参数	值
产品	未分类
型号编码	STF19NM65N
说明	未分类   TO-220FP TO-220-3整包
品牌	ST(意法半导体)
起订量	50
最小包	50
现货	459 [库存更新时间：2025-04-20]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	650V
连续漏极电流Id	15.5A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	55nC @ 10V
栅极电压Vgs	±25V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	1900pF @ 50V
功率	35W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	270 毫欧 @ 7.75A,10V
工作温度	150°C(TJ)
封装/外壳	TO-220FP
封装/外壳	TO-220-3 整包