参数	值
产品	未分类
型号编码	TK31V60W5
说明	未分类   DFN 8x8x0.85mm
品牌	Toshiba(东芝)
起订量	0
最小包	0
现货	115 [库存更新时间：2024-05-22]
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	30.8 A
漏源极电压Vds	600V
Rds On(Max)@Id,Vgs	109 m0hms
栅极电压Vgs	4.5V
最小栅阈值电压	3V
栅极电压Vgs	±30 V
封装/外壳	DFN
引脚数目	5
晶体管配置	单
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
功率	240 W
典型接通延迟时间	120 ns
典型关断延迟时间	165 ns
漏源极电压Vds	3000 pF @ 300 V
每片芯片元件数目	1 Ohms
宽度	8mm
高度	0.85mm
正向二极管电压	1.7V
封装/外壳	8 x 8 x 0.85mm
最高工作温度	+150 °C