参数	值
产品	未分类
型号编码	NSVT30010MXV6T1G
说明	未分类   SOT-563,SOT-666 SOT-563
起订量	4
最小包	4
现货	484 [库存更新时间：2024-05-03]
FET类型	2 PNP(双)
电流-集电极（Ic）（最大值）	100mA
不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）	600mV @ 5mA,100mA
电流-集电极截止（最大值）	15nA(ICBO)
不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）	420 @ 2mA,5V
频率-跃迁	100MHz
工作温度	-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	SOT-563,SOT-666
封装/外壳	SOT-563
FET类型	P-Channel
集电极最大允许电流Ic	0.1A
集电极_发射极击穿电压VCEO	30V
频率 - 跃迁	100MHz
电流 - 集电极（Ic）（最大值）	100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）	30V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）	600mV @ 5mA,100mA
电流 - 集电极截止（最大值）	15nA(ICBO)
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	420 @ 2mA,5V