参数	值
产品	未分类
型号编码	STFW60N65M5
说明	未分类   ISOWATT-218FX ISOWATT218FX
品牌	ST(意法半导体)
起订量	30
最小包	30
现货	423 [库存更新时间：2024-06-01]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	650V
连续漏极电流Id	46A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	139nC @ 10V
栅极电压Vgs	±25V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	6810pF @ 100V
功率	79W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	59 毫欧 @ 23A,10V
工作温度	150°C(TJ)
封装/外壳	ISOWATT-218FX
封装/外壳	ISOWATT218FX