产品 |
型号 |
品牌 |
参数 |
马达 |
MQMA011A3F |
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马达 |
MNMA5BCS2A |
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马达 |
MNMA2ACB1A |
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风扇 |
ASEN98001 |
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编码器 |
EVE-UPCAH516B |
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编码器 |
EVE-UPCAH508B |
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编码器 |
EVE-UBCAH508B |
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马达 |
MUXN960GY |
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压电执行器 |
AE0203D18H18DF |
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系列:* 容值:400nF 偏差:±20% 高度:18mm 长度:100mm 电压:150V 宽度:3mm |
压电执行器 |
AE0707D16DF |
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系列:* 容值:3.4uF 偏差:±20% 高度:20mm 长度:100mm 电压:150V 宽度:7mm |
马达 |
MUXN940GY |
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隔离器 |
MAX14850ASE+T |
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隔离式电源:无 通道数:6 输入-输入侧1/输入侧2:4/4 FET类型:双向,单向 电压-隔离:600Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):1.5KV/µs 数据速率:2Mbps,50Mbps 电压-电源:3 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:16-SOIC |
隔离器 |
LTV-208 |
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电压-隔离:3750Vrms 打开/关闭时间(典型值):5µs,4µs 电压-输出(最大值):80V 电压-正向(Vf)(典型值):1.2V 电流-DC正向(If):30mA Vce饱和值(最大值):400mV 通道数:2 电压 - 隔离:3750Vrms 电流传输比(最小值):160% @ 10mA 电流传输比(最大值):320% @ 10mA 打开 / 关闭时间(典型值):5µs,4µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压 - 输出(最大值):80V 电压 - 正向(Vf)(典型值):1.2V 电流 - DC 正向(If):30mA Vce 饱和值(最大值):400mV 工作温度:-55°C ~ 110°C 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 封装/外壳:8-SOP |
隔离器 |
MAX14936FAWE+T |
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隔离式电源:无 通道数:4 输入-输入侧1/输入侧2:2/2 FET类型:单向 电压-隔离:5000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):25KV/µs(标准) 数据速率:150Mbps 传播延迟tpLH/tpHL(最大值):7.5ns,7.4ns 脉宽失真(最大):1ns 上升/下降时间(典型值):2ns, 2ns 电压-电源:1.71 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:16-SOIC |
隔离器 |
MAX14936EAWE+T |
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隔离式电源:无 通道数:4 输入-输入侧1/输入侧2:2/2 FET类型:单向 电压-隔离:5000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):25KV/µs(标准) 数据速率:25Mbps 传播延迟tpLH/tpHL(最大值):27.5ns,28.8ns 脉宽失真(最大):2.6ns 上升/下降时间(典型值):2ns, 2ns 电压-电源:1.71 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:16-SOIC |
隔离器 |
MAX14937AWE+T |
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FET类型:I²C 隔离式电源:无 通道数:2 输入-输入侧1/输入侧2:2/2 FET类型:双向 电压-隔离:5000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):25KV/µs(标准) 脉宽失真(最大):65ns,95ns 电压-电源:2.25 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:16-SOIC |
隔离器 |
MAX14937AWE+ |
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FET类型:I²C 隔离式电源:无 通道数:2 输入-输入侧1/输入侧2:2/2 FET类型:双向 电压-隔离:5000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):25KV/µs(标准) 脉宽失真(最大):65ns,95ns 电压-电源:2.25 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:16-SOIC |
隔离器 |
MAX14936EAWE+ |
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隔离式电源:无 通道数:4 输入-输入侧1/输入侧2:2/2 FET类型:单向 电压-隔离:5000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):25KV/µs(标准) 数据速率:25Mbps 传播延迟tpLH/tpHL(最大值):27.5ns,28.8ns 脉宽失真(最大):2.6ns 上升/下降时间(典型值):2ns, 2ns 电压-电源:1.71 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:16-SOIC |
隔离器 |
MAX14936DAWE+T |
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隔离式电源:无 通道数:4 输入-输入侧1/输入侧2:2/2 FET类型:单向 电压-隔离:5000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):25KV/µs(标准) 数据速率:1Mbps 传播延迟tpLH/tpHL(最大值):54.1ns,55.3ns 脉宽失真(最大):4.5ns 上升/下降时间(典型值):2ns, 2ns 电压-电源:1.71 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:16-SOIC |
隔离器 |
MAX14936DAWE+ |
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隔离式电源:无 通道数:4 输入-输入侧1/输入侧2:2/2 FET类型:单向 电压-隔离:5000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):25KV/µs(标准) 数据速率:1Mbps 传播延迟tpLH/tpHL(最大值):54.1ns,55.3ns 脉宽失真(最大):4.5ns 上升/下降时间(典型值):2ns, 2ns 电压-电源:1.71 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:16-SOIC |
隔离器 |
MAX14936BAWE+T |
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隔离式电源:无 通道数:4 输入-输入侧1/输入侧2:2/2 FET类型:单向 电压-隔离:5000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):25KV/µs(标准) 数据速率:25Mbps 传播延迟tpLH/tpHL(最大值):27.5ns,28.8ns 脉宽失真(最大):2.6ns 上升/下降时间(典型值):2ns, 2ns 电压-电源:1.71 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:16-SOIC |
隔离器 |
MAX14936BAWE+ |
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隔离式电源:无 通道数:4 输入-输入侧1/输入侧2:2/2 FET类型:单向 电压-隔离:5000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):25KV/µs(标准) 数据速率:25Mbps 传播延迟tpLH/tpHL(最大值):27.5ns,28.8ns 脉宽失真(最大):2.6ns 上升/下降时间(典型值):2ns, 2ns 电压-电源:1.71 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:16-SOIC |
隔离器 |
MAX14936AAWE+ |
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隔离式电源:无 通道数:4 输入-输入侧1/输入侧2:2/2 FET类型:单向 电压-隔离:5000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):25KV/µs(标准) 数据速率:1Mbps 传播延迟tpLH/tpHL(最大值):54.1ns,55.3ns 脉宽失真(最大):4.5ns 上升/下降时间(典型值):2ns, 2ns 电压-电源:1.71 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:16-SOIC |
隔离器 |
MAX14936AAWE+T |
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隔离式电源:无 通道数:4 输入-输入侧1/输入侧2:2/2 FET类型:单向 电压-隔离:5000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):25KV/µs(标准) 数据速率:1Mbps 传播延迟tpLH/tpHL(最大值):54.1ns,55.3ns 脉宽失真(最大):4.5ns 上升/下降时间(典型值):2ns, 2ns 电压-电源:1.71 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:16-SOIC |
隔离器 |
MAX14932EAWE+ |
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隔离式电源:无 通道数:4 输入-输入侧1/输入侧2:2/2 FET类型:单向 电压-隔离:2750Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):25KV/µs(标准) 数据速率:25Mbps 传播延迟tpLH/tpHL(最大值):27.5ns,28.8ns 脉宽失真(最大):2.6ns 上升/下降时间(典型值):2ns, 2ns 电压-电源:1.71 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:16-SOIC |
隔离器 |
MAX14933AWE+T |
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FET类型:I²C 隔离式电源:无 通道数:2 输入-输入侧1/输入侧2:2/2 FET类型:双向 电压-隔离:2750Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):25KV/µs(标准) 脉宽失真(最大):65ns,95ns 电压-电源:2.25 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:16-SOIC |
隔离器 |
MAX14933AWE+ |
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FET类型:I²C 隔离式电源:无 通道数:2 输入-输入侧1/输入侧2:2/2 FET类型:双向 电压-隔离:2750Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):25KV/µs(标准) 脉宽失真(最大):65ns,95ns 电压-电源:2.25 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:16-SOIC |
隔离器 |
MAX14933ASE+T |
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FET类型:I²C 隔离式电源:无 通道数:2 输入-输入侧1/输入侧2:2/2 FET类型:双向 电压-隔离:2750Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):25KV/µs(标准) 脉宽失真(最大):65ns,95ns 电压-电源:2.25 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:16-SOIC |
隔离器 |
MAX14933ASE+ |
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FET类型:I²C 隔离式电源:无 通道数:2 输入-输入侧1/输入侧2:2/2 FET类型:双向 电压-隔离:2750Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):25KV/µs(标准) 脉宽失真(最大):65ns,95ns 电压-电源:2.25 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:16-SOIC |
隔离器 |
MAX14932FAWE+T |
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隔离式电源:无 通道数:4 输入-输入侧1/输入侧2:2/2 FET类型:单向 电压-隔离:2750Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):25KV/µs(标准) 数据速率:150Mbps 传播延迟tpLH/tpHL(最大值):7.5ns,7.4ns 脉宽失真(最大):1ns 上升/下降时间(典型值):2ns, 2ns 电压-电源:1.71 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:16-SOIC |
隔离器 |
MAX14932EAWE+T |
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隔离式电源:无 通道数:4 输入-输入侧1/输入侧2:2/2 FET类型:单向 电压-隔离:2750Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):25KV/µs(标准) 数据速率:25Mbps 传播延迟tpLH/tpHL(最大值):27.5ns,28.8ns 脉宽失真(最大):2.6ns 上升/下降时间(典型值):2ns, 2ns 电压-电源:1.71 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:16-SOIC |
隔离器 |
MAX14932DAWE+T |
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隔离式电源:无 通道数:4 输入-输入侧1/输入侧2:2/2 FET类型:单向 电压-隔离:2750Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):25KV/µs(标准) 数据速率:1Mbps 传播延迟tpLH/tpHL(最大值):54.1ns,55.3ns 脉宽失真(最大):4.5ns 上升/下降时间(典型值):2ns, 2ns 电压-电源:1.71 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:16-SOIC |
隔离器 |
MAX14932DAWE+ |
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隔离式电源:无 通道数:4 输入-输入侧1/输入侧2:2/2 FET类型:单向 电压-隔离:2750Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):25KV/µs(标准) 数据速率:1Mbps 传播延迟tpLH/tpHL(最大值):54.1ns,55.3ns 脉宽失真(最大):4.5ns 上升/下降时间(典型值):2ns, 2ns 电压-电源:1.71 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:16-SOIC 最高数据速率:1Mbit/s 通道数目:4 封装/外壳:SOIC 最大输入电流:18.6 mA 隔离电压:2.75 KVrms 上升时间:2ns 针数目:16 安装类型:表面安装 最低工作温度:-40°C 最高工作温度:+125°C 长度:10.5mm 深度:2.35mm 宽度:7.6mm |
隔离器 |
MAX14932BASE+T |
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隔离式电源:无 通道数:4 输入-输入侧1/输入侧2:2/2 FET类型:单向 电压-隔离:2750Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):25KV/µs(标准) 数据速率:25Mbps 传播延迟tpLH/tpHL(最大值):27.5ns,28.8ns 脉宽失真(最大):2.6ns 上升/下降时间(典型值):2ns, 2ns 电压-电源:1.71 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:16-SOIC |
隔离器 |
MAX14932BASE+ |
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隔离式电源:无 通道数:4 输入-输入侧1/输入侧2:2/2 FET类型:单向 电压-隔离:2750Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):25KV/µs(标准) 数据速率:25Mbps 传播延迟tpLH/tpHL(最大值):27.5ns,28.8ns 脉宽失真(最大):2.6ns 上升/下降时间(典型值):2ns, 2ns 电压-电源:1.71 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:16-SOIC 最高数据速率:25Mbit/s 通道数目:4 封装/外壳:SOIC 最大输入电流:18.6 mA 隔离电压:2.75 KVrms 上升时间:2ns 针数目:16 安装类型:表面安装 最低工作温度:-40°C 最高工作温度:+125°C 长度:10mm 深度:1.5mm 宽度:4mm |
隔离器 |
MAX14932AAWE+T |
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隔离式电源:无 通道数:4 输入-输入侧1/输入侧2:2/2 FET类型:单向 电压-隔离:2750Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):25KV/µs(标准) 数据速率:1Mbps 传播延迟tpLH/tpHL(最大值):54.1ns,55.3ns 脉宽失真(最大):4.5ns 上升/下降时间(典型值):2ns, 2ns 电压-电源:1.71 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:16-SOIC |
隔离器 |
MAX14931DAWE+T |
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隔离式电源:无 通道数:4 输入-输入侧1/输入侧2:3/1 FET类型:单向 电压-隔离:2750Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):25KV/µs(标准) 数据速率:1Mbps 传播延迟tpLH/tpHL(最大值):54.1ns,55.3ns 脉宽失真(最大):4.5ns 上升/下降时间(典型值):2ns, 2ns 电压-电源:1.71 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:16-SOIC |
隔离器 |
MAX14931CASE+T |
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隔离式电源:无 通道数:4 输入-输入侧1/输入侧2:3/1 FET类型:单向 电压-隔离:2750Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):25KV/µs(标准) 数据速率:150Mbps 传播延迟tpLH/tpHL(最大值):7.5ns,7.4ns 脉宽失真(最大):1ns 上升/下降时间(典型值):2ns, 2ns 电压-电源:1.71 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:16-SOIC |
隔离器 |
MAX14930FASE+T |
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隔离式电源:无 通道数:4 输入-输入侧1/输入侧2:4/0 FET类型:单向 电压-隔离:2750Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):25KV/µs(标准) 数据速率:150Mbps 传播延迟tpLH/tpHL(最大值):7.5ns,7.4ns 脉宽失真(最大):1ns 上升/下降时间(典型值):2ns, 2ns 电压-电源:1.71 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:16-SOIC |
隔离器 |
MAX14930BASE+T |
|
隔离式电源:无 通道数:4 输入-输入侧1/输入侧2:4/0 FET类型:单向 电压-隔离:2750Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):25KV/µs(标准) 数据速率:25Mbps 传播延迟tpLH/tpHL(最大值):27.5ns,28.8ns 脉宽失真(最大):2.6ns 上升/下降时间(典型值):2ns, 2ns 电压-电源:1.71 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:16-SOIC |
隔离器 |
MAX14850AEE+T |
|
隔离式电源:无 通道数:6 输入-输入侧1/输入侧2:4/4 FET类型:双向,单向 电压-隔离:600Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):1.5KV/µs 数据速率:2Mbps,50Mbps 电压-电源:3 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:16-SSOP |
电位器 |
392510K |
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马达 |
MUXN606GY |
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隔离器 |
SFH691AT |
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通道数:1 Ohms 电压-隔离:3750Vrms 电流传输比(最小值):50% @ 5mA 电流传输比(最大值):300% @ 5mA 打开/关闭时间(典型值):5µs,3µs 上升/下降时间(典型值):3µs,4µs 输入类型:AC,DC 输出类型:晶体管 电压-输出(最大值):70V 电压-正向(Vf)(典型值):1.15V 电流-DC正向(If):50mA Vce饱和值(最大值):300mV 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:4-SOP |
隔离器 |
VO0631T |
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通道数:2 输入-输入侧1/输入侧2:2/0 电压-隔离:4000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):5KV/µs 输入类型:DC 输出类型:开路漏极 电流-输出/通道:50mA 数据速率:10MBd 传播延迟tpLH/tpHL(最大值):100ns,100ns 上升/下降时间(典型值):23ns,7ns 电压-正向(Vf)(典型值):1.4V 电流-DC正向(If):15mA 电压-电源:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:8-SOIC |
隔离器 |
TCMT4600 |
|
通道数:4 电压-隔离:3750Vrms 电流传输比(最小值):80% @ 5mA 电流传输比(最大值):300% @ 5mA 打开/关闭时间(典型值):6µs,5µs 上升/下降时间(典型值):3µs,4.7µs 输入类型:AC,DC 输出类型:晶体管 电压-输出(最大值):70V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向(Vf)(典型值):1.35V 电流-DC正向(If):60mA Vce饱和值(最大值):300mV 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:16-SOP |
隔离器 |
TCLT1006 |
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通道数:1 Ohms 电压-隔离:5000Vrms 电流传输比(最小值):100% @ 5mA 电流传输比(最大值):300% @ 5mA 打开/关闭时间(典型值):6µs,5µs 上升/下降时间(典型值):3µs,4.7µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出(最大值):70V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向(Vf)(典型值):1.25V Current-DCForward(If)(Max):60mA Vce饱和值(最大值):300mV 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:4-SOP |
编码器 |
EVQ-VND00115B |
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|
隔离器 |
SFH691AT |
|
通道数:1 Ohms 电压-隔离:3750Vrms 电流传输比(最小值):50% @ 5mA 电流传输比(最大值):300% @ 5mA 打开/关闭时间(典型值):5µs,3µs 上升/下降时间(典型值):3µs,4µs 输入类型:AC,DC 输出类型:晶体管 电压-输出(最大值):70V 电压-正向(Vf)(典型值):1.15V 电流-DC正向(If):50mA Vce饱和值(最大值):300mV 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:4-SOP |
隔离器 |
SFH6286-4T |
|
通道数:1 Ohms 电压-隔离:5300Vrms 电流传输比(最小值):160% @ 1mA 电流传输比(最大值):500% @ 1mA 打开/关闭时间(典型值):6µs,5.5µs 上升/下降时间(典型值):3.5µs,5µs 输入类型:AC,DC 输出类型:晶体管 电压-输出(最大值):55V 电压-正向(Vf)(典型值):1.1V Current-DCForward(If)(Max):50mA Vce饱和值(最大值):400mV 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:4-SMD |
隔离器 |
SFH6206-3T |
|
通道数:1 Ohms 电压-隔离:5300Vrms 电流传输比(最小值):100% @ 10mA 电流传输比(最大值):320% @ 10mA 打开/关闭时间(典型值):3µs,2.3µs 上升/下降时间(典型值):2µs,2µs 输入类型:AC,DC 输出类型:晶体管 电压-输出(最大值):70V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向(Vf)(典型值):1.25V 电流-DC正向(If):60mA Vce饱和值(最大值):400mV 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:4-SMD |
隔离器 |
SFH610A-3 |
|
通道数:1 Ohms 电压-隔离:5300Vrms 电流传输比(最小值):100% @ 10mA 电流传输比(最大值):200% @ 10mA 打开/关闭时间(典型值):3µs,2.3µs 上升/下降时间(典型值):2µs,2µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出(最大值):70V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向(Vf)(典型值):1.25V 电流-DC正向(If):60mA Vce饱和值(最大值):400mV 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:4-DIP |
隔离器 |
SFH6106-4T |
|
通道数:1 Ohms 电压-隔离:5300Vrms 电流传输比(最小值):160% @ 10mA 电流传输比(最大值):320% @ 10mA 打开/关闭时间(典型值):3µs,2.3µs 上升/下降时间(典型值):2µs,2µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出(最大值):70V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向(Vf)(典型值):1.25V 电流-DC正向(If):60mA Vce饱和值(最大值):400mV 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:4-SMD |
工业自动化与控制 |
2700144 |
|
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隔离器 |
PC367N2J000F |
|
通道数:1 Ohms 电压-隔离:3750Vrms 电流传输比(最小值):200% @ 500µA 电流传输比(最大值):400% @ 500µA 上升/下降时间(典型值):4µs,3µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出(最大值):80V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向(Vf)(典型值):1.2V Current-DCForward(If)(Max):10mA Vce饱和值(最大值):200mV 工作温度:-30°C ~ 100°C 封装/外壳:4-Mini-Flat |
隔离器 |
PC357N2J000F |
|
通道数:1 Ohms 电压-隔离:3750Vrms 电流传输比(最小值):130% @ 5mA 电流传输比(最大值):260% @ 5mA 上升/下降时间(典型值):4µs,3µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出(最大值):80V 电压-正向(Vf)(典型值):1.2V 电流-DC正向(If):50mA Vce饱和值(最大值):200mV 工作温度:-30°C ~ 100°C 封装/外壳:4-Mini-Flat |
工业自动化与控制 |
2700154 |
|
|
马达 |
M8MX25SK4CGA |
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|
工业自动化与控制 |
2700095 |
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|
工业自动化与控制 |
2702090 |
|
|
隔离器 |
LTV-205 |
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通道数:2 电压-隔离:3750Vrms 电流传输比(最小值):40% @ 10mA 电流传输比(最大值):80% @ 10mA 打开/关闭时间(典型值):5µs,4µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出(最大值):80V 电压-正向(Vf)(典型值):1.2V 电流-DC正向(If):30mA Vce饱和值(最大值):400mV 工作温度:-55°C ~ 110°C 封装/外壳:8-SOP 通道数:2 电压 - 隔离:3750Vrms 电流传输比(最小值):40% @ 10mA 电流传输比(最大值):80% @ 10mA 打开 / 关闭时间(典型值):5µs,4µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压 - 输出(最大值):80V 电压 - 正向(Vf)(典型值):1.2V 电流 - DC 正向(If):30mA Vce 饱和值(最大值):400mV 工作温度:-55°C ~ 110°C 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 封装/外壳:8-SOP |
隔离器 |
IL300-F-X007 |
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通道数:1 Ohms 电压-隔离:5300Vrms 上升/下降时间(典型值):1µs,1µs 输入类型:DC 输出类型:光伏,线性化 电压-输出(最大值):500mV 电流-输出/通道:70µA(标准) 电压-正向(Vf)(典型值):1.25V 电流-DC正向(If):60mA 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:8-SMD |
编码器 |
DP11SH3015B15Fn |
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编码器 |
DP11SHN15B25Kn: |
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接触器 |
DHR14BD1 |
TE(泰科) |
零件号别名:1-1616090-5 |
接触器 |
3100-40Q10999AT |
TE(泰科) |
关闭电压(最小值):6 VAC 端子类型:盒接片,快速连接 - 0.250"(6.3 mm) 触头材料:银镉氧化物(AgCdO) 线圈功率:9 VA 线圈电阻:5 欧姆 工作温度:-40°C ~ 65°C 继电器类型:接触器 线圈类型:无锁存 线圈电压:24VAC 触点形式:4PST-NO-DM(4 X 型) 触点额定电流:40A 开关电压:600VAC - 最大 导通电压(最大值):19.2 VAC |
接触器 |
FM200AAX |
TE(泰科) |
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接触器 |
LEV200H4ANA |
TE(泰科) |
导通电压(最大值):9 VDC 关闭电压(最小值):2 VDC 工作时间:25ms 释放时间:12ms 端子类型:柱头,导线引线 线圈电阻:11 欧姆 工作温度:-40°C ~ 85°C 继电器类型:接触器 线圈类型:无锁存 线圈电流:1.1A 线圈电压:12VDC 触点形式:SPST-NO(1 X 型) 触点额定电流:500A 开关电压:900VDC - 最大 |
接触器 |
DH7BC |
TE(泰科) |
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接触器 |
D56B |
TE(泰科) |
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接触器 |
3186Y30J75999BV |
TE(泰科) |
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接触器 |
DHR7B |
TE(泰科) |
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接触器 |
SD104 |
TE(泰科) |
零件号别名:2-1616923-9 |
接触器 |
D25BAH |
TE(泰科) |
零件号别名:1616034-2 |
接触器 |
3100-15Q19999CL |
TE(泰科) |
关闭电压(最小值):6 VAC 端子类型:螺丝端子,快速连接 - 0.250"(6.3mm) 触头材料:银镉氧化物(AgCdO) 线圈功率:5.25 VA 线圈电阻:16.5 欧姆 工作温度:-40°C ~ 65°C 继电器类型:接触器 线圈类型:无锁存 线圈电压:24VAC 触点形式:SPST-NO(1 X 型) 触点额定电流:25A 开关电压:600VAC - 最大 导通电压(最大值):18 VAC |
接触器 |
3100-20Q18999CL |
TE(泰科) |
关闭电压(最小值):6 VAC 端子类型:盒接片,快速连接 - 0.250"(6.3 mm) 触头材料:银镉氧化物(AgCdO) 线圈功率:7 VA 线圈电阻:11 欧姆 工作温度:-40°C ~ 65°C 继电器类型:接触器 线圈类型:无锁存 线圈电压:24VAC 触点形式:DPST-NO(2 X 型) 触点额定电流:40A 开关电压:600VAC - 最大 导通电压(最大值):18 VAC |
接触器 |
3100-20Q5999 |
TE(泰科) |
关闭电压(最小值):6 VAC 端子类型:螺丝端子,快速连接 - 0.250"(6.3mm) 触头材料:银镉氧化物(AgCdO) 线圈功率:7 VA 线圈电阻:11 欧姆 工作温度:-40°C ~ 65°C 继电器类型:接触器 线圈类型:无锁存 线圈电压:24VAC 触点形式:DPST-NO(2 X 型) 触点额定电流:26A 开关电压:600VAC - 最大 导通电压(最大值):18 VAC |
接触器 |
3100Y30I17999CJ |
TE(泰科) |
关闭电压(最小值):6 VAC 端子类型:盒接片,快速连接 - 0.250"(6.3 mm) 触头材料:银镉氧化物(AgCdO) 线圈功率:14 VA 线圈电阻:2.4 欧姆 工作温度:-40°C ~ 65°C 继电器类型:接触器 线圈类型:无锁存 线圈电压:24VAC 触点形式:3PST-NO-DM(3 X 型) 触点额定电流:60A 开关电压:600VAC - 最大 导通电压(最大值):18 VAC |
隔离器 |
CPC1001NTR |
IXYS |
通道数:1 Ohms 电压-隔离:1500Vrms 电流传输比(最小值):100% @ 200µA 电流传输比(最大值):800% @ 200µA 打开/关闭时间(典型值):1µs,30µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出(最大值):30V 电压-正向(Vf)(典型值):1.2V 电流-DC正向(If):200µA Vce饱和值(最大值):300mV 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:4-SOP |
隔离器 |
LDA100STR |
IXYS |
通道数:1 Ohms 电压-隔离:3750Vrms 电流传输比(最小值):33% @ 1mA 打开/关闭时间(典型值):7µs,20µs 输入类型:AC,DC 输出类型:有基极的晶体管 电压-输出(最大值):30V 电压-正向(Vf)(典型值):1.2V 电流-DC正向(If):1mA Vce饱和值(最大值):500mV 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:6-SMD |
隔离器 |
LDA110STR |
IXYS |
通道数:1 Ohms 电压-隔离:3750Vrms 电流传输比(最小值):300% @ 1mA 电流传输比(最大值):30000% @ 1mA 打开/关闭时间(典型值):8µs,345µs 输入类型:AC,DC 输出类型:有基极的达林顿晶体管 电压-输出(最大值):30V 电压-正向(Vf)(典型值):1.2V 电流-DC正向(If):100mA Vce饱和值(最大值):1V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:6-SMD |
隔离器 |
LDA200STR |
IXYS |
通道数:2 电压-隔离:3750Vrms 电流传输比(最小值):33% @ 1mA 电流传输比(最大值):1000% @ 1mA 打开/关闭时间(典型值):7µs,20µs 输入类型:AC,DC 输出类型:晶体管 电压-输出(最大值):30V 电压-正向(Vf)(典型值):1.2V 电流-DC正向(If):1mA Vce饱和值(最大值):500mV 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SMD |
隔离器 |
LDA111STR |
IXYS |
通道数:1 Ohms 电压-隔离:3750Vrms 电流传输比(最小值):300% @ 1mA 电流传输比(最大值):30000% @ 1mA 打开/关闭时间(典型值):8µs,345µs 输入类型:DC 输出类型:有基极的达林顿晶体管 电压-输出(最大值):30V 电压-正向(Vf)(典型值):1.2V 电流-DC正向(If):1mA Vce饱和值(最大值):1V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:6-SMD |
接触器 |
V23720A0001A001 |
TE(泰科) |
工作时间:25ms 端子类型:螺丝端子 触头材料:银合金 线圈电阻:4 欧姆 工作温度:-40°C ~ 85°C 继电器类型:接触器 线圈类型:无锁存 线圈电压:12VDC 触点形式:SPST-NO(1 X 型) 触点额定电流:250A 开关电压:450VDC - 공칭 |
接触器 |
P25P42D22P1-12 |
TE(泰科) |
导通电压(最大值):9 VDC 端子类型:螺丝端子,快速连接 - 0.250"(6.3mm) 触头材料:银镉氧化物(AgCdO) 线圈功率:8 W 线圈电阻:34 欧姆 工作温度:-55°C ~ 55°C 继电器类型:接触器 线圈类型:无锁存 线圈电流:353mA 线圈电压:12VDC 触点形式:3PST-NO-DM(3 X 型) 触点额定电流:25A 开关电压:600VAC - 最大 |
接触器 |
KCS03X024EAAA |
TE(泰科) |
导通电压(最大值):16 VDC 关闭电压(最小值):10 VDC 工作时间:20ms 释放时间:5ms 端子类型:柱头,导线引线 线圈功率:5.5 W 线圈电阻:120 欧姆 工作温度:-40°C ~ 105°C 继电器类型:接触器 线圈类型:无锁存 线圈电流:230mA 线圈电压:24VDC 触点形式:SPST-NO(1 X 型) 触点额定电流:600A 开关电压:600VDC - 最大 |
接触器 |
CAP120ASANG |
TE(泰科) |
导通电压(最大值):16 VDC 关闭电压(最小值):6 VDC 工作时间:8ms 释放时间:5ms 端子类型:柱头,导线引线 线圈功率:3.9 W 线圈电阻:200 欧姆 工作温度:-40°C ~ 85°C 继电器类型:接触器 线圈类型:无锁存 线圈电流:140mA 线圈电压:28VDC 触点形式:SPST-NO(1 X 型) 触点额定电流:150A 开关电压:600VDC - 最大 |
接触器 |
K1K06X024EAFA |
TE(泰科) |
导通电压(最大值):18 VDC 关闭电压(最小值):10 VDC 工作时间:50ms 释放时间:8ms 端子类型:导线引线 线圈功率:8 W 线圈电阻:72 欧姆 工作温度:-40°C ~ 105°C 继电器类型:接触器 线圈类型:无锁存 线圈电流:333mA 线圈电压:24VDC 触点形式:SPST-NO(1 X 型) 触点额定电流:1000A 开关电压:1000VDC - 最大 |
接触器 |
P30P42D12P1-24 |
TE(泰科) |
导通电压(最大值):18 VDC 端子类型:螺丝端子,快速连接 - 0.250"(6.3mm) 触头材料:银镉氧化物(AgCdO) 线圈功率:7.5 W 线圈电阻:84 欧姆 工作温度:-55°C ~ 65°C 继电器类型:接触器 线圈类型:无锁存 线圈电流:286mA 线圈电压:24VDC 触点形式:3PST-NO-DM(3 X 型) 触点额定电流:30A 开关电压:600VAC - 最大 |
接触器 |
DH7J1 |
TE(泰科) |
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接触器 |
E308AH |
TE(泰科) |
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接触器 |
BR125BC |
TE(泰科) |
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接触器 |
SA106E |
TE(泰科) |
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接触器 |
FM200BAXXX |
TE(泰科) |
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接触器 |
P40P42D12P1-12 |
TE(泰科) |
导通电压(最大值):9 VDC 端子类型:螺丝端子,快速连接 - 0.250"(6.3mm) 触头材料:银镉氧化物(AgCdO) 线圈功率:7.5 W 线圈电阻:20.8 欧姆 工作温度:-55°C ~ 65°C 继电器类型:接触器 线圈类型:无锁存 线圈电流:577mA 线圈电压:12VDC 触点形式:3PST-NO-DM(3 X 型) 触点额定电流:40A 开关电压:600VAC - 最大 |
接触器 |
D32AB |
TE(泰科) |
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接触器 |
K4001A3C |
TE(泰科) |
导通电压(最大值):13 VDC 关闭电压(最小值):9 VDC 工作时间:35ms 释放时间:20ms 端子类型:连接器 工作温度:-55°C ~ 85°C 继电器类型:接触器 线圈类型:无锁存 线圈电流:500mA 线圈电压:28VDC 触点形式:SPST-NO(1 X 型) 触点额定电流:400A 开关电压:28VDC - 标称 |
接触器 |
EV202AVAND |
TE(泰科) |
关闭电压(最小值):2.5 VDC 工作时间:13ms 释放时间:7ms 端子类型:柱头,导线引线 工作温度:-55°C ~ 85°C 继电器类型:接触器 线圈类型:无锁存 线圈电压:12VDC 触点形式:DPST-NO(2 X 型) 触点额定电流:350A 开关电压:600VDC - 最大 导通电压(最大值):8 VDC |
接触器 |
KHR500KSANL |
TE(泰科) |
导通电压(最大值):13 VDC 关闭电压(最小值):8 VDC 工作时间:25ms 释放时间:15ms 端子类型:螺丝端子,导线引线 工作温度:-40°C ~ 125°C 继电器类型:接触器 线圈类型:无锁存 线圈电流:320mA 线圈电压:24VDC 触点形式:SPST-NO(1 X 型) 触点额定电流:600A 开关电压:1000VDC - 最大 |
接触器 |
P40P42A12P1-24 |
TE(泰科) |
端子类型:螺丝端子,快速连接 - 0.250"(6.3mm) 触头材料:银镉氧化物(AgCdO) 线圈功率:12 VA 工作温度:-55°C ~ 65°C 继电器类型:接触器 线圈类型:无锁存 线圈电压:24VAC 触点形式:3PST-NO-DM(3 X 型) 触点额定电流:40A 开关电压:600VAC - 最大 导通电压(最大值):20.4 VAC |