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    集成电路(芯片) MR0D08BMA45R EVERSPIN 存储器类型:非易失 存储器格式:RAM 存储容量:1Mb (128K x 8) 访问时间:45ns 存储器接口:并联 电压-电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:48-FBGA(8x8)
    未分类 PS1021ASE7KQA EVERSPIN
    未分类 MR25H40VDF EVERSPIN
    集成电路(芯片) MR4A16BYS35 EVERSPIN 存储器类型:非易失 存储器格式:RAM 存储容量:16Mb (1M x 16) 访问时间:35ns 存储器接口:并联 电压-电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:54-TSOP2
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    未分类 MR25H40MDF EverSpin 存储器类型:非易失 存储器格式:RAM 存储容量:4Mb (512K x 8) 时钟频率:40MHz 存储器接口:SPI 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 封装/外壳:8-VDFN 裸露焊盘 封装/外壳:8-DFN-EP,小标志(5x6)
    未分类 MR25H10CDFR EverSpin 存储器类型:非易失 存储器格式:RAM 存储容量:1Mb (128K x 8) 时钟频率:40MHz 存储器接口:SPI 电压 - 电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-VDFN 裸露焊盘 封装/外壳:8-DFN-EP,小标志(5x6)
    未分类 MR25H10CDF EverSpin 存储器类型:非易失 存储器格式:RAM 存储容量:1Mb (128K x 8) 时钟频率:40MHz 存储器接口:SPI 电压 - 电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-VDFN 裸露焊盘 封装/外壳:8-DFN-EP,小标志(5x6)
    未分类 MR25H10CDCR EverSpin 存储器类型:非易失 存储器格式:RAM 存储容量:1Mb (128K x 8) 时钟频率:40MHz 存储器接口:SPI 电压 - 电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-TDFN 裸露焊盘 封装/外壳:8-DFN-EP,大型标志(5x6)
    未分类 MR25H40CDF EverSpin 存储器类型:非易失 存储器格式:RAM 存储容量:4Mb (512K x 8) 时钟频率:40MHz 存储器接口:SPI 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-VDFN 裸露焊盘 封装/外壳:8-DFN-EP,小标志(5x6)
    未分类 MR25H40CDCR EverSpin 存储器类型:非易失 存储器格式:RAM 存储容量:4Mb (512K x 8) 时钟频率:40MHz 存储器接口:SPI 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-VDFN 裸露焊盘 封装/外壳:8-DFN-EP,大型标志(5x6)
    未分类 MR25H40CDC EverSpin 存储器类型:非易失 存储器格式:RAM 存储容量:4Mb (512K x 8) 时钟频率:40MHz 存储器接口:SPI 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-VDFN 裸露焊盘 封装/外壳:8-DFN-EP,大型标志(5x6)
    未分类 MR25H256MDFR EverSpin 存储器类型:非易失 存储器格式:RAM 存储容量:256Kb (32K x 8) 时钟频率:40MHz 存储器接口:SPI 电压 - 电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 封装/外壳:8-VDFN 裸露焊盘 封装/外壳:8-DFN(5x6)
    未分类 MR25H256MDCR EverSpin 存储器类型:非易失 存储器格式:RAM 存储容量:256Kb (32K x 8) 时钟频率:40MHz 存储器接口:SPI 电压 - 电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 封装/外壳:8-TDFN 裸露焊盘 封装/外壳:8-DFN(5x6)
    未分类 MR25H256CDFR EverSpin 存储器类型:非易失 存储器格式:RAM 存储容量:256Kb (32K x 8) 时钟频率:40MHz 存储器接口:SPI 电压 - 电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-VDFN 裸露焊盘 封装/外壳:8-DFN(5x6)
    未分类 MR25H256CDCR EverSpin 存储器类型:非易失 存储器格式:RAM 存储容量:256Kb (32K x 8) 时钟频率:40MHz 存储器接口:SPI 电压 - 电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-TDFN 裸露焊盘 封装/外壳:8-DFN(5x6)
    未分类 MR25H256CDC EverSpin 存储器类型:非易失 存储器格式:RAM 存储容量:256Kb (32K x 8) 时钟频率:40MHz 存储器接口:SPI 电压 - 电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-TDFN 裸露焊盘 封装/外壳:8-DFN(5x6)
    未分类 MR25H10MDCR EverSpin 存储器类型:非易失 存储器格式:RAM 存储容量:1Mb (128K x 8) 时钟频率:40MHz 存储器接口:SPI 电压 - 电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 封装/外壳:8-TDFN 裸露焊盘 封装/外壳:8-DFN-EP,大型标志(5x6)
    未分类 MR25H10MDC EverSpin 存储器类型:非易失 存储器格式:RAM 存储容量:1Mb (128K x 8) 时钟频率:40MHz 存储器接口:SPI 电压 - 电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 封装/外壳:8-TDFN 裸露焊盘 封装/外壳:8-DFN-EP,大型标志(5x6)
    未分类 MR25H10CDC EverSpin 存储器类型:非易失 存储器格式:RAM 存储容量:1Mb (128K x 8) 时钟频率:40MHz 存储器接口:SPI 电压 - 电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-VDFN 裸露焊盘 封装/外壳:8-DFN-EP,大型标志(5x6)
    未分类 MR256D08BMA45 EverSpin 存储器类型:非易失 存储器格式:RAM 存储容量:256Kb (32K x 8) 写周期时间 - 字，页:45ns 访问时间:45ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:48-LFBGA 封装/外壳:48-FBGA(8x8)
    未分类 MR256A08BYS35R EverSpin 存储器类型:非易失 存储器格式:RAM 存储容量:256Kb (32K x 8) 写周期时间 - 字，页:35ns 访问时间:35ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 封装/外壳:44-TSOP2
    未分类 MR256A08BYS35 EverSpin 存储器类型:非易失 存储器格式:RAM 存储容量:256Kb (32K x 8) 写周期时间 - 字，页:35ns 访问时间:35ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 封装/外壳:44-TSOP2
    未分类 MR0A16AVYS35R EverSpin 存储器类型:非易失 存储器格式:RAM 存储容量:1Mb (64K x 16) 写周期时间 - 字，页:35ns 访问时间:35ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 封装/外壳:44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 封装/外壳:44-TSOP2
    未分类 MR0A16AVYS35 EverSpin 存储器类型:非易失 存储器格式:RAM 存储容量:1Mb (64K x 16) 写周期时间 - 字，页:35ns 访问时间:35ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 封装/外壳:44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 封装/外壳:44-TSOP2
    未分类 MR0A16AVMA35R EverSpin 存储器类型:非易失 存储器格式:RAM 存储容量:1Mb (64K x 16) 写周期时间 - 字，页:35ns 访问时间:35ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 封装/外壳:48-LFBGA 封装/外壳:48-FBGA(8x8)
    未分类 MR256A08BMA35R EverSpin 存储器类型:非易失 存储器格式:RAM 存储容量:256Kb (32K x 8) 写周期时间 - 字，页:35ns 访问时间:35ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:48-LFBGA 封装/外壳:48-FBGA(8x8)
    未分类 MR256A08BMA35 EverSpin 存储器类型:非易失 存储器格式:RAM 存储容量:256Kb (32K x 8) 写周期时间 - 字，页:35ns 访问时间:35ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:48-LFBGA 封装/外壳:48-FBGA(8x8)
    未分类 MR256A08BCYS35R EverSpin 存储器类型:非易失 存储器格式:RAM 存储容量:256Kb (32K x 8) 写周期时间 - 字，页:35ns 访问时间:35ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 封装/外壳:44-TSOP2
    未分类 MR256A08BCYS35 EverSpin 存储器类型:非易失 存储器格式:RAM 存储容量:256Kb (32K x 8) 写周期时间 - 字，页:35ns 访问时间:35ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 封装/外壳:44-TSOP2
    未分类 MR256A08BCSO35R EverSpin 存储器类型:非易失 存储器格式:RAM 存储容量:256Kb (32K x 8) 写周期时间 - 字，页:35ns 访问时间:35ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:32-SOIC(0.295",7.50mm 宽) 封装/外壳:32-SOIC
    未分类 MR256A08BCMA35R EverSpin 存储器类型:非易失 存储器格式:RAM 存储容量:256Kb (32K x 8) 写周期时间 - 字，页:35ns 访问时间:35ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:48-LFBGA 封装/外壳:48-FBGA(8x8)
    未分类 MR256A08BCMA35 EverSpin 存储器类型:非易失 存储器格式:RAM 存储容量:256Kb (32K x 8) 写周期时间 - 字，页:35ns 访问时间:35ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:48-LFBGA 封装/外壳:48-FBGA(8x8)
    未分类 MR20H40DF EverSpin 存储器类型:非易失 存储器格式:RAM 存储容量:4Mb (512K x 8) 时钟频率:50MHz 存储器接口:SPI 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:8-VDFN 裸露焊盘 封装/外壳:8-DFN-EP,小标志(5x6)
    未分类 MR0A16AYS35R EverSpin 存储器类型:非易失 存储器格式:RAM 存储容量:1Mb (64K x 16) 写周期时间 - 字，页:35ns 访问时间:35ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 封装/外壳:44-TSOP2
    未分类 MR0A16AYS35 EverSpin 存储器类型:非易失 存储器格式:RAM 存储容量:1Mb (64K x 16) 写周期时间 - 字，页:35ns 访问时间:35ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 封装/外壳:44-TSOP2
    未分类 MR0A16AMYS35 EverSpin 存储器类型:非易失 存储器格式:RAM 存储容量:1Mb (64K x 16) 写周期时间 - 字，页:35ns 访问时间:35ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 封装/外壳:44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 封装/外壳:44-TSOP2
    未分类 MR0A16AMA35R EverSpin 存储器类型:非易失 存储器格式:RAM 存储容量:1Mb (64K x 16) 写周期时间 - 字，页:35ns 访问时间:35ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:48-LFBGA 封装/外壳:48-FBGA(8x8)
    未分类 MR0A16AMA35 EverSpin 存储器类型:非易失 存储器格式:RAM 存储容量:1Mb (64K x 16) 写周期时间 - 字，页:35ns 访问时间:35ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:48-LFBGA 封装/外壳:48-FBGA(8x8)
    未分类 MR0A16ACYS35R EverSpin 存储器类型:非易失 存储器格式:RAM 存储容量:1Mb (64K x 16) 写周期时间 - 字，页:35ns 访问时间:35ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 封装/外壳:44-TSOP2
    未分类 MR0A16ACYS35 EverSpin 存储器类型:非易失 存储器格式:RAM 存储容量:1Mb (64K x 16) 写周期时间 - 字，页:35ns 访问时间:35ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 封装/外壳:44-TSOP2
    未分类 MR0A16ACMA35R EverSpin 存储器类型:非易失 存储器格式:RAM 存储容量:1Mb (64K x 16) 写周期时间 - 字，页:35ns 访问时间:35ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:48-LFBGA 封装/外壳:48-FBGA(8x8)
    未分类 MR0A08BYS35R EverSpin 存储器类型:非易失 存储器格式:RAM 存储容量:1Mb (128K x 8) 写周期时间 - 字，页:35ns 访问时间:35ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 封装/外壳:44-TSOP2
    未分类 MR0A08BYS35 EverSpin 存储器类型:非易失 存储器格式:RAM 存储容量:1Mb (128K x 8) 写周期时间 - 字，页:35ns 访问时间:35ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 封装/外壳:44-TSOP2
    未分类 MR0A08BSO35R EverSpin 存储器类型:非易失 存储器格式:RAM 存储容量:1Mb (128K x 8) 写周期时间 - 字，页:35ns 访问时间:35ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:32-SOIC(0.295",7.50mm 宽) 封装/外壳:32-SOIC
    未分类 MR0A08BSO35 EverSpin 存储器类型:非易失 存储器格式:RAM 存储容量:1Mb (128K x 8) 写周期时间 - 字，页:35ns 访问时间:35ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:32-SOIC(0.295",7.50mm 宽) 封装/外壳:32-SOIC
    未分类 MR0A08BMA35R EverSpin 存储器类型:非易失 存储器格式:RAM 存储容量:1Mb (128K x 8) 写周期时间 - 字，页:35ns 访问时间:35ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:48-LFBGA 封装/外壳:48-FBGA(8x8)
    未分类 MR0A08BCYS35R EverSpin 存储器类型:非易失 存储器格式:RAM 存储容量:1Mb (128K x 8) 写周期时间 - 字，页:35ns 访问时间:35ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 封装/外壳:44-TSOP2
    未分类 MR0A08BCYS35 EverSpin 存储器类型:非易失 存储器格式:RAM 存储容量:1Mb (128K x 8) 写周期时间 - 字，页:35ns 访问时间:35ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 封装/外壳:44-TSOP2
    未分类 MR0A08BCMA35R EverSpin 存储器类型:非易失 存储器格式:RAM 存储容量:1Mb (128K x 8) 写周期时间 - 字，页:35ns 访问时间:35ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:48-LFBGA 封装/外壳:48-FBGA(8x8)
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    未分类 MR256A08BCYS35 EVERSPIN
    集成电路(芯片) MR25H40CDF EVERSPIN 存储器类型:非易失 存储器格式:RAM 存储容量:4Mb (512K x 8) 时钟频率:40MHz 存储器接口:SPI 电压-电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-DFN-EP,小标志(5x6)
    集成电路(芯片) MR2A08AYS35 EVERSPIN 存储器类型:非易失 存储器格式:RAM 存储容量:4Mb (512K x 8) 访问时间:35ns 存储器接口:并联 电压-电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:44-TSOP2
    集成电路(芯片) MR2A16AYS35R EVERSPIN 存储器类型:非易失 存储器格式:RAM 存储容量:4Mb (256K x 16) 访问时间:35ns 存储器接口:并联 电压-电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:44-TSOP2
    集成电路(芯片) MR25H10CDFR EVERSPIN 存储器类型:非易失 存储器格式:RAM 存储容量:1Mb (128K x 8) 时钟频率:40MHz 存储器接口:SPI 电压-电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-DFN-EP,小标志(5x6)
    集成电路(芯片) MR25H10CDCR EVERSPIN 存储器类型:非易失 存储器格式:RAM 存储容量:1Mb (128K x 8) 时钟频率:40MHz 存储器接口:SPI 电压-电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-DFN-EP,大型标志(5x6)
    集成电路(芯片) MR0A08BYS35 EVERSPIN 存储器类型:非易失 存储器格式:RAM 存储容量:1Mb (128K x 8) 访问时间:35ns 存储器接口:并联 电压-电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:44-TSOP2
    集成电路(芯片) MR256A08BCMA35 EVERSPIN 存储器类型:非易失 存储器格式:RAM 存储容量:256Kb (32K x 8) 访问时间:35ns 存储器接口:并联 电压-电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:48-FBGA(8x8)
    集成电路(芯片) MR4A16BCMA35 EVERSPIN 存储器类型:非易失 存储器格式:RAM 存储容量:16Mb (1M x 16) 访问时间:35ns 存储器接口:并联 电压-电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:48-FBGA(8x8)
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    集成电路(芯片) MR25H10MDF EVERSPIN 系列:汽车级,AEC-Q100 存储器类型:非易失 存储器格式:RAM 存储容量:1Mb (128K x 8) 时钟频率:40MHz 存储器接口:SPI 电压-电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 封装/外壳:8-DFN-EP,小标志(5x6)
    集成电路(芯片) MR20H40CDF EVERSPIN 存储器类型:非易失 存储器格式:RAM 存储容量:4Mb (512K x 8) 时钟频率:50MHz 存储器接口:SPI 电压-电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-DFN-EP,小标志(5x6)
    集成电路(芯片) MR2A16AYS35 EVERSPIN 存储器类型:非易失 存储器格式:RAM 存储容量:4Mb (256K x 16) 访问时间:35ns 存储器接口:并联 电压-电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:44-TSOP2
    集成电路(芯片) MR4A16BMA35R EVERSPIN 存储器类型:非易失 存储器格式:RAM 存储容量:16Mb (1M x 16) 访问时间:35ns 存储器接口:并联 电压-电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:48-FBGA(10x10)
    集成电路(芯片) MR25H10CDC EVERSPIN 存储器类型:非易失 存储器格式:RAM 存储容量:1Mb (128K x 8) 时钟频率:40MHz 存储器接口:SPI 电压-电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-DFN-EP,大型标志(5x6)
    集成电路(芯片) MR25H256CDC EVERSPIN 存储器类型:非易失 存储器格式:RAM 存储容量:256Kb (32K x 8) 时钟频率:40MHz 存储器接口:SPI 电压-电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-DFN-EP,大型标志(5x6)
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    集成电路(芯片) MR2A08ACMA35 EVERSPIN 存储器类型:非易失 存储器格式:RAM 存储容量:4Mb (512K x 8) 访问时间:35ns 存储器接口:并联 电压-电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:48-FBGA(8x8)
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