分析两个具有更高性能和更低成本的200 V eGaN FET

人类社会的进步离不开社会各界的努力，而各种电子产品的升级离不开设计师的努力。实际上，许多人不了解诸如氮等电子产品的成分。
氟化镓场效应晶体管。新一代200 V氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）是48 VOUT同步整流，D类音频放大器，太阳能微逆变器和功率优化器以及多电平，高电压AC的理想功率器件/ DC转换器。
场效应晶体管（英语：field-effecttransistor，缩写：FET）是一种电子组件，可通过电场效应来控制电流。它依靠电场来控制导电沟道的形状，因此它可以控制半导体材料中某种类型载流子的沟道的电导率。
EPC最近推出了两款200 V eGaN FET（EPC2215和EPC2207），这是增强型硅上氮化镓（eGaN）功率场效应晶体管和集成电路的全球领导者，同时具有更高的性能和成本。较低，目前可用。
这些领先的GaN器件的应用非常广泛，包括D类音频放大器，同步整流器，太阳能最大功率点跟踪器（MPPT），DC / DC转换器（硬开关和谐振）以及多电平高压转换器件。场效应晶体管有时被称为单极晶体管。
将它们与具有单载流子类型功能的双极结型晶体管（BJT）进行比较。 EPC2215（8mΩ，162脉冲）和EPC2207（22mΩ，54脉冲）的尺寸比上一代200 V eGaN器件小约50％，而性能却提高了一倍。
与基准硅器件相比，这两个GaN器件具有更高的性能。 EPC2215的导通电阻降低了33％，但尺寸却减小了15倍。
它的栅极电荷（QG）比参考硅MOSFET器件小十倍，并且像所有eGaN FET一样，没有反向恢复电荷（QRR），因此D类音频放大器可以实现更低的失真并实现更高效率的同步整流器和电机驱动器。尽管由于半导体材料的局限性以及双极晶体管比场效应晶体管更容易制造的事实，但场效应晶体管的制造要晚于双极晶体管，但场效应晶体管的概念要早于双极晶体管。
EPC首席执行官兼联合创始人Alex Lidow表示：“最新一代的eGaN FET在更小的尺寸和更高的散热效率下实现了更高的性能，其成本与传统MOSFET器件相似。氮化镓器件是不可避免的。
更换老化的功率MOSFET器件的趋势变得越来越明显。场效应晶体管可以用于放大。
因为场效应管放大器的输入阻抗很高，所以耦合电容器可以具有较小的容量，因此不必使用电解电容器。由EPC和德克萨斯大学奥斯汀分校的半导体功率电子中心（SPEC）开发的基于400 V，2.5 kW，基于eGaN FET的四级飞电容器（FCML）图腾柱无桥整流器适用于数据中心。
使用了最新的200 V GaN场效应晶体管（EPC2215）。德克萨斯大学奥斯汀分校的Alex Huang教授说：“氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）的优越特性使转换器能够实现高功率密度，超高效率和低谐波失真。
”本文只能带您对GaN氮化镓场效应晶体管有一个初步的了解，这将帮助您入门。同时，您需要继续进行总结，以便提高您的专业技能。
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