| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | 未分类 |
| 型号编码 | UJ3C065030B3 |
| 说明 | 未分类 D2PAK |
| 起订量 | 30 |
| 最小包 | 30 |
| 现货 | 505 [库存更新时间:1970-01-01] |
| 半导体设备特性 | ESD protected gate |
| 安装 | SMD |
| 封装/外壳 | D2PAK |
| 开启状态电阻 | 27m Ohms |
| 晶体管种类 | 共基放大器 |
| FET类型 | N-JFET/N-MOSFET |
| 极化 | 单极 |
| 栅极-源极电压 | ±25V |
| 漏极-源极电压 | 650V |
| 漏极电流 | 47A |
| 耗电 | 250W |

| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | 未分类 |
| 型号编码 | UJ3C065030B3 |
| 说明 | 未分类 D2PAK |
| 起订量 | 30 |
| 最小包 | 30 |
| 现货 | 505 [库存更新时间:1970-01-01] |
| 半导体设备特性 | ESD protected gate |
| 安装 | SMD |
| 封装/外壳 | D2PAK |
| 开启状态电阻 | 27m Ohms |
| 晶体管种类 | 共基放大器 |
| FET类型 | N-JFET/N-MOSFET |
| 极化 | 单极 |
| 栅极-源极电压 | ±25V |
| 漏极-源极电压 | 650V |
| 漏极电流 | 47A |
| 耗电 | 250W |