参数	值
产品	未分类
型号编码	NSVBA114EDXV6T1G
说明	未分类   SOT-563,SOT-666 SOT-563-6
起订量	4
最小包	4
现货	483 [库存更新时间：2024-05-01]
FET类型	2 个 PNP 预偏压式(双)
电流 - 集电极（Ic）（最大值）	100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）	50V
电阻器 - 基底（R1）	10 千欧
电阻器 - 发射极基底（R2）	10 千欧
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	35 @ 5mA,10V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）	250mV @ 300µA,10mA
电流 - 集电极截止（最大值）	500nA
功率	1/2W
封装/外壳	SOT-563,SOT-666
封装/外壳	SOT-563-6