| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | 未分类 |
| 型号编码 | TPN4R712MD,L1Q |
| 说明 | 未分类 8-PowerVDFN |
| 品牌 | Toshiba(东芝) |
| 起订量 | 1 |
| 最小包 | 5000 |
| 现货 | 3888 [库存更新时间：2024-05-26] |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 4300pF @ 10V |
| 栅极电压Vgs | ±12V |
| 功率 | 42W(Tc) |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 4.7 毫欧 @ 18A,4.5V |
| 工作温度 | 150°C(TJ) |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
| FET类型 | P-Channel |
| 漏源极电压Vds | 20V |
| 连续漏极电流Id | 36A(Tc) |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 2.5V,4.5V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 1.2V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 65nC @ 5V |
IC普拉斯 元器件现货
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productsTPN4R712MD,L1Q
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