IC普拉斯 元器件现货
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| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 多谐振荡器 | HEF4528BT-Q100J | 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:40ns 工作温度:-40~85℃ 工作热阻:82,40.7 电源电压:4.5 - 15.5 输出电流:± 2.4mA 逻辑切换水平:CMOS | |
| 多谐振荡器 | HEF4528BT,653 | 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:40ns 工作温度:-40~85℃ 工作热阻:40.7,82 电源电压:4.5 - 15.5 输出电流:± 2.4mA 逻辑切换水平:CMOS | |
| 多谐振荡器 | 74LVC1G123DC-Q100H | 封装/外壳:SOT765 传播延迟时间:3.5ns 工作温度:-40℃~125℃ 工作热阻:203,113 电源电压:1.65V~5.5V 输出电流:±32mA 逻辑切换水平:CMOS/LVTTL | |
| 多谐振荡器 | 74LVC1G123DP,125 | 封装/外壳:SOT505 传播延迟时间:3.5ns 工作温度:-40℃~125℃ 工作热阻:105,214 电源电压:1.65V~5.5V 输出电流:±32mA 逻辑切换水平:CMOS/LVTTL | |
| 多谐振荡器 | 74LVC1G123DC,125 | 封装/外壳:SOT765 传播延迟时间:3.5ns 工作温度:-40℃~125℃ 工作热阻:113,203 电源电压:1.65V~5.5V 输出电流:±32mA 逻辑切换水平:CMOS/LVTTL | |
| 多谐振荡器 | 74HCT4538D,118 | 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:30ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:32.8,74 电源电压:4.5 - 5.5 输出电流:± 4mA 逻辑切换水平:TTL | |
| 多谐振荡器 | 74HC123PW-Q100,118 | 封装/外壳:SOT403 传播延迟时间:26ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:122,51.5 电源电压:2.0 - 6.0 输出电流:± 5.2mA 逻辑切换水平:CMOS | |
| 多谐振荡器 | 74LVC1G123GN,115 | 封装/外壳:SOT1116 传播延迟时间:3.5ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:237,147 电源电压:1.65 - 5.5 输出电流:± 32mA 逻辑切换水平:CMOS/LVTTL | |
| 多谐振荡器 | 74HCT4538PW,112 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT403 传播延迟时间:30ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:109,37 电源电压:4.5 - 5.5 输出电流:± 4mA 逻辑切换水平:TTL |
| 多谐振荡器 | MC74HC4538ADR2G | ON(安森美) | 系列:74HC 逻辑类型:单稳态 独立电路:2 施密特触发器输入:是 传播延迟:30ns 电流-输出高，低:5.2mA,5.2mA 电压-电源:2 V ~ 6 V 工作温度:-55°C ~ 125°C 封装/外壳:16-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 电流 - 输出高，低:5.2mA,5.2mA 电压 - 电源:2 V ~ 6 V |
| 多谐振荡器 | 74AHCT123APW,118 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT403 传播延迟时间:5.0ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:55.7,126 电源电压:4.5 - 5.5 输出电流:± 8mA 逻辑切换水平:TTL |
| 多谐振荡器 | 74HC123D,653 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:26ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:90,49 电源电压:2.0 - 6.0 输出电流:± 5.2mA 逻辑切换水平:CMOS |
| 多谐振荡器 | 74HC4538D,652 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:27ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:77,35 电源电压:2.0 - 6.0 输出电流:± 5.2mA 逻辑切换水平:CMOS |
| 多谐振荡器 | 74HC423D,652 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:23ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:35,77 电源电压:2.0 - 6.0 输出电流:± 5.2mA 逻辑切换水平:CMOS |
| 多谐振荡器 | 74HC423D,653 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:23ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:35,77 电源电压:2.0 - 6.0 输出电流:± 5.2mA 逻辑切换水平:CMOS |
| 多谐振荡器 | 74HC423D,652 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:23ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:35,77 电源电压:2.0 - 6.0 输出电流:± 5.2mA 逻辑切换水平:CMOS |
| 多谐振荡器 | 74HCT4538D,112 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:30ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:74,32.8 电源电压:4.5 - 5.5 输出电流:± 4mA 逻辑切换水平:TTL |
| 多谐振荡器 | 74LV123PW,118 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT403 传播延迟时间:20ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:118,47.1 电源电压:1.0 - 5.5 输出电流:± 12mA 逻辑切换水平:TTL |
| 多谐振荡器 | 74LVC1G123DC,125 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT765 传播延迟时间:3.5ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:113,203 电源电压:1.65 - 5.5 输出电流:± 32mA 逻辑切换水平:CMOS/LVTTL |
| 多谐振荡器 | MC74HC4538ADR2G | ON(安森美) | 系列:74HC 逻辑类型:单稳态 独立电路:2 施密特触发器输入:是 传播延迟:30ns 电流-输出高，低:5.2mA,5.2mA 电压-电源:2 V ~ 6 V 工作温度:-55°C ~ 125°C 封装/外壳:16-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 电流 - 输出高，低:5.2mA,5.2mA 电压 - 电源:2 V ~ 6 V |
| 多谐振荡器 | MC74HC4538ADR2G | ON(安森美) | 系列:74HC 逻辑类型:单稳态 独立电路:2 施密特触发器输入:是 传播延迟:30ns 电流-输出高，低:5.2mA,5.2mA 电压-电源:2 V ~ 6 V 工作温度:-55°C ~ 125°C 封装/外壳:16-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 电流 - 输出高，低:5.2mA,5.2mA 电压 - 电源:2 V ~ 6 V |
| 多谐振荡器 | MC74HC4538ADR2G | ON(安森美) | 系列:74HC 逻辑类型:单稳态 独立电路:2 施密特触发器输入:是 传播延迟:30ns 电流-输出高，低:5.2mA,5.2mA 电压-电源:2 V ~ 6 V 工作温度:-55°C ~ 125°C 封装/外壳:16-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 电流 - 输出高，低:5.2mA,5.2mA 电压 - 电源:2 V ~ 6 V |
| 多谐振荡器 | 74HC123D,652 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:26ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:49,90 电源电压:2.0 - 6.0 输出电流:± 5.2mA 逻辑切换水平:CMOS |
| 多谐振荡器 | 74HC4538D,653 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:27ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:77,35 电源电压:2.0 - 6.0 输出电流:± 5.2mA 逻辑切换水平:CMOS |
| 多谐振荡器 | 74HCT123D,653 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:26ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:49,90 电源电压:4.5 - 5.5 输出电流:± 4mA 逻辑切换水平:TTL |
| 多谐振荡器 | 74HC4538D,652 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:27ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:77,35 电源电压:2.0 - 6.0 输出电流:± 5.2mA 逻辑切换水平:CMOS |
| 多谐振荡器 | 74HC4538D,653 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:27ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:77,35 电源电压:2.0 - 6.0 输出电流:± 5.2mA 逻辑切换水平:CMOS |
| 多谐振荡器 | 74HC423D,652 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:23ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:35,77 电源电压:2.0 - 6.0 输出电流:± 5.2mA 逻辑切换水平:CMOS |
| 多谐振荡器 | 74HC423D,653 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:23ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:35,77 电源电压:2.0 - 6.0 输出电流:± 5.2mA 逻辑切换水平:CMOS |
| 多谐振荡器 | 74HCT123PW,118 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT403 传播延迟时间:26ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:122,51.5 电源电压:4.5 - 5.5 输出电流:± 4mA 逻辑切换水平:TTL |
| 多谐振荡器 | 74LV123D,118 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:20ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:84,43.3 电源电压:1.0 - 5.5 输出电流:± 12mA 逻辑切换水平:TTL |
| 多谐振荡器 | 74LVC1G123DP,125 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT505 传播延迟时间:3.5ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:105,214 电源电压:1.65 - 5.5 输出电流:± 32mA 逻辑切换水平:CMOS/LVTTL |
| 多谐振荡器 | HEF4047BT,652 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT108 传播延迟时间:50ns 工作温度:-40~85℃ 工作热阻:26,69 电源电压:4.5 - 15.5 输出电流:± 2.4mA 逻辑切换水平:CMOS |
| 多谐振荡器 | 74HC123PW,112 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT403 传播延迟时间:26ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:122,51.5 电源电压:2.0 - 6.0 输出电流:± 5.2mA 逻辑切换水平:CMOS |
| 多谐振荡器 | HEF4047BT,653 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT108 传播延迟时间:50ns 工作温度:-40~85℃ 工作热阻:26,69 电源电压:4.5 - 15.5 输出电流:± 2.4mA 逻辑切换水平:CMOS |
| 多谐振荡器 | HEF4538BT,652 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:60ns 工作温度:-40~85℃ 工作热阻:37,78 电源电压:4.5 - 15.5 输出电流:± 2.4mA 逻辑切换水平:CMOS |
| 多谐振荡器 | 74HC123BQ-Q100,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT763 传播延迟时间:9.0ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:59,90 电源电压:2.0 - 6.0 输出电流:± 7.8mA 逻辑切换水平:CMOS |
| 多谐振荡器 | 74HC4538D,653 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:27ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:77,35 电源电压:2.0 - 6.0 输出电流:± 5.2mA 逻辑切换水平:CMOS |
| 多谐振荡器 | 74HC423D,652 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:23ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:35,77 电源电压:2.0 - 6.0 输出电流:± 5.2mA 逻辑切换水平:CMOS |
| 多谐振荡器 | 74HCT123D,653 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:26ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:49,90 电源电压:4.5 - 5.5 输出电流:± 4mA 逻辑切换水平:TTL |
| 多谐振荡器 | 74HCT4538PW,112 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT403 传播延迟时间:30ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:109,37 电源电压:4.5 - 5.5 输出电流:± 4mA 逻辑切换水平:TTL |
| 多谐振荡器 | HEF4538BT,653 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:60ns 工作温度:-40~85℃ 工作热阻:37,78 电源电压:4.5 - 15.5 输出电流:± 2.4mA 逻辑切换水平:CMOS |
| 多谐振荡器 | HEF4528BT,652 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:40ns 工作温度:-40~85℃ 工作热阻:82,40.7 电源电压:4.5 - 15.5 输出电流:± 2.4mA 逻辑切换水平:CMOS |
| 多谐振荡器 | 74HC123D,653 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:26ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:90,49 电源电压:2.0 - 6.0 输出电流:± 5.2mA 逻辑切换水平:CMOS |
| 多谐振荡器 | 74HC123D,653 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:26ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:90,49 电源电压:2.0 - 6.0 输出电流:± 5.2mA 逻辑切换水平:CMOS |
| 多谐振荡器 | 74HC123PW,112 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT403 传播延迟时间:26ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:122,51.5 电源电压:2.0 - 6.0 输出电流:± 5.2mA 逻辑切换水平:CMOS |
| 多谐振荡器 | 74HC423BQ,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT763 传播延迟时间:23ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:80,47 电源电压:2.0 - 6.0 输出电流:± 5.2mA 逻辑切换水平:CMOS |
| 多谐振荡器 | 74HC4538PW,118 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT403 传播延迟时间:27ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:37,109 电源电压:2.0 - 6.0 输出电流:± 5.2mA 逻辑切换水平:CMOS |
| 多谐振荡器 | 74HCT123D,652 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:26ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:49,90 电源电压:4.5 - 5.5 输出电流:± 4mA 逻辑切换水平:TTL |
| 多谐振荡器 | 74HCT4538D,118 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:30ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:32.8,74 电源电压:4.5 - 5.5 输出电流:± 4mA 逻辑切换水平:TTL |
| 多谐振荡器 | HEF4528BT,653 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:40ns 工作温度:-40~85℃ 工作热阻:40.7,82 电源电压:4.5 - 15.5 输出电流:± 2.4mA 逻辑切换水平:CMOS |
| 多谐振荡器 | HEF4047BT,653 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT108 传播延迟时间:50ns 工作温度:-40~85℃ 工作热阻:26,69 电源电压:4.5 - 15.5 输出电流:± 2.4mA 逻辑切换水平:CMOS |
| 多谐振荡器 | 74AHC123APW,118 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT403 传播延迟时间:5.1ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:55.7,126 电源电压:2.0 - 5.5 输出电流:± 8mA 逻辑切换水平:CMOS |
| 多谐振荡器 | 74HC4538D,652 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:27ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:77,35 电源电压:2.0 - 6.0 输出电流:± 5.2mA 逻辑切换水平:CMOS |
| 多谐振荡器 | 74HCT123DB,112 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT338 传播延迟时间:26ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:148 电源电压:4.5 - 5.5 输出电流:+/- 4mA 逻辑切换水平:TTL |
| 多谐振荡器 | 74LV123PW,118 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT403 传播延迟时间:20ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:118,47.1 电源电压:1.0 - 5.5 输出电流:± 12mA 逻辑切换水平:TTL |
| 多谐振荡器 | 74AHC123ABQ,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT763 传播延迟时间:5.1ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:63,94 电源电压:2.0 - 5.5 输出电流:± 8mA 逻辑切换水平:CMOS |
| 多谐振荡器 | 74HC123PW-Q100,118 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT403 传播延迟时间:26ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:122,51.5 电源电压:2.0 - 6.0 输出电流:± 5.2mA 逻辑切换水平:CMOS |
| 多谐振荡器 | 74HC123D,652 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:26ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:49,90 电源电压:2.0 - 6.0 输出电流:± 5.2mA 逻辑切换水平:CMOS |
| 多谐振荡器 | 74HC123PW,118 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT403 传播延迟时间:26ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:51.5,122 电源电压:2.0 - 6.0 输出电流:± 5.2mA 逻辑切换水平:CMOS |
| 多谐振荡器 | 74HC4538D,652 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:27ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:77,35 电源电压:2.0 - 6.0 输出电流:± 5.2mA 逻辑切换水平:CMOS |
| 多谐振荡器 | 74HCT4538D,118 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:30ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:32.8,74 电源电压:4.5 - 5.5 输出电流:± 4mA 逻辑切换水平:TTL |
| 多谐振荡器 | 74AHC123APW,112 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT403 传播延迟时间:5.1ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:55.7,126 电源电压:2.0 - 5.5 输出电流:± 8mA 逻辑切换水平:CMOS |
| 多谐振荡器 | 74HC123BQ,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT763 传播延迟时间:9.0ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:90,59 电源电压:2.0 - 6.0 输出电流:± 7.8mA 逻辑切换水平:CMOS |
| 多谐振荡器 | 74HCT123PW,118 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT403 传播延迟时间:26ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:122,51.5 电源电压:4.5 - 5.5 输出电流:± 4mA 逻辑切换水平:TTL |
| 多谐振荡器 | 74LVC1G123GT,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT833 传播延迟时间:3.5ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:326,156 电源电压:1.65 - 5.5 输出电流:± 32mA 逻辑切换水平:CMOS/LVTTL |
| 多谐振荡器 | 74LVC1G123GS,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT1203 传播延迟时间:3.5ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:275,145 电源电压:1.65 - 5.5 输出电流:± 32mA 逻辑切换水平:CMOS/LVTTL |
| 多谐振荡器 | 74LVC1G123DC,125 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT765 传播延迟时间:3.5ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:113,203 电源电压:1.65 - 5.5 输出电流:± 32mA 逻辑切换水平:CMOS/LVTTL |
| 多谐振荡器 | 74LVC1G123GN,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT1116 传播延迟时间:3.5ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:237,147 电源电压:1.65 - 5.5 输出电流:± 32mA 逻辑切换水平:CMOS/LVTTL |
| 多谐振荡器 | 74AHC123APW,118 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT403 传播延迟时间:5.1ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:55.7,126 电源电压:2.0 - 5.5 输出电流:± 8mA 逻辑切换水平:CMOS |
| 多谐振荡器 | 74HC423D,652 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:23ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:35,77 电源电压:2.0 - 6.0 输出电流:± 5.2mA 逻辑切换水平:CMOS |
| 多谐振荡器 | 74HC4538PW,118 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT403 传播延迟时间:27ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:37,109 电源电压:2.0 - 6.0 输出电流:± 5.2mA 逻辑切换水平:CMOS |
| 多谐振荡器 | 74AHC123ABQ,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT763 传播延迟时间:5.1ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:63,94 电源电压:2.0 - 5.5 输出电流:± 8mA 逻辑切换水平:CMOS |
| 多谐振荡器 | 74AHC123APW,118 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT403 传播延迟时间:5.1ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:55.7,126 电源电压:2.0 - 5.5 输出电流:± 8mA 逻辑切换水平:CMOS |
| 多谐振荡器 | 74AHCT123ABQ-Q100X | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT763 传播延迟时间:5.0ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:63,94 电源电压:4.5 - 5.5 输出电流:± 8mA 逻辑切换水平:TTL |
| 多谐振荡器 | 74HC123D,652 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:26ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:49,90 电源电压:2.0 - 6.0 输出电流:± 5.2mA 逻辑切换水平:CMOS |
| 多谐振荡器 | 74HCT4538D,112 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:30ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:74,32.8 电源电压:4.5 - 5.5 输出电流:± 4mA 逻辑切换水平:TTL |
| 多谐振荡器 | 74LV123BQ,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT763 传播延迟时间:20ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:86,54 电源电压:1.0 - 5.5 输出电流:± 12mA 逻辑切换水平:TTL |
| 多谐振荡器 | 74LV123DB,118 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT338 传播延迟时间:20ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:148 电源电压:1.0 - 5.5 输出电流:+/- 12mA 逻辑切换水平:TTL |
| 多谐振荡器 | 74LVC1G123GF,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT1089 传播延迟时间:3.5ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:253,123 电源电压:1.65 - 5.5 输出电流:+/- 32mA 逻辑切换水平:CMOS/LVTTL |
| 多谐振荡器 | HEF4528BT,653 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:40ns 工作温度:-40~85℃ 工作热阻:40.7,82 电源电压:4.5 - 15.5 输出电流:± 2.4mA 逻辑切换水平:CMOS |
| 多谐振荡器 | 74HCT123D,652 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:26ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:49,90 电源电压:4.5 - 5.5 输出电流:± 4mA 逻辑切换水平:TTL |
| 多谐振荡器 | 74HCT221D,112 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:32ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:62,19 电源电压:4.5 - 5.5 输出电流:± 4mA 逻辑切换水平:TTL |
| 多谐振荡器 | 74LVC1G123DC,125 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT765 传播延迟时间:3.5ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:113,203 电源电压:1.65 - 5.5 输出电流:± 32mA 逻辑切换水平:CMOS/LVTTL |
| 多谐振荡器 | 74AHC123AD,118 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:5.1ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:93,53 电源电压:2.0 - 5.5 输出电流:± 8mA 逻辑切换水平:CMOS |
| 多谐振荡器 | 74HC4538D,653 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:27ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:77,35 电源电压:2.0 - 6.0 输出电流:± 5.2mA 逻辑切换水平:CMOS |
| 多谐振荡器 | 74HC4538D,652 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:27ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:77,35 电源电压:2.0 - 6.0 输出电流:± 5.2mA 逻辑切换水平:CMOS |
| 多谐振荡器 | 74HCT123PW,112 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT403 传播延迟时间:26ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:51.5,122 电源电压:4.5 - 5.5 输出电流:± 4mA 逻辑切换水平:TTL |
| 多谐振荡器 | 74HCT4538D,118 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:30ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:32.8,74 电源电压:4.5 - 5.5 输出电流:± 4mA 逻辑切换水平:TTL |
| 多谐振荡器 | HEF4047BT,653 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT108 传播延迟时间:50ns 工作温度:-40~85℃ 工作热阻:26,69 电源电压:4.5 - 15.5 输出电流:± 2.4mA 逻辑切换水平:CMOS |
| 多谐振荡器 | 74AHC123ABQ-Q100X | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT763 传播延迟时间:5.1ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:63,94 电源电压:2.0 - 5.5 输出电流:± 8mA 逻辑切换水平:CMOS |
| 多谐振荡器 | 74AHCT123ABQ,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT763 传播延迟时间:5.0ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:63,94 电源电压:4.5 - 5.5 输出电流:± 8mA 逻辑切换水平:TTL |
| 多谐振荡器 | 74AHCT123APW,118 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT403 传播延迟时间:5.0ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:55.7,126 电源电压:4.5 - 5.5 输出电流:± 8mA 逻辑切换水平:TTL |
| 多谐振荡器 | 74HC123D,653 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:26ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:90,49 电源电压:2.0 - 6.0 输出电流:± 5.2mA 逻辑切换水平:CMOS |
| 多谐振荡器 | 74HC123PW,118 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT403 传播延迟时间:26ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:51.5,122 电源电压:2.0 - 6.0 输出电流:± 5.2mA 逻辑切换水平:CMOS |
| 多谐振荡器 | 74HC423D,653 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:23ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:35,77 电源电压:2.0 - 6.0 输出电流:± 5.2mA 逻辑切换水平:CMOS |
| 多谐振荡器 | 74HCT123D,653 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:26ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:49,90 电源电压:4.5 - 5.5 输出电流:± 4mA 逻辑切换水平:TTL |
| 多谐振荡器 | 74LVC1G123DP,125 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT505 传播延迟时间:3.5ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:105,214 电源电压:1.65 - 5.5 输出电流:± 32mA 逻辑切换水平:CMOS/LVTTL |
| 多谐振荡器 | 74HC4538PW,118 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT403 传播延迟时间:27ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:37,109 电源电压:2.0 - 6.0 输出电流:± 5.2mA 逻辑切换水平:CMOS |
| 多谐振荡器 | 74HCT123PW,112 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT403 传播延迟时间:26ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:51.5,122 电源电压:4.5 - 5.5 输出电流:± 4mA 逻辑切换水平:TTL |