| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | 未分类 |
| 型号编码 | SMMBT5551LT1G |
| 说明 | 未分类 SOT-23-3(TO-236) SOT-23 |
| 起订量 | 3 |
| 最小包 | 3 |
| 现货 | 482 [库存更新时间：2024-04-22] |
| Current-Collector(Ic)(Max) | 600mA |
| 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 200mV @ 5mA,50mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA |
| 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值） | 80 @ 10mA,5V |
| Power-Max | 225mW |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| 封装/外壳 | SOT-23-3(TO-236) |
| 封装/外壳 | SOT-23 |
| FET类型 | NPN |
| 集电极最大允许电流Ic | 0.6A |
| 集电极_发射极击穿电压VCEO | 160V |
IC普拉斯 元器件现货
全国服务热线： 13172425630
芯普拉斯产品中心
productsSMMBT5551LT1G
产品概述
相关产品