参数 | 值 |
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产品 | 未分类 |
型号编码 | SBC847BPDXV6T1G |
说明 | 未分类 SOT-563,SOT-666 SOT-563 |
起订量 | 4 |
最小包 | 4 |
现货 | 484 [库存更新时间:2025-04-07] |
功率 | 357mW |
频率 - 跃迁 | 100MHz |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
封装/外壳 | SOT-563,SOT-666 |
FET类型 | NPN,PNP |
电流 - 集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 45V |
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) | 600mV @ 5mA,100mA / 650mV @ 5mA,100mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 15nA(ICBO) |
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) | 200 @ 2mA,5V |
封装/外壳 | SOT-563 |