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    NTMFD4C85NT3G

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    库存:486 Pcs [库存更新时间:2024-05-06]

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    产品概述
    参数
    产品未分类
    型号编码NTMFD4C85NT3G
    说明未分类   8-PowerTDFN 8-DFN(5x6)
    起订量5
    最小包5
    现货486 [库存更新时间:2024-05-06]
    FET类型2 N 沟道(双)非对称型
    FET类型标准
    漏源极电压Vds30V
    连续漏极电流Id15.4A,29.7A
    Rds On(Max)@Id,Vgs3 毫欧 @ 20A,10V
    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2.1V @ 250µA
    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)32nC @ 10V
    不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)1960pF @ 15V
    功率1.13W
    工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
    封装/外壳8-PowerTDFN
    封装/外壳8-DFN(5x6)

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