参数	值
产品	未分类
型号编码	TK14G65W,RQ(S
说明	未分类   D2PAK(TO-263) 10.35mm 10.35x8.8x4.46mm
品牌	Toshiba(东芝)
起订量	0
最小包	0
现货	115 [库存更新时间：2025-04-14]
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	13.7 A
漏源极电压Vds	650 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	250 m0hms
栅极电压Vgs	3.5V
最小栅阈值电压	2.5V
栅极电压Vgs	±30V
封装/外壳	D2PAK (TO-263)
引脚数目	3
晶体管配置	单
FET类型	增强
类别	开关调节器 MOSFET
功率	130W
高度	4.46mm
最高工作温度	+150 °C
每片芯片元件数目	1 Ohms
长度	10.35mm
正向二极管电压	1.7V
系列	DTMOSIV
宽度	8.8mm
晶体管材料	Si
漏源极电压Vds	1300 pF @ 300 V
典型关断延迟时间	110 ns
典型接通延迟时间	60 ns
封装/外壳	10.35 x 8.8 x 4.46mm