参数	值
产品	未分类
型号编码	NTHD3101FT1G
说明	未分类   8-SMD,扁平引线 Chip
品牌	ON(安森美)
起订量	3000
最小包	3000
现货	6651 [库存更新时间：2025-04-21]
FET类型	P-Channel
连续漏极电流Id	3.2A(Tj)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	1.8V,4.5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	1.5V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	7.4nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	680pF @ 10V
栅极电压Vgs	±8V
FET类型	肖特基二极管(隔离式)
功率	1.1W(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs	80 毫欧 @ 3.2A,4.5V
工作温度	-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	8-SMD,扁平引线
封装/外壳	Chip
FET类型	P-Channel
漏源极电压Vds	20V
连续漏极电流Id	3.2A
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	7.4nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	680pF @ 10V
FET类型	肖特基二极管(隔离式)
Rds On(Max)@Id,Vgs	80 毫欧 @ 3.2A,4.5V
FET类型	P-Channel
漏源极电压Vds	20V
连续漏极电流Id	3.2A(Tj)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	1.8V,4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	1.5V @ 250µA