参数	值
产品	未分类
型号编码	ZXMN6A09KTC
说明	未分类   DPAK(TO-252) 6.7mm 6.7x6.2x2.26mm
品牌	DiodesZetex
起订量	0
最小包	0
现货	136 [库存更新时间：2025-04-06]
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	11.8 A
漏源极电压Vds	60V
Rds On(Max)@Id,Vgs	60 m0hms
栅极电压Vgs	3V
栅极电压Vgs	-20 V、+20 V
封装/外壳	DPAK (TO-252)
引脚数目	3
晶体管配置	单
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
功率	10.1 W
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
每片芯片元件数目	1 Ohms
长度	6.7mm
高度	2.39mm
宽度	6.2mm
晶体管材料	Si
漏源极电压Vds	1426 pF @ 30 V
典型关断延迟时间	32.5 ns
典型接通延迟时间	4.8 ns
封装/外壳	6.7 x 6.2 x 2.26mm