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    未分类 BLP9G0722-20Z AMPLEON FET类型:LDMOS 频率:400MHz ~ 2.7GHz 增益:19dB 电压 - 测试:28V 额定电流:1.4µA 电流 - 测试:180mA 功率 - 输出:43dBm 电压:65V 封装/外壳:SOT-1482-1 封装/外壳:SOT-1482-1
    未分类 BLP9G0722-20GZ AMPLEON FET类型:LDMOS 频率:400MHz ~ 2.7GHz 增益:19dB 电压 - 测试:28V 额定电流:1.4µA 电流 - 测试:180mA 功率 - 输出:43dBm 电压:65V 封装/外壳:SOT-1482-1 封装/外壳:SOT-1482-1
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    未分类 BLF8G20LS-230VU AMPLEON FET类型:LDMOS 频率:1.81GHz ~ 1.88GHz 增益:18dB 电压 - 测试:28V 电流 - 测试:1.8A 功率 - 输出:55W 电压:65V 封装/外壳:SOT-1239B 封装/外壳:CDFM6
    未分类 BLC8G27LS-100AVY AMPLEON FET类型:LDMOS(双),共源 频率:2.5GHz ~ 2.69GHz 增益:15.5dB 电压 - 测试:28V 电流 - 测试:250mA 功率 - 输出:17.8W 电压:65V 封装/外壳:SOT1275-1 封装/外壳:DFM6
    未分类 BLC8G21LS-160AVZ AMPLEON FET类型:LDMOS(双),共源 频率:1.88GHz ~ 2.03GHz 增益:15dB 电压 - 测试:28V 电流 - 测试:200mA 功率 - 输出:22.5W 电压:65V 封装/外壳:SOT1275-1 封装/外壳:DFM6
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    未分类 BLA8G1011LS-300U AMPLEON FET类型:LDMOS 频率:1.06GHz 增益:16.5dB 电压 - 测试:32V 电流 - 测试:150mA 功率 - 输出:300W 电压:65V 封装/外壳:SOT-502B 封装/外壳:SOT502B
    未分类 BLA9G1011LS-300GU AMPLEON FET类型:LDMOS 频率:1.03GHz ~ 1.09GHz 增益:21.8dB 电压 - 测试:32V 额定电流:4.2µA 电流 - 测试:100mA 功率 - 输出:317W 封装/外壳:SOT-502B 封装/外壳:SOT502E
    通用MOSFET BLF6G10LS-135R,112 AMPLEON FET类型:LDMOS 频率:871.5MHz ~ 891.5MHz 增益:21dB 电压-测试:28V 额定电流:32A 电流-测试:950mA 功率-输出:26.5W 电压:65V 封装/外壳:SOT502B
    通用三极管 BLW96/01,112 AMPLEON FET类型:NPN 电压-集射极击穿（最大值）:55V 频率-跃迁:235MHz 功率:340W 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:15 @ 7A,5V 电流-集电极（Ic）（最大值）:12A 工作温度:200°C(TJ) 封装/外壳:CRFM4
    通用MOSFET BLF1046,112 AMPLEON FET类型:LDMOS 频率:960MHz 增益:14dB 电压-测试:26V 额定电流:4.5A 电流-测试:300mA 功率-输出:45W 电压:65V 封装/外壳:SOT467C
    通用MOSFET BLF888A,112 AMPLEON FET类型:LDMOS(双),共源 频率:860MHz 增益:21dB 电压-测试:50V 电流-测试:1.3A 功率-输出:600W 电压:110V 封装/外壳:SOT539A
    通用MOSFET BLF647P,112 AMPLEON FET类型:LDMOS(双),共源 频率:1.3GHz 增益:18dB 电压-测试:32V 电流-测试:100mA 功率-输出:200W 电压:65V 封装/外壳:CDFM4
    通用MOSFET BLF368,112 AMPLEON FET类型:2N沟道(双)共源 频率:225MHz 增益:13.5dB 电压-测试:32V 额定电流:25A 电流-测试:250mA 功率-输出:300W 电压:65V 封装/外壳:CDFM4
    通用MOSFET BLF175,112 AMPLEON FET类型:N通道 频率:108MHz 增益:20dB 电压-测试:50V 额定电流:4A 电流-测试:30mA 功率-输出:30W 电压:125V 封装/外壳:CRFM4
    通用MOSFET BLF645,112 AMPLEON FET类型:LDMOS(双),共源 频率:1.3GHz 增益:16.5dB 电压-测试:32V 额定电流:32A 电流-测试:900mA 功率-输出:100W 电压:65V 封装/外壳:LDMOST
    通用MOSFET BLS7G2730L-200PU AMPLEON FET类型:LDMOS(双),共源 频率:2.7GHz ~ 3GHz 增益:12dB 电压-测试:32V 电流-测试:100mA 功率-输出:200W 电压:65V 封装/外壳:SOT539A
    通用MOSFET BLA1011-200,112 AMPLEON FET类型:LDMOS 频率:1.03GHz ~ 1.09GHz 增益:13dB 电压-测试:36V 电流-测试:150mA 功率-输出:200W 电压:75V 封装/外壳:LDMOST
    通用MOSFET BLF574,112 AMPLEON FET类型:LDMOS(双),共源 频率:225MHz 增益:26.5dB 电压-测试:50V 额定电流:56A 电流-测试:1A 功率-输出:400W 电压:110V 封装/外壳:SOT539A
    通用MOSFET BLF278,112 AMPLEON FET类型:2N沟道(双)共源 频率:108MHz 增益:22dB 电压-测试:50V 额定电流:18A 电流-测试:100mA 功率-输出:300W 电压:125V 封装/外壳:CDFM4
    通用MOSFET BLF178XR,112 AMPLEON FET类型:LDMOS(双),共源 频率:108MHz 增益:28dB 电压-测试:50V 电流-测试:40mA 功率-输出:1400W 电压:110V 封装/外壳:SOT539A
    未分类 BLF647A,112 AMPLEON
    通用MOSFET BLF571,112 AMPLEON FET类型:LDMOS 频率:225MHz 增益:27.5dB 电压-测试:50V 额定电流:3.6A 电流-测试:50mA 功率-输出:20W 电压:110V 封装/外壳:SOT467C
    通用MOSFET BLS6G2731S-130,112 AMPLEON FET类型:LDMOS 频率:2.7GHz ~ 3.1GHz 增益:12dB 电压-测试:32V 额定电流:33A 电流-测试:100mA 功率-输出:130W 电压:60V 封装/外壳:CDFM2
    通用MOSFET BLF578,112 AMPLEON FET类型:LDMOS(双),共源 频率:225MHz 增益:24dB 电压-测试:50V 额定电流:88A 电流-测试:40mA 功率-输出:1200W 电压:110V 封装/外壳:SOT539A
    通用MOSFET BLF248,112 AMPLEON FET类型:2N沟道(双)共源 频率:225MHz 增益:11.5dB 电压-测试:28V 额定电流:25A 功率-输出:300W 电压:65V 封装/外壳:CDFM4
    通用MOSFET BLF881,112 AMPLEON FET类型:LDMOS 频率:860MHz 增益:21dB 电压-测试:50V 电流-测试:500mA 功率-输出:140W 电压:104V 封装/外壳:SOT467C
    通用MOSFET BLF1043,112 AMPLEON FET类型:LDMOS 频率:960MHz 增益:18.5dB 电压-测试:26V 额定电流:2.2A 电流-测试:85mA 功率-输出:10W 电压:65V 封装/外壳:2-CDIP
    通用MOSFET BLF6G22-45,112 AMPLEON FET类型:LDMOS 频率:2.11GHz ~ 2.17GHz 增益:18.5dB 电压-测试:28V 电流-测试:405mA 功率-输出:2.5W 电压:65V 封装/外壳:CDFM2
    通用MOSFET BLA6H1011-600,112 AMPLEON FET类型:LDMOS(双),共源 频率:1.03GHz ~ 1.09GHz 增益:17dB 电压-测试:48V 额定电流:72A 电流-测试:100mA 功率-输出:600W 电压:100V 封装/外壳:SOT539A
    通用MOSFET BLF2043F,112 AMPLEON FET类型:LDMOS 频率:2.2GHz 增益:11dB 电压-测试:26V 额定电流:2.2A 电流-测试:85mA 功率-输出:10W 电压:65V 封装/外壳:SOT467C
    通用MOSFET BLF246,112 AMPLEON FET类型:N通道 频率:108MHz 增益:18dB 电压-测试:28V 额定电流:13A 电流-测试:100mA 功率-输出:80W 电压:65V 封装/外壳:CRFM4
    通用MOSFET BLF642,112 AMPLEON FET类型:LDMOS 频率:1.3GHz 增益:19dB 电压-测试:32V 电流-测试:200mA 功率-输出:35W 电压:65V 封装/外壳:SOT467C
    通用MOSFET BLF188XRU AMPLEON FET类型:LDMOS(双),共源 频率:108MHz 增益:24.4dB 电压-测试:50V 电流-测试:40mA 功率-输出:1400W 电压:135V 封装/外壳:SOT539A
    通用三极管 MZ0912B50Y,114 AMPLEON FET类型:NPN 电压-集射极击穿（最大值）:20V 频率-跃迁:1.215GHz 增益:8dB 功率:150W 电流-集电极（Ic）（最大值）:3A 封装/外壳:CDFM2
    通用MOSFET BLF244,112 AMPLEON FET类型:N通道 频率:175MHz 增益:17dB 电压-测试:28V 额定电流:3A 电流-测试:25mA 功率-输出:15W 电压:65V 封装/外壳:CRFM4
    通用MOSFET BLF6G20LS-110,112 AMPLEON FET类型:LDMOS 频率:1.93GHz ~ 1.99GHz 增益:19dB 电压-测试:28V 额定电流:29A 电流-测试:900mA 功率-输出:25W 电压:65V 封装/外壳:SOT502B
    通用MOSFET BLF244,112 AMPLEON FET类型:N通道 频率:175MHz 增益:17dB 电压-测试:28V 额定电流:3A 电流-测试:25mA 功率-输出:15W 电压:65V 封装/外壳:CRFM4
    通用MOSFET BLF177,112 AMPLEON FET类型:N通道 频率:108MHz 增益:19dB 电压-测试:50V 额定电流:16A 电流-测试:700mA 功率-输出:150W 电压:125V 封装/外壳:CRFM4
    通用MOSFET BLF175,112 AMPLEON FET类型:N通道 频率:108MHz 增益:20dB 电压-测试:50V 额定电流:4A 电流-测试:30mA 功率-输出:30W 电压:125V 封装/外壳:CRFM4
    通用MOSFET BLF6G10-45,112 AMPLEON FET类型:LDMOS 频率:922.5MHz ~ 957.5MHz 增益:22.5dB 电压-测试:28V 额定电流:13A 电流-测试:350mA 功率-输出:1W 电压:65V 封装/外壳:CDFM2
    通用MOSFET BLF145,112 AMPLEON FET类型:N通道 频率:28MHz 增益:27dB 电压-测试:28V 额定电流:6A 电流-测试:1.3A 功率-输出:8W 电压:65V 封装/外壳:SOT-123A
    通用MOSFET BLF6G38LS-50,112 AMPLEON FET类型:LDMOS 频率:3.4GHz ~ 3.6GHz 增益:14dB 电压-测试:28V 额定电流:16.5A 电流-测试:450mA 功率-输出:9W 电压:65V 封装/外壳:SOT502B
    通用MOSFET BLF245,112 AMPLEON FET类型:N通道 频率:175MHz 增益:15.5dB 电压-测试:28V 额定电流:6A 噪声系数:2dB 电流-测试:50mA 功率-输出:30W 电压:65V 封装/外壳:CRFM4
    通用MOSFET BLF245,112 AMPLEON FET类型:N通道 频率:175MHz 增益:15.5dB 电压-测试:28V 额定电流:6A 噪声系数:2dB 电流-测试:50mA 功率-输出:30W 电压:65V 封装/外壳:CRFM4
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    通用MOSFET BLF6H10L-160,112 AMPLEON FET类型:LDMOS 频率:952.5MHz ~ 957.5MHz 增益:20dB 电压-测试:50V 电流-测试:600mA 功率-输出:38W 电压:104V 封装/外壳:SOT467C
    通用MOSFET BLF6G22LS-75,112 AMPLEON FET类型:LDMOS 频率:2.11GHz ~ 2.17GHz 增益:18.7dB 电压-测试:28V 额定电流:18A 电流-测试:690mA 功率-输出:17W 电压:65V 封装/外壳:SOT502B
    通用三极管 BLW96/01,112 AMPLEON FET类型:NPN 电压-集射极击穿（最大值）:55V 频率-跃迁:235MHz 功率:340W 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:15 @ 7A,5V 电流-集电极（Ic）（最大值）:12A 工作温度:200°C(TJ) 封装/外壳:CRFM4
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    通用MOSFET BLF6G22S-45,112 AMPLEON FET类型:LDMOS 频率:2.11GHz ~ 2.17GHz 增益:18.5dB 电压-测试:28V 电流-测试:405mA 功率-输出:2.5W 电压:65V 封装/外壳:CDFM2
    通用MOSFET BLF245,112 AMPLEON FET类型:N通道 频率:175MHz 增益:15.5dB 电压-测试:28V 额定电流:6A 噪声系数:2dB 电流-测试:50mA 功率-输出:30W 电压:65V 封装/外壳:CRFM4
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    通用MOSFET BLF578XR,112 AMPLEON FET类型:LDMOS(双),共源 频率:225MHz 增益:23.5dB 电压-测试:50V 电流-测试:40mA 功率-输出:1400W 电压:110V 封装/外壳:SOT539A
    通用三极管 BLS2731-110,114 AMPLEON FET类型:NPN 电压-集射极击穿（最大值）:75V 频率-跃迁:3.1GHz 增益:7dB 功率:500W 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:40 @ 3A,5V 电流-集电极（Ic）（最大值）:12A 工作温度:200°C(TJ) 封装/外壳:CDFM2
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