参数	值
产品	未分类
型号编码	VP2106N3-G
说明	未分类   TO-92 5.08x4.06x5.33mm 5.08mm
起订量	25
最小包	25
现货	497 [库存更新时间：2024-05-18]
FET类型	P-Channel
连续漏极电流Id	250 mA
漏源极电压Vds	60V
Rds On(Max)@Id,Vgs	15 0hms
栅极电压Vgs	3.5V
栅极电压Vgs	-20 V、+20 V
封装/外壳	TO-92
晶体管配置	单
引脚数目	3
FET类型	增强
功率	1W
最高工作温度	+150 °C
最低工作温度	-55 °C
高度	5.33mm
正向跨导	200S
正向二极管电压	2V
封装/外壳	5.08 x 4.06 x 5.33mm
长度	5.08mm
漏源极电压Vds	45 pF @ -25 V
典型关断延迟时间	5 ns
典型接通延迟时间	4 ns
宽度	4.06mm
每片芯片元件数目	1 Ohms
晶体管材料	Si