IC普拉斯 元器件现货
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| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 马达 | MQMA011A3F | ||
| 马达 | MNMA5BCS2A | ||
| 马达 | MNMA2ACB1A | ||
| 风扇 | ASEN98001 | ||
| 编码器 | EVE-UPCAH516B | ||
| 编码器 | EVE-UPCAH508B | ||
| 编码器 | EVE-UBCAH508B | ||
| 马达 | MUXN960GY | ||
| 压电执行器 | AE0203D18H18DF | 系列:* 容值:400nF 偏差:±20% 高度:18mm 长度:100mm 电压:150V 宽度:3mm | |
| 压电执行器 | AE0707D16DF | 系列:* 容值:3.4uF 偏差:±20% 高度:20mm 长度:100mm 电压:150V 宽度:7mm | |
| 马达 | MUXN940GY | ||
| 隔离器 | MAX14850ASE+T | 隔离式电源:无 通道数:6 输入-输入侧1/输入侧2:4/4 FET类型:双向,单向 电压-隔离:600Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:1.5KV/µs 数据速率:2Mbps,50Mbps 电压-电源:3 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:16-SOIC | |
| 隔离器 | LTV-208 | 电压-隔离:3750Vrms 打开/关闭时间（典型值）:5µs,4µs 电压-输出（最大值）:80V 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流-DC正向（If）:30mA Vce饱和值（最大值）:400mV 通道数:2 电压 - 隔离:3750Vrms 电流传输比（最小值）:160% @ 10mA 电流传输比（最大值）:320% @ 10mA 打开 / 关闭时间（典型值）:5µs,4µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压 - 输出（最大值）:80V 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流 - DC 正向（If）:30mA Vce 饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-55°C ~ 110°C 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 封装/外壳:8-SOP | |
| 隔离器 | MAX14936FAWE+T | 隔离式电源:无 通道数:4 输入-输入侧1/输入侧2:2/2 FET类型:单向 电压-隔离:5000Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:25KV/µs(标准) 数据速率:150Mbps 传播延迟tpLH/tpHL（最大值）:7.5ns,7.4ns 脉宽失真（最大）:1ns 上升/下降时间（典型值）:2ns, 2ns 电压-电源:1.71 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:16-SOIC | |
| 隔离器 | MAX14936EAWE+T | 隔离式电源:无 通道数:4 输入-输入侧1/输入侧2:2/2 FET类型:单向 电压-隔离:5000Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:25KV/µs(标准) 数据速率:25Mbps 传播延迟tpLH/tpHL（最大值）:27.5ns,28.8ns 脉宽失真（最大）:2.6ns 上升/下降时间（典型值）:2ns, 2ns 电压-电源:1.71 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:16-SOIC | |
| 隔离器 | MAX14937AWE+T | FET类型:I²C 隔离式电源:无 通道数:2 输入-输入侧1/输入侧2:2/2 FET类型:双向 电压-隔离:5000Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:25KV/µs(标准) 脉宽失真（最大）:65ns,95ns 电压-电源:2.25 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:16-SOIC | |
| 隔离器 | MAX14937AWE+ | FET类型:I²C 隔离式电源:无 通道数:2 输入-输入侧1/输入侧2:2/2 FET类型:双向 电压-隔离:5000Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:25KV/µs(标准) 脉宽失真（最大）:65ns,95ns 电压-电源:2.25 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:16-SOIC | |
| 隔离器 | MAX14936EAWE+ | 隔离式电源:无 通道数:4 输入-输入侧1/输入侧2:2/2 FET类型:单向 电压-隔离:5000Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:25KV/µs(标准) 数据速率:25Mbps 传播延迟tpLH/tpHL（最大值）:27.5ns,28.8ns 脉宽失真（最大）:2.6ns 上升/下降时间（典型值）:2ns, 2ns 电压-电源:1.71 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:16-SOIC | |
| 隔离器 | MAX14936DAWE+T | 隔离式电源:无 通道数:4 输入-输入侧1/输入侧2:2/2 FET类型:单向 电压-隔离:5000Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:25KV/µs(标准) 数据速率:1Mbps 传播延迟tpLH/tpHL（最大值）:54.1ns,55.3ns 脉宽失真（最大）:4.5ns 上升/下降时间（典型值）:2ns, 2ns 电压-电源:1.71 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:16-SOIC | |
| 隔离器 | MAX14936DAWE+ | 隔离式电源:无 通道数:4 输入-输入侧1/输入侧2:2/2 FET类型:单向 电压-隔离:5000Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:25KV/µs(标准) 数据速率:1Mbps 传播延迟tpLH/tpHL（最大值）:54.1ns,55.3ns 脉宽失真（最大）:4.5ns 上升/下降时间（典型值）:2ns, 2ns 电压-电源:1.71 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:16-SOIC | |
| 隔离器 | MAX14936BAWE+T | 隔离式电源:无 通道数:4 输入-输入侧1/输入侧2:2/2 FET类型:单向 电压-隔离:5000Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:25KV/µs(标准) 数据速率:25Mbps 传播延迟tpLH/tpHL（最大值）:27.5ns,28.8ns 脉宽失真（最大）:2.6ns 上升/下降时间（典型值）:2ns, 2ns 电压-电源:1.71 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:16-SOIC | |
| 隔离器 | MAX14936BAWE+ | 隔离式电源:无 通道数:4 输入-输入侧1/输入侧2:2/2 FET类型:单向 电压-隔离:5000Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:25KV/µs(标准) 数据速率:25Mbps 传播延迟tpLH/tpHL（最大值）:27.5ns,28.8ns 脉宽失真（最大）:2.6ns 上升/下降时间（典型值）:2ns, 2ns 电压-电源:1.71 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:16-SOIC | |
| 隔离器 | MAX14936AAWE+ | 隔离式电源:无 通道数:4 输入-输入侧1/输入侧2:2/2 FET类型:单向 电压-隔离:5000Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:25KV/µs(标准) 数据速率:1Mbps 传播延迟tpLH/tpHL（最大值）:54.1ns,55.3ns 脉宽失真（最大）:4.5ns 上升/下降时间（典型值）:2ns, 2ns 电压-电源:1.71 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:16-SOIC | |
| 隔离器 | MAX14936AAWE+T | 隔离式电源:无 通道数:4 输入-输入侧1/输入侧2:2/2 FET类型:单向 电压-隔离:5000Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:25KV/µs(标准) 数据速率:1Mbps 传播延迟tpLH/tpHL（最大值）:54.1ns,55.3ns 脉宽失真（最大）:4.5ns 上升/下降时间（典型值）:2ns, 2ns 电压-电源:1.71 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:16-SOIC | |
| 隔离器 | MAX14932EAWE+ | 隔离式电源:无 通道数:4 输入-输入侧1/输入侧2:2/2 FET类型:单向 电压-隔离:2750Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:25KV/µs(标准) 数据速率:25Mbps 传播延迟tpLH/tpHL（最大值）:27.5ns,28.8ns 脉宽失真（最大）:2.6ns 上升/下降时间（典型值）:2ns, 2ns 电压-电源:1.71 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:16-SOIC | |
| 隔离器 | MAX14933AWE+T | FET类型:I²C 隔离式电源:无 通道数:2 输入-输入侧1/输入侧2:2/2 FET类型:双向 电压-隔离:2750Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:25KV/µs(标准) 脉宽失真（最大）:65ns,95ns 电压-电源:2.25 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:16-SOIC | |
| 隔离器 | MAX14933AWE+ | FET类型:I²C 隔离式电源:无 通道数:2 输入-输入侧1/输入侧2:2/2 FET类型:双向 电压-隔离:2750Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:25KV/µs(标准) 脉宽失真（最大）:65ns,95ns 电压-电源:2.25 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:16-SOIC | |
| 隔离器 | MAX14933ASE+T | FET类型:I²C 隔离式电源:无 通道数:2 输入-输入侧1/输入侧2:2/2 FET类型:双向 电压-隔离:2750Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:25KV/µs(标准) 脉宽失真（最大）:65ns,95ns 电压-电源:2.25 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:16-SOIC | |
| 隔离器 | MAX14933ASE+ | FET类型:I²C 隔离式电源:无 通道数:2 输入-输入侧1/输入侧2:2/2 FET类型:双向 电压-隔离:2750Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:25KV/µs(标准) 脉宽失真（最大）:65ns,95ns 电压-电源:2.25 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:16-SOIC | |
| 隔离器 | MAX14932FAWE+T | 隔离式电源:无 通道数:4 输入-输入侧1/输入侧2:2/2 FET类型:单向 电压-隔离:2750Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:25KV/µs(标准) 数据速率:150Mbps 传播延迟tpLH/tpHL（最大值）:7.5ns,7.4ns 脉宽失真（最大）:1ns 上升/下降时间（典型值）:2ns, 2ns 电压-电源:1.71 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:16-SOIC | |
| 隔离器 | MAX14932EAWE+T | 隔离式电源:无 通道数:4 输入-输入侧1/输入侧2:2/2 FET类型:单向 电压-隔离:2750Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:25KV/µs(标准) 数据速率:25Mbps 传播延迟tpLH/tpHL（最大值）:27.5ns,28.8ns 脉宽失真（最大）:2.6ns 上升/下降时间（典型值）:2ns, 2ns 电压-电源:1.71 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:16-SOIC | |
| 隔离器 | MAX14932DAWE+T | 隔离式电源:无 通道数:4 输入-输入侧1/输入侧2:2/2 FET类型:单向 电压-隔离:2750Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:25KV/µs(标准) 数据速率:1Mbps 传播延迟tpLH/tpHL（最大值）:54.1ns,55.3ns 脉宽失真（最大）:4.5ns 上升/下降时间（典型值）:2ns, 2ns 电压-电源:1.71 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:16-SOIC | |
| 隔离器 | MAX14932DAWE+ | 隔离式电源:无 通道数:4 输入-输入侧1/输入侧2:2/2 FET类型:单向 电压-隔离:2750Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:25KV/µs(标准) 数据速率:1Mbps 传播延迟tpLH/tpHL（最大值）:54.1ns,55.3ns 脉宽失真（最大）:4.5ns 上升/下降时间（典型值）:2ns, 2ns 电压-电源:1.71 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:16-SOIC 最高数据速率:1Mbit/s 通道数目:4 封装/外壳:SOIC 最大输入电流:18.6 mA 隔离电压:2.75 KVrms 上升时间:2ns 针数目:16 安装类型:表面安装 最低工作温度:-40°C 最高工作温度:+125°C 长度:10.5mm 深度:2.35mm 宽度:7.6mm | |
| 隔离器 | MAX14932BASE+T | 隔离式电源:无 通道数:4 输入-输入侧1/输入侧2:2/2 FET类型:单向 电压-隔离:2750Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:25KV/µs(标准) 数据速率:25Mbps 传播延迟tpLH/tpHL（最大值）:27.5ns,28.8ns 脉宽失真（最大）:2.6ns 上升/下降时间（典型值）:2ns, 2ns 电压-电源:1.71 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:16-SOIC | |
| 隔离器 | MAX14932BASE+ | 隔离式电源:无 通道数:4 输入-输入侧1/输入侧2:2/2 FET类型:单向 电压-隔离:2750Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:25KV/µs(标准) 数据速率:25Mbps 传播延迟tpLH/tpHL（最大值）:27.5ns,28.8ns 脉宽失真（最大）:2.6ns 上升/下降时间（典型值）:2ns, 2ns 电压-电源:1.71 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:16-SOIC 最高数据速率:25Mbit/s 通道数目:4 封装/外壳:SOIC 最大输入电流:18.6 mA 隔离电压:2.75 KVrms 上升时间:2ns 针数目:16 安装类型:表面安装 最低工作温度:-40°C 最高工作温度:+125°C 长度:10mm 深度:1.5mm 宽度:4mm | |
| 隔离器 | MAX14932AAWE+T | 隔离式电源:无 通道数:4 输入-输入侧1/输入侧2:2/2 FET类型:单向 电压-隔离:2750Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:25KV/µs(标准) 数据速率:1Mbps 传播延迟tpLH/tpHL（最大值）:54.1ns,55.3ns 脉宽失真（最大）:4.5ns 上升/下降时间（典型值）:2ns, 2ns 电压-电源:1.71 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:16-SOIC | |
| 隔离器 | MAX14931DAWE+T | 隔离式电源:无 通道数:4 输入-输入侧1/输入侧2:3/1 FET类型:单向 电压-隔离:2750Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:25KV/µs(标准) 数据速率:1Mbps 传播延迟tpLH/tpHL（最大值）:54.1ns,55.3ns 脉宽失真（最大）:4.5ns 上升/下降时间（典型值）:2ns, 2ns 电压-电源:1.71 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:16-SOIC | |
| 隔离器 | MAX14931CASE+T | 隔离式电源:无 通道数:4 输入-输入侧1/输入侧2:3/1 FET类型:单向 电压-隔离:2750Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:25KV/µs(标准) 数据速率:150Mbps 传播延迟tpLH/tpHL（最大值）:7.5ns,7.4ns 脉宽失真（最大）:1ns 上升/下降时间（典型值）:2ns, 2ns 电压-电源:1.71 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:16-SOIC | |
| 隔离器 | MAX14930FASE+T | 隔离式电源:无 通道数:4 输入-输入侧1/输入侧2:4/0 FET类型:单向 电压-隔离:2750Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:25KV/µs(标准) 数据速率:150Mbps 传播延迟tpLH/tpHL（最大值）:7.5ns,7.4ns 脉宽失真（最大）:1ns 上升/下降时间（典型值）:2ns, 2ns 电压-电源:1.71 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:16-SOIC | |
| 隔离器 | MAX14930BASE+T | 隔离式电源:无 通道数:4 输入-输入侧1/输入侧2:4/0 FET类型:单向 电压-隔离:2750Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:25KV/µs(标准) 数据速率:25Mbps 传播延迟tpLH/tpHL（最大值）:27.5ns,28.8ns 脉宽失真（最大）:2.6ns 上升/下降时间（典型值）:2ns, 2ns 电压-电源:1.71 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:16-SOIC | |
| 隔离器 | MAX14850AEE+T | 隔离式电源:无 通道数:6 输入-输入侧1/输入侧2:4/4 FET类型:双向,单向 电压-隔离:600Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:1.5KV/µs 数据速率:2Mbps,50Mbps 电压-电源:3 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:16-SSOP |