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    产品 型号 品牌 参数
    未分类 RX1214B300Y,114 AMPLEON FET类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V 频率 - 跃迁:1.4GHz 增益:8dB 功率:570W 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:21A 工作温度:200°C(TJ) 封装/外壳:SOT-439A 封装/外壳:CDFM2
    未分类 PZ1418B30U,114 AMPLEON FET类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:15V 频率 - 跃迁:1.6GHz 增益:8.4dB 功率:45W 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:4A 工作温度:200°C(TJ) 封装/外壳:SOT-443A 封装/外壳:CDFM2
    通用三极管 MZ0912B50Y,114 AMPLEON FET类型:NPN 电压-集射极击穿（最大值）:20V 频率-跃迁:1.215GHz 增益:8dB 功率:150W 电流-集电极（Ic）（最大值）:3A 封装/外壳:CDFM2
    未分类 MZ0912B100Y,114 AMPLEON FET类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:20V 频率 - 跃迁:1.215GHz 增益:7.6dB 功率:290W 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:6A 工作温度:200°C(TJ) 封装/外壳:SOT-443A 封装/外壳:CDFM2
    未分类 MX0912B351Y,114 AMPLEON FET类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:20V 频率 - 跃迁:1.215GHz 增益:7.6dB 功率:960W 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:21A 工作温度:200°C(TJ) 封装/外壳:SOT-439A 封装/外壳:CDFM2
    通用三极管 BLW96/01,112 AMPLEON FET类型:NPN 电压-集射极击穿（最大值）:55V 频率-跃迁:235MHz 功率:340W 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:15 @ 7A,5V 电流-集电极（Ic）（最大值）:12A 工作温度:200°C(TJ) 封装/外壳:CRFM4
    未分类 MX0912B251Y,114 AMPLEON FET类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:20V 频率 - 跃迁:1.215GHz 增益:7.4dB 功率:690W 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:15A 工作温度:200°C(TJ) 封装/外壳:SOT-439A 封装/外壳:CDFM2
    未分类 BLS9G2731L-400U AMPLEON FET类型:LDMOS 频率:2.7GHz ~ 3.1GHz 增益:13dB 电压 - 测试:32V 额定电流:4µA 电流 - 测试:400mA 功率 - 输出:400W 电压:65V 封装/外壳:SOT-502A 封装/外壳:SOT502A
    未分类 BLS9G2731LS-400U AMPLEON FET类型:LDMOS 频率:2.7GHz ~ 3.1GHz 增益:13dB 电压 - 测试:32V 额定电流:4µA 电流 - 测试:400mA 功率 - 输出:400W 电压:65V 封装/外壳:SOT-502B 封装/外壳:SOT502B
    未分类 BLU6H0410L-600P,11 AMPLEON FET类型:LDMOS(双),共源 频率:860MHz 增益:21dB 电压 - 测试:50V 电流 - 测试:1.3A 功率 - 输出:250W 电压:110V 封装/外壳:SOT539A 封装/外壳:SOT539A
    未分类 BLS9G3135LS-400U AMPLEON FET类型:LDMOS 频率:3.1GHz ~ 3.5GHz 增益:12dB 电压 - 测试:32V 额定电流:4µA 电流 - 测试:400mA 功率 - 输出:400W 电压:65V 封装/外壳:SOT-502B 封装/外壳:SOT502B
    未分类 BLS9G3135L-400U AMPLEON FET类型:LDMOS 频率:3.1GHz ~ 3.5GHz 增益:12dB 电压 - 测试:32V 额定电流:4µA 电流 - 测试:400mA 功率 - 输出:400W 封装/外壳:SOT-502A 封装/外壳:SOT502A
    未分类 BLS9G2934LS-400U AMPLEON FET类型:LDMOS 频率:2.9GHz ~ 3.4GHz 增益:12dB 电压 - 测试:32V 额定电流:4µA 电流 - 测试:400mA 功率 - 输出:400W 电压:65V 封装/外壳:SOT-502B 封装/外壳:SOT502B
    未分类 BLS9G2934L-400U AMPLEON FET类型:LDMOS 频率:2.9GHz ~ 3.4GHz 增益:12dB 电压 - 测试:32V 额定电流:4µA 电流 - 测试:400mA 功率 - 输出:400W 电压:65V 封装/外壳:SOT-502A 封装/外壳:SOT502A
    未分类 BLS9G2735LS-50U AMPLEON FET类型:LDMOS 频率:2.7GHz ~ 3.5GHz 增益:12dB 功率 - 输出:50W 电压:32V 封装/外壳:SOT-1135B 封装/外壳:SOT1135B
    未分类 BLS9G2729LS-350U AMPLEON FET类型:LDMOS 频率:2.7GHz ~ 2.9GHz 增益:14dB 电压 - 测试:28V 额定电流:4µA 电流 - 测试:400mA 功率 - 输出:350W 电压:65V 封装/外壳:SOT-502B 封装/外壳:SOT502B
    未分类 BLS7G3135L-350P,11 AMPLEON FET类型:LDMOS(双),共源 频率:3.5GHz 增益:10dB 电压 - 测试:32V 电流 - 测试:200mA 功率 - 输出:320W 电压:65V 封装/外壳:SOT539A 封装/外壳:SOT539A
    未分类 BLS7G3135LS-200U AMPLEON FET类型:LDMOS 频率:3.5GHz 增益:12dB 电压 - 测试:32V 电流 - 测试:100mA 功率 - 输出:200W 电压:65V 封装/外壳:SOT-502B 封装/外壳:SOT502B
    未分类 BLS6G3135S-120,112 AMPLEON FET类型:LDMOS 频率:3.1GHz ~ 3.5GHz 增益:11dB 电压 - 测试:32V 额定电流:7.2A 电流 - 测试:100mA 功率 - 输出:120W 电压:60V 封装/外壳:SOT-502B 封装/外壳:SOT502B
    未分类 BLS6G3135S-20,112 AMPLEON FET类型:LDMOS 频率:3.1GHz ~ 3.5GHz 增益:15.5dB 电压 - 测试:32V 额定电流:2.1A 电流 - 测试:50mA 功率 - 输出:20W 电压:60V 封装/外壳:SOT-608B 封装/外壳:CDFM2
    通用MOSFET BLS7G2730L-200PU AMPLEON FET类型:LDMOS(双),共源 频率:2.7GHz ~ 3GHz 增益:12dB 电压-测试:32V 电流-测试:100mA 功率-输出:200W 电压:65V 封装/外壳:SOT539A
    未分类 BLS6G3135-120,112 AMPLEON FET类型:LDMOS 频率:3.1GHz ~ 3.5GHz 增益:11dB 电压 - 测试:32V 额定电流:7.2A 电流 - 测试:100mA 功率 - 输出:120W 电压:60V 封装/外壳:SOT-502A 封装/外壳:LDMOST
    未分类 BLS7G2325L-105,112 AMPLEON FET类型:LDMOS 频率:2.3GHz ~ 2.5GHz 增益:18dB 电压 - 测试:10V 额定电流:5µA 功率 - 输出:110W 电压:65V 封装/外壳:SOT-502A 封装/外壳:SOT502A
    未分类 BLS6G3135-20,112 AMPLEON FET类型:LDMOS 频率:3.1GHz ~ 3.5GHz 增益:15.5dB 电压 - 测试:32V 额定电流:2.1A 电流 - 测试:50mA 功率 - 输出:20W 电压:60V 封装/外壳:SOT-608A 封装/外壳:CDFM2
    未分类 BLS6G2933S-130,112 AMPLEON FET类型:LDMOS 频率:2.9GHz ~ 3.3GHz 增益:12.5dB 电压 - 测试:32V 额定电流:33A 电流 - 测试:100mA 功率 - 输出:130W 电压:60V 封装/外壳:SOT922-1 封装/外壳:CDFM2
    未分类 BLS6G2735LS-30,112 AMPLEON FET类型:LDMOS 频率:3.1GHz ~ 3.5GHz 增益:13dB 电压 - 测试:32V 电流 - 测试:50mA 功率 - 输出:30W 电压:60V 封装/外壳:SOT-1135B 封装/外壳:CDFM2
    未分类 BLS6G2735L-30,112 AMPLEON FET类型:LDMOS 频率:3.1GHz ~ 3.5GHz 增益:13dB 电压 - 测试:32V 电流 - 测试:50mA 功率 - 输出:30W 电压:60V 封装/外壳:SOT-1135A 封装/外壳:CDFM2
    通用MOSFET BLS6G2731S-130,112 AMPLEON FET类型:LDMOS 频率:2.7GHz ~ 3.1GHz 增益:12dB 电压-测试:32V 额定电流:33A 电流-测试:100mA 功率-输出:130W 电压:60V 封装/外壳:CDFM2
    未分类 BLP9G0722-20Z AMPLEON FET类型:LDMOS 频率:400MHz ~ 2.7GHz 增益:19dB 电压 - 测试:28V 额定电流:1.4µA 电流 - 测试:180mA 功率 - 输出:43dBm 电压:65V 封装/外壳:SOT-1482-1 封装/外壳:SOT-1482-1
    未分类 BLP9G0722-20GZ AMPLEON FET类型:LDMOS 频率:400MHz ~ 2.7GHz 增益:19dB 电压 - 测试:28V 额定电流:1.4µA 电流 - 测试:180mA 功率 - 输出:43dBm 电压:65V 封装/外壳:SOT-1482-1 封装/外壳:SOT-1482-1
    未分类 BLS6G2731S-120,112 AMPLEON FET类型:LDMOS 频率:2.7GHz ~ 3.1GHz 增益:13.5dB 电压 - 测试:32V 额定电流:33A 电流 - 测试:100mA 功率 - 输出:120W 电压:60V 封装/外壳:SOT-502B 封装/外壳:SOT502B
    未分类 BLS6G2731P-200,117 AMPLEON FET类型:LDMOS 电压 - 测试:32V 电流 - 测试:100mA 电压:32V 封装/外壳:SOM038 封装/外壳:LDMOST
    未分类 BLS6G2731-6G,112 AMPLEON FET类型:LDMOS 频率:2.7GHz ~ 3.1GHz 增益:15dB 电压 - 测试:32V 额定电流:3.5A 电流 - 测试:25mA 功率 - 输出:6W 电压:60V 封装/外壳:SOT-975C 封装/外壳:CDFM2
    通用MOSFET BLS6G2731-120,112 AMPLEON FET类型:LDMOS 频率:2.7GHz ~ 3.1GHz 增益:13.5dB 电压-测试:32V 额定电流:33A 电流-测试:100mA 功率-输出:120W 电压:60V 封装/外壳:LDMOST
    未分类 BLS2933-100,112 AMPLEON FET类型:LDMOS 频率:2.9GHz ~ 3.3GHz 增益:8dB 电压 - 测试:32V 额定电流:12A 电流 - 测试:20mA 功率 - 输出:100W 电压:65V 封装/外壳:SOT-502A 封装/外壳:LDMOST
    未分类 BLS2731-50,114 AMPLEON FET类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:75V 频率 - 跃迁:3.1GHz 增益:9dB 功率:80W 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:40 @ 1.5A,5V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:6A 工作温度:200°C(TJ) 封装/外壳:SOT-422A 封装/外壳:CDFM2
    通用三极管 BLS2731-20,114 AMPLEON FET类型:NPN 电压-集射极击穿（最大值）:75V 频率-跃迁:3.1GHz 增益:10dB 功率:270W 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:40 @ 500mA,5V 电流-集电极（Ic）（最大值）:3A 工作温度:200°C(TJ) 封装/外壳:CDFM2
    通用三极管 BLS2731-110,114 AMPLEON FET类型:NPN 电压-集射极击穿（最大值）:75V 频率-跃迁:3.1GHz 增益:7dB 功率:500W 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:40 @ 3A,5V 电流-集电极（Ic）（最大值）:12A 工作温度:200°C(TJ) 封装/外壳:CDFM2
    未分类 BLP8G05S-200GY AMPLEON FET类型:LDMOS(双),共源 频率:440MHz 增益:21dB 电压 - 测试:28V 电流 - 测试:2mA 功率 - 输出:210W 电压:65V 封装/外壳:SOT-1204-2 封装/外壳:4-HSOP
    未分类 BLP8G05S-200Y AMPLEON FET类型:LDMOS(双),共源 频率:440MHz 增益:21dB 电压 - 测试:28V 电流 - 测试:2mA 功率 - 输出:210W 电压:65V 封装/外壳:SOT-1138-2 封装/外壳:4-HSOPF
    未分类 BLP27M810Z AMPLEON FET类型:LDMOS(双),共源 频率:2.14GHz 增益:17dB 电压 - 测试:28V 电流 - 测试:110mA 功率 - 输出:2W 电压:65V 封装/外壳:16-VDFN 裸焊盘 封装/外壳:16-HVSON(6x4)
    未分类 BLP7G22-05Z AMPLEON FET类型:LDMOS 频率:2.14GHz 增益:16dB 电压 - 测试:28V 电流 - 测试:55mA 功率 - 输出:1W 电压:65V 封装/外壳:12-VDFN 裸露焊盘 封装/外壳:12-HVSON(6x4)
    未分类 BLP35M805Z AMPLEON FET类型:LDMOS 频率:2.14GHz 增益:18dB 电压 - 测试:28V 电流 - 测试:55mA 功率 - 输出:750mW 电压:65V 封装/外壳:16-VDFN 裸焊盘 封装/外壳:16-HVSON(6x4)
    未分类 BLP10H660PY AMPLEON FET类型:LDMOS 频率:1GHz 增益:18dB 电压 - 测试:50V 额定电流:1.4µA 电流 - 测试:40mA 功率 - 输出:60W 电压:110V 封装/外壳:SOT-1223-2 封装/外壳:4-HSOPF
    未分类 BLP25M710Z AMPLEON FET类型:LDMOS(双),共源 频率:2.14GHz 增益:16dB 电压 - 测试:28V 电流 - 测试:110mA 功率 - 输出:2W 电压:65V 封装/外壳:12-VDFN 裸露焊盘 封装/外壳:12-HVSON(6x4)
    未分类 BLP25M705Z AMPLEON FET类型:LDMOS 频率:2.14GHz 增益:16dB 电压 - 测试:28V 电流 - 测试:55mA 功率 - 输出:1W 电压:65V 封装/外壳:12-VDFN 裸露焊盘 封装/外壳:12-HVSON(6x4)
    未分类 BLP15M7160PY AMPLEON FET类型:LDMOS(双),共源 频率:860MHz 增益:20dB 电压 - 测试:28V 电流 - 测试:100mA 功率 - 输出:160W 电压:65V 封装/外壳:SOT-1223-2 封装/外壳:4-HSOPF
    未分类 BLP10H6120PY AMPLEON FET类型:LDMOS 频率:1GHz 增益:18dB 电压 - 测试:50V 额定电流:1.4µA 电流 - 测试:80mA 功率 - 输出:120W 电压:110V 封装/外壳:SOT-1223-2 封装/外壳:4-HSOPF
    未分类 BLP10H6120PGY AMPLEON FET类型:LDMOS 频率:1GHz 增益:18dB 电压 - 测试:50V 额定电流:1.4µA 电流 - 测试:80mA 功率 - 输出:120W 电压:110V 封装/外壳:SOT-1224-2 封装/外壳:4-HSOP
    未分类 BLP05M7200Y AMPLEON FET类型:LDMOS(双),共源 频率:440MHz 增益:21dB 电压 - 测试:28V 电流 - 测试:2mA 功率 - 输出:210W 电压:65V 封装/外壳:4-HSOPF,SOT-1138 封装/外壳:4-HSOP
    未分类 BLP05H675XRY AMPLEON FET类型:LDMOS(双),共源 频率:108MHz 增益:27dB 电压 - 测试:50V 电流 - 测试:20mA 功率 - 输出:75W 电压:135V 封装/外壳:SOT-1223-2 封装/外壳:4-HSOPF
    未分类 BLP05H675XRGY AMPLEON FET类型:LDMOS(双),共源 频率:108MHz 增益:27dB 电压 - 测试:50V 电流 - 测试:20mA 功率 - 输出:75W 电压:135V 封装/外壳:SOT-1224-2
    未分类 BLP05H635XRY AMPLEON FET类型:LDMOS(双),共源 频率:108MHz 增益:27dB 电压 - 测试:50V 电流 - 测试:10mA 功率 - 输出:35W 电压:135V 封装/外壳:SOT-1223-2 封装/外壳:4-HSOPF
    未分类 BLP05H635XRGY AMPLEON FET类型:LDMOS(双),共源 频率:108MHz 增益:27dB 电压 - 测试:50V 电流 - 测试:10mA 功率 - 输出:35W 电压:135V 封装/外壳:SOT-1224-2
    未分类 BLP05H6350XRY AMPLEON FET类型:LDMOS(双),共源 频率:108MHz 增益:27dB 电压 - 测试:50V 电流 - 测试:100mA 功率 - 输出:350W 电压:135V 封装/外壳:SOT-1223-2 封装/外壳:4-HSOPF
    未分类 BLP05H6350XRGY AMPLEON FET类型:LDMOS(双),共源 频率:108MHz 增益:27dB 电压 - 测试:50V 电流 - 测试:100mA 功率 - 输出:350W 电压:135V 封装/外壳:SOT-1224-2
    未分类 BLP05H6250XRY AMPLEON FET类型:LDMOS(双),共源 频率:108MHz 增益:27dB 电压 - 测试:50V 电流 - 测试:100mA 功率 - 输出:250W 电压:135V 封装/外壳:SOT-1223-2 封装/外壳:4-HSOPF
    未分类 BLM9D2327-25BZ AMPLEON FET类型:LDMOS 频率:2.3GHz ~ 2.7GHz 功率 - 输出:25W 电压:28V 封装/外壳:SOT-1462-1 封装/外壳:SOT-1462-1
    未分类 BLP05H6250XRGY AMPLEON FET类型:LDMOS(双),共源 频率:108MHz 增益:27dB 电压 - 测试:50V 电流 - 测试:100mA 功率 - 输出:250W 电压:135V 封装/外壳:SOT-1224-2
    未分类 BLP05H6150XRY AMPLEON FET类型:LDMOS(双),共源 频率:108MHz 增益:27dB 电压 - 测试:50V 电流 - 测试:100mA 功率 - 输出:150W 电压:135V 封装/外壳:SOT-1223-2 封装/外壳:4-HSOPF
    未分类 BLP05H6150XRGY AMPLEON FET类型:LDMOS(双),共源 频率:108MHz 增益:27dB 电压 - 测试:50V 电流 - 测试:100mA 功率 - 输出:150W 电压:135V 封装/外壳:SOT-1224-2
    未分类 BLP05H6110XRY AMPLEON FET类型:LDMOS(双),共源 频率:108MHz 增益:27dB 电压 - 测试:50V 电流 - 测试:20mA 功率 - 输出:110W 电压:135V 封装/外壳:SOT-1223-2 封装/外壳:4-HSOPF
    未分类 BLP05H6110XRGY AMPLEON FET类型:LDMOS(双),共源 频率:108MHz 增益:27dB 电压 - 测试:50V 电流 - 测试:20mA 功率 - 输出:110W 电压:135V 封装/外壳:SOT-1224-2
    未分类 BLM9D2325-20ABZ AMPLEON FET类型:LDMOS 频率:2.3GHz ~ 2.5GHz 功率 - 输出:20W 电压:28V 封装/外壳:SOT-1462-1 封装/外壳:SOT-1462-1
    未分类 BLM8G0710S-60PBGY AMPLEON FET类型:LDMOS(双) 频率:957.5MHz 增益:36.2dB 电压 - 测试:28V 电流 - 测试:60mA 功率 - 输出:6W 电压:65V 封装/外壳:SOT-1211-2 封装/外壳:16-HSOP
    未分类 BLM8G0710S-60PBY AMPLEON FET类型:LDMOS(双) 频率:957.5MHz 增益:36.2dB 电压 - 测试:28V 电流 - 测试:60mA 功率 - 输出:6W 电压:65V 封装/外壳:SOT-1211-2 封装/外壳:16-HSOPF
    未分类 BLM8G0710S-45ABY AMPLEON FET类型:LDMOS(双) 频率:957.5MHz 增益:35dB 电压 - 测试:28V 电流 - 测试:30mA 功率 - 输出:3W 电压:65V 封装/外壳:SOT-1211-2 封装/外壳:16-HSOPF
    未分类 BLM8G0710S-45ABGY AMPLEON FET类型:LDMOS(双) 频率:957.5MHz 增益:35dB 电压 - 测试:28V 电流 - 测试:30mA 功率 - 输出:3W 电压:65V 封装/外壳:SOT-1211-2 封装/外壳:16-HSOP
    未分类 BLM8G0710S-15PBGY AMPLEON FET类型:LDMOS(双) 频率:957.5MHz 增益:36.1dB 电压 - 测试:28V 电流 - 测试:15mA 功率 - 输出:1.5W 电压:65V 封装/外壳:SOT-1211-2 封装/外壳:16-HSOP
    未分类 BLM8D1822S-50PBY AMPLEON FET类型:LDMOS 频率:1.805GHz ~ 2.17GHz 增益:26dB 电压 - 测试:28V 额定电流:1.4µA 电流 - 测试:104mA 功率 - 输出:5W 电压:65V 封装/外壳:SOT-1211-2 封装/外壳:16-HSOPF
    未分类 BLM8D1822S-50PBGY AMPLEON FET类型:LDMOS 频率:1.805GHz ~ 2.17GHz 增益:26dB 电压 - 测试:28V 额定电流:1.4µA 电流 - 测试:104mA 功率 - 输出:5W 电压:65V 封装/外壳:SOT-1212-2 封装/外壳:16-HSOP
    未分类 BLM7G1822S-80PBY AMPLEON FET类型:LDMOS(双) 频率:2.17GHz 增益:28dB 电压 - 测试:28V 电流 - 测试:80mA 功率 - 输出:8W 电压:65V 封装/外壳:SOT-1211-2 封装/外壳:16-HSOPF
    未分类 BLM6G22-30G,135 AMPLEON 频率:2.11GHz ~ 2.17GHz 增益:30dB RF 类型:W-CDMA 封装/外壳:SOT822-1 封装/外壳:16-HSOP
    未分类 BLM6G22-30G,118 AMPLEON 频率:2.11GHz ~ 2.17GHz 增益:30dB RF 类型:W-CDMA 封装/外壳:SOT822-1 封装/外壳:16-HSOP
    未分类 BLL6H1214-500,112 AMPLEON FET类型:LDMOS(双),共源 频率:1.2GHz ~ 1.4GHz 增益:17dB 电压 - 测试:50V 电流 - 测试:150mA 功率 - 输出:500W 电压:100V 封装/外壳:SOT539A 封装/外壳:SOT539A
    未分类 BLM6G22-30,135 AMPLEON 频率:2.11GHz ~ 2.17GHz 增益:30dB RF 类型:W-CDMA 封装/外壳:SOT834-1 封装/外壳:16-HSOPF
    未分类 BLM6G22-30,118 AMPLEON 频率:2.11GHz ~ 2.17GHz 增益:30dB RF 类型:W-CDMA 封装/外壳:SOT834-1 封装/外壳:16-HSOPF
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    未分类 BLL6H1214LS-500,11 AMPLEON FET类型:LDMOS(双),共源 频率:1.2GHz ~ 1.4GHz 增益:17dB 电压 - 测试:50V 电流 - 测试:150mA 功率 - 输出:500W 电压:100V 封装/外壳:SOT-502B 封装/外壳:SOT502B
    未分类 BLL1214-250R,112 AMPLEON FET类型:LDMOS 频率:1.2GHz ~ 1.4GHz 增益:13dB 电压 - 测试:36V 电流 - 测试:150mA 功率 - 输出:250W 电压:75V 封装/外壳:SOT-502A 封装/外壳:LDMOST
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    未分类 BLL6H0514LS-130,11 AMPLEON FET类型:LDMOS 频率:1.2GHz ~ 1.4GHz 增益:17dB 电压 - 测试:50V 额定电流:18A 电流 - 测试:50mA 功率 - 输出:130W 电压:100V 封装/外壳:SOT-1135B 封装/外壳:CDFM2
    通用MOSFET BLL6H0514-25,112 AMPLEON FET类型:LDMOS 频率:1.2GHz ~ 1.4GHz 增益:21dB 电压-测试:50V 额定电流:2.5A 电流-测试:50mA 功率-输出:25W 电压:100V 封装/外壳:SOT467C
    未分类 BLL6G1214LS-250,11 AMPLEON FET类型:LDMOS 频率:1.2GHz ~ 1.4GHz 增益:15dB 电压 - 测试:36V 电流 - 测试:150mA 功率 - 输出:250W 电压:89V 封装/外壳:SOT-502B 封装/外壳:SOT502B
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    未分类 BLL1214-35,112 AMPLEON FET类型:LDMOS 频率:1.2GHz ~ 1.4GHz 增益:13dB 电压 - 测试:36V 电流 - 测试:50mA 功率 - 输出:35W 电压:75V 封装/外壳:SOT467C 封装/外壳:SOT467C
    未分类 BLL1214-250,112 AMPLEON FET类型:LDMOS 频率:1.2GHz ~ 1.4GHz 增益:12dB 电压 - 测试:36V 电流 - 测试:150mA 功率 - 输出:250W 电压:75V 封装/外壳:SOT-502A 封装/外壳:LDMOST
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