IC普拉斯 元器件现货
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| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| TVS二极管单管 | AOZ8821DT-03 | 反向工作电压Vrwm:3.6V(最大) 峰值脉冲电流Ipp:6A(8/20µs) 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:DFN2 | |
| TVS二极管单管 | AOZ8841DI-05 | 反向工作电压Vrwm:5V(最大) 峰值脉冲电流Ipp:2A(8/20µs) 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:DFN2 | |
| TVS二极管单管 | AOZ8831DT-24 | 反向工作电压Vrwm:24V(最大) 峰值脉冲电流Ipp:1.2A(8/20µs) 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:DFN2 | |
| TVS二极管单管 | AOZ8831ADI-05 | 反向工作电压Vrwm:5V(最大) 峰值脉冲电流Ipp:2.5A(8/20µs) 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:DFN2 | |
| TVS二极管单管 | AOZ8811DT-03 | 反向工作电压Vrwm:3.6V(最大) 峰值脉冲电流Ipp:6A(8/20µs) 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:DFN2 | |
| TVS二极管单管 | AOZ8841DI-05 | AOS(万国半导体) | 反向工作电压Vrwm:5V(最大) 峰值脉冲电流Ipp:2A(8/20µs) 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:DFN2 |
| TVS二极管单管 | AOZ8831DT-24 | AOS(万国半导体) | 反向工作电压Vrwm:24V(最大) 峰值脉冲电流Ipp:1.2A(8/20µs) 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:DFN2 |
| TVS二极管单管 | AOZ8831DT-05 | AOS(万国半导体) | 反向工作电压Vrwm:5V(最大) 峰值脉冲电流Ipp:15A 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:DFN2 |
| TVS二极管单管 | AOZ8831DT-03 | AOS(万国半导体) | 反向工作电压Vrwm:3.6V(最大) 峰值脉冲电流Ipp:6A(8/20µs) 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:DFN2 |
| TVS二极管单管 | AOZ8831DI-05 | AOS(万国半导体) | 反向工作电压Vrwm:5V(最大) 峰值脉冲电流Ipp:2A(8/20µs) 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:DFN2 |
| TVS二极管单管 | AOZ8831ADI-05 | AOS(万国半导体) | 反向工作电压Vrwm:5V(最大) 峰值脉冲电流Ipp:2.5A(8/20µs) 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:DFN2 |
| TVS二极管单管 | AOZ8821DT-03 | AOS(万国半导体) | 反向工作电压Vrwm:3.6V(最大) 峰值脉冲电流Ipp:6A(8/20µs) 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:DFN2 |
| TVS二极管单管 | AOZ8811DT-03 | AOS(万国半导体) | 反向工作电压Vrwm:3.6V(最大) 峰值脉冲电流Ipp:6A(8/20µs) 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:DFN2 |
| TVS二极管单管 | AOZ8211DI-24 | AOS(万国半导体) | 反向工作电压Vrwm:24V(最大) 峰值脉冲电流Ipp:2.5A(8/20µs) 工作温度:-40°C ~ 85°C(TJ) 封装/外壳:DFN2 |
| TVS二极管单管 | AOZ8211DI-12 | AOS(万国半导体) | 反向工作电压Vrwm:12V(最大) 峰值脉冲电流Ipp:5A(8/20µs) 工作温度:-40°C ~ 85°C(TJ) 封装/外壳:DFN2 |
| TVS二极管单管 | AOZ8211DI-05 | AOS(万国半导体) | 反向工作电压Vrwm:5V(最大) 峰值脉冲电流Ipp:5.5A(8/20µs) 工作温度:-40°C ~ 85°C(TJ) 封装/外壳:DFN2 |
| TVS二极管单管 | AOZ8211DI-03 | AOS(万国半导体) | 反向工作电压Vrwm:3.3V(最大) 峰值脉冲电流Ipp:6A(8/20µs) 工作温度:-40°C ~ 85°C(TJ) 封装/外壳:DFN2 |
| TVS二极管单管 | AOZ8211DI-02 | AOS(万国半导体) | 反向工作电压Vrwm:2.5V(最大) 峰值脉冲电流Ipp:6A(8/20µs) 工作温度:-40°C ~ 85°C(TJ) 封装/外壳:DFN2 |
| TVS二极管单管 | AOZ8211DI-03 | AOS(万国半导体) | 反向工作电压Vrwm:3.3V(最大) 峰值脉冲电流Ipp:6A(8/20µs) 工作温度:-40°C ~ 85°C(TJ) 封装/外壳:DFN2 |
| TVS二极管单管 | AOZ8211DI-12 | AOS(万国半导体) | 反向工作电压Vrwm:12V(最大) 峰值脉冲电流Ipp:5A(8/20µs) 工作温度:-40°C ~ 85°C(TJ) 封装/外壳:DFN2 |
| TVS二极管单管 | AOZ8211DI-05 | AOS(万国半导体) | 反向工作电压Vrwm:5V(最大) 峰值脉冲电流Ipp:5.5A(8/20µs) 工作温度:-40°C ~ 85°C(TJ) 封装/外壳:DFN2 |
| TVS二极管单管 | AOZ8851ADI-05 | AOS(万国半导体) | 反向工作电压Vrwm:5V(最大) 峰值脉冲电流Ipp:4A(8/20µs) 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:2-DFN(0.6x0.3) |