参数	值
产品	未分类
型号编码	TPHR6503PL
说明	未分类   SOP 5x5x0.95mm
品牌	Toshiba(东芝)
起订量	0
最小包	0
现货	117 [库存更新时间：2025-04-04]
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	393 A
漏源极电压Vds	30 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	890 μ0hms
栅极电压Vgs	2.1V
最小栅阈值电压	1.1V
栅极电压Vgs	±20 V
封装/外壳	SOP
引脚数目	8
晶体管配置	单
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
功率	170W
典型接通延迟时间	36 ns
典型关断延迟时间	100 ns
漏源极电压Vds	7700 pF @ 15 V
每片芯片元件数目	1 Ohms
宽度	5mm
高度	0.95mm
正向二极管电压	1.2V
封装/外壳	5 x 5 x 0.95mm
最高工作温度	+175 °C