:51.7A 反向击穿电压Vbr:73.7V
    TVS晶闸管/半导体放电管 P0080SB-SE SEMIWARE(赛米微尔) 封装/外壳:SMB Ih[min](mA):50 Idrm[max](uA):5 Cj[Typ](pF):80 Ipp-10x1000us(A):80 Is[max](V):800 Tj[max](°C):150 Vt[max](V):4 Vdrm[min](V):6 Vs[max](V):25
    双向TVS二极管 SMF5.0CA-SE SEMIWARE(赛米微尔) 封装/外壳:SOD-123FL 反向工作电压Vrwm:5.0V 钳位电压Vc:9.2V 峰值脉冲电流Ipp:21.7A 反向击穿电压Vbr:7.0V 峰值脉冲功率Ppp:200W
    双向TVS二极管 SMF24CA SEMIWARE(赛米微尔) 封装/外壳:SOD-123FL 反向工作电压Vrwm:24V 钳位电压Vc:38.9V 峰值脉冲电流Ipp:5.1A 反向击穿电压Vbr:29.5V 峰值脉冲功率Ppp:200W
    单向TVS二极管 SMF15A SEMIWARE(赛米微尔) 封装/外壳:SOD-123FL 反向工作电压Vrwm:15V 钳位电压Vc:24.4V 峰值脉冲电流Ipp:8.2A 反向击穿电压Vbr:18.5V 峰值脉冲功率Ppp:200W
    双向TVS二极管 SMCJ60CA-SE SEMIWARE(赛米微尔) 封装/外壳:SMC 反向工作电压Vrwm:60V 钳位电压Vc:96.8V 峰值脉冲电流Ipp:15.5A 反向击穿电压Vbr:73.7V 峰值脉冲功率Ppp:1500W
    单向TVS二极管 SMCJ6.0A-SE SEMIWARE(赛米微尔) 封装/外壳:SMC 反向工作电压Vrwm:6.0V 钳位电压Vc:10.3V 峰值脉冲电流Ipp:145.7A 反向击穿电压Vbr:7.37V 峰值脉冲功率Ppp:1500W
    双向TVS二极管 SMCJ58CA-SE SEMIWARE(赛米微尔) 封装/外壳:SMC 反向工作电压Vrwm:58V 钳位电压Vc:93.6V 峰值脉冲电流Ipp:16.1A 反向击穿电压Vbr:71.2V 峰值脉冲功率Ppp:1500W
    双向TVS二极管 SMCJ15CA-SE SEMIWARE(赛米微尔) 封装/外壳:SMC 反向工作电压Vrwm:15V 钳位电压Vc:24.4V 峰值脉冲电流Ipp:61.5A 反向击穿电压Vbr:18.5V 峰值脉冲功率Ppp:1500W
    双向TVS二极管 SMBJ75CA SEMIWARE(赛米微尔) 封装/外壳:SMB 反向工作电压Vrwm:75V 钳位电压Vc:121V 峰值脉冲电流Ipp:5A 反向击穿电压Vbr:92.1V 峰值脉冲功率Ppp:600W
    双向TVS二极管 SMBJ7.5CA SEMIWARE(赛米微尔) 封装/外壳:SMB 反向工作电压Vrwm:7.5V 钳位电压Vc:12.9V 峰值脉冲电流Ipp:46.6A 反向击穿电压Vbr:9.21V 峰值脉冲功率Ppp:600W
    双向TVS二极管 SMBJ6.5CA SEMIWARE(赛米微尔) 封装/外壳:SMB 反向工作电压Vrwm:6.5V 钳位电压Vc:11.2V 峰值脉冲电流Ipp:53.6A 反向击穿电压Vbr:7.98V 峰值脉冲功率Ppp:600W
    单向TVS二极管 SMBJ6.5A SEMIWARE(赛米微尔) 封装/外壳:SMB 反向工作电压Vrwm:6.5V 钳位电压Vc:11.2V 峰值脉冲电流Ipp:53.6A 反向击穿电压Vbr:7.98V 峰值脉冲功率Ppp:600W
    双向TVS二极管 SMBJ6.0CA-SE SEMIWARE(赛米微尔) 封装/外壳:SMB 反向工作电压Vrwm:6.0V 钳位电压Vc:10.3V 峰值脉冲电流Ipp:58.3A 反向击穿电压Vbr:7.37V 峰值脉冲功率Ppp:600W
    双向TVS二极管 SMBJ58CA SEMIWARE(赛米微尔) 封装/外壳:SMB 反向工作电压Vrwm:58V 钳位电压Vc:93.6V 峰值脉冲电流Ipp:6.5A 反向击穿电压Vbr:71.2V 峰值脉冲功率Ppp:600W
    双向TVS二极管 SMBJ40CA-SE SEMIWARE(赛米微尔) 封装/外壳:SMB 反向工作电压Vrwm:40V 钳位电压Vc:64.5V 峰值脉冲电流Ipp:9.3A 反向击穿电压Vbr:49.1V 峰值脉冲功率Ppp:600W
    双向TVS二极管 SMBJ36CA SEMIWARE(赛米微尔) 封装/外壳:SMB 反向工作电压Vrwm:36V 钳位电压Vc:58.1V 峰值脉冲电流Ipp:10.4A 反向击穿电压Vbr:44.2V 峰值脉冲功率Ppp:600W
    双向TVS二极管 SMBJ33CA SEMIWARE(赛米微尔) 封装/外壳:SMB 反向工作电压Vrwm:33V 钳位电压Vc:53.3V 峰值脉冲电流Ipp:11.3A 反向击穿电压Vbr:40.6V 峰值脉冲功率Ppp:600W
    双向TVS二极管 SMBJ22CA-SE SEMIWARE(赛米微尔) 封装/外壳:SMB 反向工作电压Vrwm:22V 钳位电压Vc:35.5V 峰值脉冲电流Ipp:16.9A 反向击穿电压Vbr:26.9V 峰值脉冲功率Ppp:600W
    双向TVS二极管 SMBJ20CA-SE SEMIWARE(赛米微尔) 封装/外壳:SMB 反向工作电压Vrwm:20V 钳位电压Vc:32.4V 峰值脉冲电流Ipp:18.6A 反向击穿电压Vbr:24.5V 峰值脉冲功率Ppp:600W
    双向TVS二极管 SMBJ18CA SEMIWARE(赛米微尔) 封装/外壳:SMB 反向工作电压Vrwm:18V 钳位电压Vc:29.2V 峰值脉冲电流Ipp:20.6A 反向击穿电压Vbr:22.1V 峰值脉冲功率Ppp:600W
    单向TVS二极管 SMBJ18A SEMIWARE(赛米微尔) 封装/外壳:SMB 反向工作电压Vrwm:18V 钳位电压Vc:29.2V 峰值脉冲电流Ipp:20.6A 反向击穿电压Vbr:22.1V 峰值脉冲功率Ppp:600W
    双向TVS二极管 SMBJ16CA-SE SEMIWARE(赛米微尔) 封装/外壳:SMB 反向工作电压Vrwm:16V 钳位电压Vc:26V 峰值脉冲电流Ipp:23.1A 反向击穿电压Vbr:19.7V 峰值脉冲功率Ppp:600W
    双向TVS二极管 SMBJ15CA SEMIWARE(赛米微尔) 封装/外壳:SMB 反向工作电压Vrwm:15V 钳位电压Vc:24.4V 峰值脉冲电流Ipp:24.6A 反向击穿电压Vbr:18.5V 峰值脉冲功率Ppp:600W
    单向TVS二极管 SMBJ15A SEMIWARE(赛米微尔) 封装/外壳:SMB 反向工作电压Vrwm:15V 钳位电压Vc:24.4V 峰值脉冲电流Ipp:24.6A 反向击穿电压Vbr:18.5V 峰值脉冲功率Ppp:600W
    双向TVS二极管 SMBJ13CA-SE SEMIWARE(赛米微尔) 封装/外壳:SMB 反向工作电压Vrwm:13V 钳位电压Vc:21.5V 峰值脉冲电流Ipp:28A 反向击穿电压Vbr:15.9V 峰值脉冲功率Ppp:600W
    双向TVS二极管 SMBJ12CA SEMIWARE(赛米微尔) 封装/外壳:SMB 反向工作电压Vrwm:12V 钳位电压Vc:19.9V 峰值脉冲电流Ipp:30.2A 反向击穿电压Vbr:14.7V 峰值脉冲功率Ppp:600W
    双向TVS二极管 SMBJ10CA-SE SEMIWARE(赛米微尔) 封装/外壳:SMB 反向工作电压Vrwm:10V 钳位电压Vc:17V 峰值脉冲电流Ipp:35.3A 反向击穿电压Vbr:12.3V 峰值脉冲功率Ppp:600W
    双向TVS二极管 SMAJ30CA SEMIWARE(赛米微尔) 封装/外壳:SMA 反向工作电压Vrwm:30V 钳位电压Vc:48.4V 峰值脉冲电流Ipp:8.3A 反向击穿电压Vbr:36.8V 峰值脉冲功率Ppp:400W
    双向TVS二极管 SMAJ22CA SEMIWARE(赛米微尔) 封装/外壳:SMA 反向工作电压Vrwm:22V 钳位电压Vc:35.5V 峰值脉冲电流Ipp:11.3A 反向击穿电压Vbr:26.9V 峰值脉冲功率Ppp:400W
    TVS二极管 SESRV05-4 SEMIWARE(赛米微尔)
    TVS二极管阵列 SESM712 SEMIWARE(赛米微尔) 封装/外壳:SOT-23 反向工作电压Vrwm:7/12V 钳位电压Vc:12/26V 峰值脉冲电流Ipp:17A
    TVS二极管阵列 SESM15 SEMIWARE(赛米微尔) 封装/外壳:SOT-23 反向工作电压Vrwm:15V 钳位电压Vc:28V 峰值脉冲电流Ipp:6A
    TVS二极管阵列 SESM12 SEMIWARE(赛米微尔) 封装/外壳:SOT-23 反向工作电压Vrwm:12V 钳位电压Vc:24V 峰值脉冲电流Ipp:13A
    TVS二极管阵列 SESM05 SEMIWARE(赛米微尔) 封装/外壳:SOT-23 反向工作电压Vrwm:5.0V 钳位电压Vc:16V 峰值脉冲电流Ipp:24A
    TVS二极管阵列 SESM03 SEMIWARE(赛米微尔) 封装/外壳:SOT-23 反向工作电压Vrwm:3.3V 钳位电压Vc:15V 峰值脉冲电流Ipp:25A
    TVS二极管阵列 SESLVU2.8-4 SEMIWARE(赛米微尔) 封装/外壳:SOP-08 反向工作电压Vrwm:2.8V 钳位电压Vc:15V 峰值脉冲电流Ipp:24A
    TVS二极管阵列 SESD12C SEMIWARE(赛米微尔) 封装/外壳:SOD-323 反向工作电压Vrwm:12V 钳位电压Vc:25V 峰值脉冲电流Ipp:13A
    TVS二极管阵列 SESD05C SEMIWARE(赛米微尔) 封装/外壳:SOD-323 反向工作电压Vrwm:5.0V 钳位电压Vc:17V 峰值脉冲电流Ipp:24A
    TVS二极管阵列 SELC15CI-SE SEMIWARE(赛米微尔) 封装/外壳:SOD-323 反向工作电压Vrwm:15V 钳位电压Vc:32V 峰值脉冲电流Ipp:10A
    TVS二极管阵列 SELC12CI-SE SEMIWARE(赛米微尔) 封装/外壳:SOD-323 反向工作电压Vrwm:12V 钳位电压Vc:29V 峰值脉冲电流Ipp:12A
    TVS二极管阵列 SELC08CI SEMIWARE(赛米微尔) 封装/外壳:SOD-323 反向工作电压Vrwm:8.0V 钳位电压Vc:20V 峰值脉冲电流Ipp:17A
    TVS二极管阵列 SELC05CI SEMIWARE(赛米微尔) 封装/外壳:SOD-323 反向工作电压Vrwm:5.0V 钳位电压Vc:21V 峰值脉冲电流Ipp:20A
    TVS二极管阵列 SELC03CI SEMIWARE(赛米微尔) 封装/外壳:SOD-323 反向工作电压Vrwm:3.3V 钳位电压Vc:18V 峰值脉冲电流Ipp:22A
    ESD抑制器 SE5D20U3.3A SEMIWARE(赛米微尔) 封装/外壳:SOD-523 反向工作电压Vrwm:3.3V 钳位电压Vc:14V 峰值脉冲电流Ipp:11A
    ESD抑制器 SE53T10U5.0D SEMIWARE(赛米微尔) 封装/外壳:SOT-353 反向工作电压Vrwm:5.0V 钳位电压Vc:18.5V 峰值脉冲电流Ipp:3A
    TVS二极管 SE26T30B5.0LD1-SE SEMIWARE(赛米微尔)
    TVS二极管 SE23T30B5_0B-SE SEMIWARE(赛米微尔)
    TVS二极管 P6KE250CA-SE SEMIWARE(赛米微尔)
    TVS晶闸管/半导体放电管 P0300SC SEMIWARE(赛米微尔) 封装/外壳:DO-214AA 系列:P 封装/外壳:SMB Ih[min](mA):50 Idrm[max](uA):5 Cj[Typ](pF):70 Ipp-10x1000us(A):100 Is[max](V):800 Tj[max](°C):150 Vt[max](V):4 Vdrm[min](V):25 Vs[max](V):40
    TVS晶闸管/半导体放电管 P0080SC SEMIWARE(赛米微尔) 系列:P 封装/外壳:SMB Ih[min](mA):50 Idrm[max](uA):5 Cj[Typ](pF):80 Ipp-10x1000us(A):100 Is[max](V):800 Tj[max](°C):150 Vt[max](V):4 Vdrm[min](V):6 Vs[max](V):25
    双向TVS二极管 1.5KE82CA-SE SEMIWARE(赛米微尔) 封装/外壳:DO-201 反向工作电压Vrwm:70.1V 钳位电压Vc:113V 峰值脉冲电流Ipp:13.5A 反向击穿电压Vbr:86.1V 峰值脉冲功率Ppp:1500W
    双向TVS二极管 1.5KE7.5CA-SE SEMIWARE(赛米微尔) 封装/外壳:DO-201 反向工作电压Vrwm:6.4V 钳位电压Vc:11.3V 峰值脉冲电流Ipp:135A 反向击穿电压Vbr:7.88V 峰值脉冲功率Ppp:1500W
    双向TVS二极管 1.5KE68CA-SE SEMIWARE(赛米微尔) 封装/外壳:DO-201 反向工作电压Vrwm:58.1V 钳位电压Vc:92V 峰值脉冲电流Ipp:16.5A 反向击穿电压Vbr:71.4V 峰值脉冲功率Ppp:1500W
    双向TVS二极管 1.5KE47CA-SE SEMIWARE(赛米微尔) 封装/外壳:DO-201 反向工作电压Vrwm:40.2V 钳位电压Vc:64.8V 峰值脉冲电流Ipp:23.5A 反向击穿电压Vbr:49.4V 峰值脉冲功率Ppp:1500W
    双向TVS二极管 1.5KE33CA-SE SEMIWARE(赛米微尔) 封装/外壳:DO-201 反向工作电压Vrwm:28.2V 钳位电压Vc:45.7V 峰值脉冲电流Ipp:33.3A 反向击穿电压Vbr:34.7V 峰值脉冲功率Ppp:1500W
    双向TVS二极管 1.5KE220CA-SE SEMIWARE(赛米微尔) 封装/外壳:DO-201 反向工作电压Vrwm:185V 钳位电压Vc:328V 峰值脉冲电流Ipp:4.6A 反向击穿电压Vbr:231V 峰值脉冲功率Ppp:1500W
    双向TVS二极管 1.5KE18CA-SE SEMIWARE(赛米微尔) 封装/外壳:DO-201 反向工作电压Vrwm:15.3V 钳位电压Vc:25.2V 峰值脉冲电流Ipp:60.3A 反向击穿电压Vbr:18.9V 峰值脉冲功率Ppp:1500W

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