参数	值
产品	未分类
型号编码	TK11P65W,RQ(S
说明	未分类   DPAK(TO-252) 6.6mm 6.6x6.1x2.3mm
品牌	Toshiba(东芝)
起订量	0
最小包	0
现货	115 [库存更新时间：2025-04-02]
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	11.1 A
漏源极电压Vds	650 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	440 m0hms
栅极电压Vgs	3.5V
最小栅阈值电压	2.5V
栅极电压Vgs	±30V
封装/外壳	DPAK (TO-252)
晶体管配置	单
引脚数目	3
FET类型	增强
类别	开关调节器 MOSFET
功率	100W
最高工作温度	+150 °C
长度	6.6mm
每片芯片元件数目	1 Ohms
高度	2.3mm
正向二极管电压	1.7V
系列	DTMOSIV
宽度	6.1mm
晶体管材料	Si
漏源极电压Vds	890 pF @ 300 V
典型关断延迟时间	85 ns
典型接通延迟时间	45 ns
封装/外壳	6.6 x 6.1 x 2.3mm