参数	值
产品	未分类
型号编码	NVF6P02T3G
说明	未分类   TO-261-4,TO-261AA SOT-223
起订量	4
最小包	4
现货	484 [库存更新时间：2024-04-19]
FET类型	P-Channel
连续漏极电流Id	10A(Ta)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	2.5V,4.5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	1V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	20nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	1200pF @ 16V
栅极电压Vgs	±8V
功率	8.3W(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs	50 毫欧 @ 6A,4.5V
工作温度	-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	TO-261-4,TO-261AA
封装/外壳	SOT-223
FET类型	P-Channel
漏源极电压Vds	20V
连续漏极电流Id	10A