参数	值
产品	未分类
型号编码	TPN14006NH
说明	未分类   TSON 3.1x3.1x0.85mm
品牌	Toshiba(东芝)
起订量	0
最小包	0
现货	117 [库存更新时间：2025-04-12]
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	65 A
漏源极电压Vds	60V
Rds On(Max)@Id,Vgs	41 m0hms
栅极电压Vgs	4V
最小栅阈值电压	2V
栅极电压Vgs	±20 V
封装/外壳	TSON
引脚数目	8
晶体管配置	单
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
功率	30W
典型接通延迟时间	18 ns
漏源极电压Vds	1000 pF @ 30 V
每片芯片元件数目	1 Ohms
宽度	3.1mm
高度	0.85mm
正向二极管电压	1.2V
封装/外壳	3.1 x 3.1 x 0.85mm
最高工作温度	+150 °C